Оперативная Память Для Компьютера 16gb (1x16gb) Pc4-28800 3600mhz Ddr4 Dimm Cl18 Hp V6 Series (7eh75aa)

Оперативная память Samsung - это высококачественный продукт, который обеспечивает высокую производительность и надежность работы вашего компьютера. Объем памяти составляет 8 ГБ, что позволяет быстро обрабатывать большие объемы данных. Тактовая частота составляет 1333 МГц, что обеспечивает быстрое чтение и запись данных. Оперативная память Samsung имеет высокую пропускную способность 10600, что гарантирует быструю передачу данных между процессором и памятью.

Память DDR4 SODIMM 8Gb, 2666MHz TESLA (TSLD4NB-2666-CL19-8G)

desc: Тип памяти DDR2 Форм-фактор DIMM 240-контактный Тактовая частота 667 МГц Пропускная способность 5300 Мб/с Объем 1 модуль 512 Мб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile)

объем памяти: 16 ГБ (2 планки по 8 ГБ) тип: DDR4 DIMM 288-pin тактовая частота: 3200 МГц тайминги: 16-20-20-40 напряжение питания: 1.35 В пропускная способность: PC25600 радиатор: да поддержка XMP: да

Новое устройство в заводской упаковке. Гарантия от производителя

Оперативная память Hynix 4 ГБ DDR3 PC3-12800 1600 МГц - это модуль оперативной памяти для компьютера или ноутбука, который имеет емкость 4 ГБ и скорость передачи данных на уровне 1600 МГц. DDR3 - это третье поколение двухпортовой динамической случайной доступной памяти (SDRAM), которое обеспечивает более высокие скорости передачи данных и более эффективное энергопотребление по сравнению с более ранними поколениями оперативной памяти.

Оперативная память DDR-4 DIMM 8Gb PC-29800 3733Mhz CL19 Kingston Fury Beast Black RGB KF437C19BBA/8

8 Гб, DDR4 DIMM, 23400 Мб/с, CL19, ECC, буферизованная

Старый ноутбук тормозит? Не справляется с текущими задачами? Один из способов повысить производительность - увеличить объём оперативной памяти. Модули памяти BillionReservoir BR-NB-8G-1600 отлично справятся с этой задачей. Кроме ноутбуков они подойдут к моноблокам, неттопам и мини ПК. Данная оперативная память является универсальной. Её можно использовать в устройствах, поддерживающих DDR3L SoDIMM (1,35 В) и DDR3 SoDIMM (1,5 В). Если установить 2 планки памяти, то они могут работать в двухканальном режиме.

Бренд: G. SKILL Общий объём: 64 Гб Кол-во модулей: 2 Тип памяти: DDR5 Частота: 6800 МГц

Модуль памяти DDR4 32 Гб x 2 шт. PC4-32000 (DDR4 4000 МГц) Радиаторы на чипах памяти Напряжение: Напряжение памяти нестандартное

Оперативная память Micron DDR 3 SODIMM 4GB 1,35V 1600Mhz для ноутбука

Оперативная память Kllisre DDR3 1600 МГц для компьютера ПК Грамотный подбор ОЗУ — непростая задача, поскольку необходимо учесть большое количество факторов: тактовую частоту, тайминги, потенциал разгона, систему охлаждения.

Название Оперативная память Samsung DDR4 ECC RDIMM 8 Гб, 3200 МГц. Тип DDR4. Форм-фактор DIMM. Количество модулей в комплекте 1 шт. Объем одного модуля 8 ГБ. Тактовая частота 3200 МГц. Пропускная способность PC25600. CL 22. Напряжение питания 1.2 В. Количество рангов 1. Количество контактов 288. Особенности Registered. Гарантийный срок 1 г.

Модуль памяти Samsung SODIMM DDR3L 8Гб 1600 mhz 1,35V Краткое наименование Модуль памяти для SAMSUNG DDR3L - 8Гб 1600 1,35V Объем одного модуля 8Гб Тип DDR3L

Форм-фактор: SO-DIMM Частотная спецификация: 1600 Буферизация: unbuffered Показатель скорости: PC3-12800 Количество контактов: 204-pin Латентность: CL11 Тип поставки: Ret Тип памяти: DDR3 Количество в упаковке: 1 Объем: 8192 PartNumber/Артикул Производителя: SP008GBSTU160N02 Бренд: SILICON POWER Модель: SP008GBSTU160N02 Скорость (тест): 1600МГц Напряжение (тест): 1.5В Задержка (тест)

[Модуль памяти] AMD DDR4 DIMM 8GB R948G3206U2S-UO PC4-25600, 3200MHz R9 Gamers Series Black Activate to Precharge Delay (tRAS) - CAS Latency (CL) 16 масса(кг) 0.08 GTD Number 10005030/210623/3166103 GTIN 00000000000000 Cтрана-производитель тайвань (китай) Партномер R948G3206U2S-UO RAS to CAS Delay (tRCD) - Row Precharge Delay (tRP) - Вес (грамм) - Высота (мм) - высота(см) 0.1 Габариты (мм) - гарантия 1 год длина(см) 13.5 Дополнительная информация - Количество контактов 288 Количество модулей в комплекте (шт)

Оперативная память Hynix DDR3 4 ГБ 1600 MHz DIMM PC3-12800U 1x4 ГБ для компьютера

Тестер АКБ Iphone 5s-XR, Android Kaisi K-9208 v21

Тип товара: Память (модули, комплекты); Модель: AH4U08G26C08YTBAA-1; Тип оборудования: Оперативная память; Частота (MHz): DDR4 - 2666; Тип модуля: DIMM; Объем одного модуля (ГБ): 8; Количество модулей в комплекте (шт): 1; Общий объем памяти (ГБ): 8; Пропускная способность (МБ/с): 21300; Радиатор: Есть.

Модуль памяти - небольшая печатная плата, на которой размещены микросхемы запоминающего устройства, обычно ОЗУ. В зависимости от форм-фактора выводы могут реализовываться в виде штырьков располагаться в виде дорожек, подходящих к краю ножевого разъёма с одной стороны платы, либо двух. Оперативная память, или оперативное запоминающее устройство (ОЗУ) — временное хранилище для данных, необходимых для работы игр и программ.

Данные появятся в скором времени