Оперативная Память 4gb Ddr4 2666mhz Kingmax So-Dimm (Km-Sd4-2666-4gs)
Цена: 1275 ₽Еще скидки на Модули Памяти
Оперативная память ENTADM DDR4 может обеспечить стабильное повышение производительности компьютера. Предусмотрены варианты модулей памяти объемом 4 ГБ / 8 ГБ / 16 ГБ / 32 ГБ, простота установки - просто подключи и играй, совместимость с материнскими платами Intel и AMD. 5 лет гарантии, бесплатная бессрочная техническая поддержка. (Если Вам нужна консультация по техническим вопросам, пожалуйста, свяжитесь с нами)
От 2 199 ₽
Оперативная память 8 ГБ 1 шт. Samsung DDR3 1600 SO-DIMM 8Gb 1.5v 2Rx8 PC3-12800S-11-11-F3 DDR3 1.5v SO-DIMM -подходит для процессоров: -подходит на модельный ряд 2010-2015й год иногда 2016 -Intel: i3-2го i3-3го (поколения) -Intel: i5-2го i5-3го (поколения) -Intel: i7-2го i7-3го (поколения) -AMD A8-3500M, A8-4500M, A10-4500M, A10-4600M, A10-5750M -если остались вопросы задайте, отвечу быстро.
От 1 299 ₽
2-гигабайтная оперативная память Patriot Signature [PSD22G80026] применяется в офисных рабочих станциях и домашних компьютерах, использующих память, относящуюся к типу DDR2. Модуль памяти отличается высокой степенью надежности, и может использоваться в системах, работающих с нагрузкой выше средней. Устройство подойдет для использования как в качестве единственного модуля памяти, так и для применения в комбинации с аналогичными модулями.
От 2 900 ₽
Гарантия: 60 мес. Форм-фактор: DIMM Ширина: 133.35 Высота: 42 Серия продукции: Toughram Комплект поставки: Инструкция, 2 модуля памяти Ссылка на описание: www. thermaltake. com Пропускная способность: 32000 Тип памяти: Unbuffered Стандарт памяти: DDR4 Объем одного модуля: 32 Количество модулей в комплекте: 2 Суммарный объем: 64 Эффективная частота: 4000 Поддержка ECC: Нет Низкопрофильная: Нет Количество чипов на модуле: 16 Количество контактов: 288 CAS Latency (CL): 19 RAS to CAS Delay (tRCD)
От 44 075 ₽
Модуль памяти - небольшая печатная плата, на которой размещены микросхемы запоминающего устройства, обычно ОЗУ. В зависимости от форм-фактора выводы могут реализовываться в виде штырьков располагаться в виде дорожек, подходящих к краю ножевого разъёма с одной стороны платы, либо двух. Оперативная память, или оперативное запоминающее устройство (ОЗУ) — временное хранилище для данных, необходимых для работы игр и программ.
От 1 516 ₽
Техническое описание Форм-фактор: DIMM Тип памяти: DDR4 Объём памяти: 16 Гб Объём одного модуля: 16 Гб Количество модулей в комплекте: 1 Тактовая частота: 3600 МГц Пропускная способность: 28800 Мб/с Тайминги CAS Latency (CL): 18 Дополнительно Напряжение питания: 1.35 В Система охлаждения: пассивная (радиатор) Низкопрофильная (Low Profile)
От 5 690 ₽
Бренд: KIMTIGOОбъем: 4096МБКоличество в упаковке: 1Тип поставки: RetБуферизация: unbufferedСкорость (тест): 1600МГцКоличество рангов (Ranks): single rankPartNumber/Артикул Производителя: KMTS4G8581600Форм-фактор: SO-DIMMМодель: KMTS4G8581600Напряжение (тест): 1.35ВЛатентность: CL11Ссылка на сайт поставщика/вендора: http://www. kimtigo. com. cn/productsdetail/68. htmlВес упаковки (ед)
От 900 ₽
Hynix DDR3-1333 PC3-10600S 4Gb SODIMM 204PIN Модуль оперативной памяти для ноутбука Память от производителя Hynix объемом 4Гб. Память для ноутбука. Подробные характеристики данных модулей ищите в сети интернет. Также внимательно проверьте совместимость Вашего оборудования с данной памятью перед покупкой. Убедитесь, что Ваш ноутбук работает с данным типом памяти, а также поддерживает такой объем модуля. Вся память обязательно проверялась программой memtest перед размещением данного лота.
От 899 ₽
Тип памяти DDR4 Форм-фактор DIMM 288-контактный Тактовая частота 2400 МГц Пропускная способность 19200 Мб/с Объем 1 модуль 8 Гб Поддержка ECC нет Напряжение питания 1.2 В Количество ранков 2
От 2 780 ₽
Название Оперативная память Kimtigo DDR3L 1600 МГц CL11 (KMTS8GF581600). Категория Модули памяти. Описание типDDR3L, объем одного модуля8 ГБ, объем одного модуля (точно)8 ГБ, тактовая частота1600 МГц, форм-факторSODIMM, количество модулей в комплекте1 шт, CL11. Тип DDR3L. Форм-фактор SODIMM. Количество модулей в комплекте 1 шт. Объем одного модуля 8 ГБ. Тактовая частота 1600 МГц. Пропускная способность PC12800. CL 11. Количество контактов 204.
От 1 970 ₽
Форм-фактор: SO-DIMM Частотная спецификация: 1600 Буферизация: unbuffered Показатель скорости: PC3-12800 Количество контактов: 204-pin Латентность: CL11 Тип поставки: Ret Тип памяти: DDR3 Количество в упаковке: 1 Объем: 8192 PartNumber/Артикул Производителя: SP008GBSTU160N02 Бренд: SILICON POWER Модель: SP008GBSTU160N02 Скорость (тест): 1600МГц Напряжение (тест): 1.5В Задержка (тест)
От 2 300 ₽
D_HEIGHT 21 D_LENGTH 50 D_WIDTH 45 EANUPCCode 6926337234915 Error-correcting code (ECC) Нет Буферизованная (Registered) Нет Объем, ГБ 16 GB Рабочее напряжение, В 1.35 В Тип DDR4 Форм-фактор 288-pin DIMM Частота, МГц 2666 MHz . adpar_property_list { width:100%; margin:0px 0px 0px; color:#555; } . adpar_property_list td { vertical-align: bottom; font-size:13px; vertical-align: top; background: url(images/dott. png)
От 5 815 ₽