Модуль Памяти Kingspec Ddr3 Dimm 1600mhz Pc-12800 Cl11 - 8gb Ks1600d3p13508g

Память DDR3 DIMM 4Gb, 1600MHz BaseTech (BTD31600C11-4GN)

2-гигабайтная оперативная память Patriot Signature [PSD22G80026] применяется в офисных рабочих станциях и домашних компьютерах, использующих память, относящуюся к типу DDR2. Модуль памяти отличается высокой степенью надежности, и может использоваться в системах, работающих с нагрузкой выше средней. Устройство подойдет для использования как в качестве единственного модуля памяти, так и для применения в комбинации с аналогичными модулями.

8 Гб, DDR4, 25600 Мб/с, 1.2 В

Оперативная память для ноутбука Hynix DDR3L 4Gb 1600 Mhz So-Dimm PC3L-12800 для ноутбука

Четыре модуля низкопрофильной оперативной памяти, изготовленные в соответствии с отраслевыми стандартами, обеспечивающие непревзойденную производительность и отличающиеся легендарной надежностью Kingston. Память ValueRAM – разумный выбор.

Оперативная память Digma DGMAD42666008D DDR4 - 8ГБ 2666, DIMM, Ret

D_HEIGHT 8 D_LENGTH 32 D_WIDTH 19 EANUPCCode 740617319064 Error-correcting code (ECC) Нет Буферизованная (Registered) Нет Объем, ГБ 16GB Рабочее напряжение, В 1.35V Тип DDR4 Форм-фактор 288-pin DIMM Частота, МГц 3600 MHz . adpar_property_list { width:100%; margin:0px 0px 0px; color:#555; } . adpar_property_list td { vertical-align: bottom; font-size:13px; vertical-align: top; background: url(images/dott. png)

Тип: модуль памяти Назначение: для хранения данных Тип памяти: DDR4 Форм-фактор: DIMM Объем одного модуля: 16 Гб Пропускная способность: 28800 Мб/с Поддержка ECC: нет Количество контактов: 288 CAS Latency (CL): 16 RAS to CAS Delay (tRCD): 20 Row Precharge Delay (tRP): 20 Количество ранков: 2 Activate to Precharge Delay (tRAS): 32 Поддержка XMP: да Напряжение питания: 1.35 В Тактовая частота: 3600 МГц Буферизованная (Registered)

Модуль памяти DDR4 16 Гб x 1 шт. PC4-19200 (DDR4 2400 МГц) Напряжение: 1.2 В (DDR4)

Модуль памяти DIMM включает в себя регистр для улучшения тактовых сигналов, командных и управляющих сигналов. Доступно исправление ошибок за счет добавления 8-битных сигналов четности. Поддержка организации x4/x8/до 2 рангов на конфигурацию DIMM и 3DPC.

Kingston FURY Impact KF426S15IB/8С модулями памяти Kingston FURY™ Impact DDR4 SODIMM ваш ноутбук или ПК получат все необходимые ресурсы для повышения скорости работы. Модули памяти FURY Impact DDR4, поддерживающие процессоры AMD Ryzen™ и профили памяти Intel® XMP, имеющие сертификат XMP и предлагаемые в комплектах емкостью до 64 ГБ, включают инновационную технологию разгона памяти Plug N Play от компании Kingston, которая автоматически задействует заданные на заводе-изготовителе частоту и тайминги

Оперативная память 4Gb DDR4 3200MHz AMD (R9S44G3206U1S) RTL

Оперативная память в большинстве случаев энергозависимая часть системы компьютерной памяти, в которой во время работы компьютера хранится выполняемый машинный код, а также входные, выходные и промежуточные данные, обрабатываемые процессором.

Модуль памяти (оперативная память, RAM) Samsung SODIMM DDR3 8Гб 1333 mhz PC3-10600 Парт номер: M471B1G73DB0-CK0 Напряжение питания 1.5 Вольта (Может использоваться в ноутбуках где стандарт DDR3 (без L) DDR3L память может использоваться вместо DDR3 (в свою очередь DDR3 вместо DDR3L использовать нельзя).

32 Гб, DDR4, 25600 Мб/с, CL22, 1.2 В

Оперативная память 4Gb (1x4Gb) PC3-12800 1600MHz DDR3 DIMM CL11 Apacer AU04GFA60CATBGJ

Оперативная память Kingston Server Premier DDR4 32GB RDIMM 3200MHz ECC Registered 1Rx4, 1.2V (Hynix C Rambus)

Старый ноутбук тормозит? Не справляется с текущими задачами? Один из способов повысить производительность - увеличить объём оперативной памяти. Модули памяти BillionReservoir BR-NB-8G-1600 отлично справятся с этой задачей. Кроме ноутбуков они подойдут к моноблокам, неттопам и мини ПК. Данная оперативная память является универсальной. Её можно использовать в устройствах, поддерживающих DDR3L SoDIMM (1,35 В) и DDR3 SoDIMM (1,5 В). Если установить 2 планки памяти, то они могут работать в двухканальном режиме.

Модуль определения координат по спутникам GPS на чипе NEO-6M с керамической активной антенной. Интерфейс связи последовательный порт UART. Напряжение питания: 3В-5В; Последовательный порт, скорость связи по умолчанию 9600; Резервный аккумулятор; Светодиодный индикатор сигнала; Контакты: VCC, GND, TXD, RXD; Размеры антенны: 25 x 25 мм; Размеры модуля: 25 мм x 35 мм

Тестер АКБ Iphone 5s-XR, Android Kaisi K-9208 v21

Оперативная память Crucial 4 ГБ (2 ГБ x 2 шт.) DDR2 800 МГц SODIMM CL6 CT2KIT25664AC800

Тип товара: Память (модули, комплекты); Модель: M378A1K43EB2-CWE; Тип оборудования: Оперативная память; Частота (MHz): DDR4 - 3200; Тип модуля: DIMM; Объем одного модуля (ГБ): 8; Количество модулей в комплекте (шт): 1; Общий объем памяти (ГБ): 8; Пропускная способность (МБ/с): 25600.