Промокоды на Модули памяти за апреля 2025 года

Оперативная память с радиаторами игровая 3200Мгц обьемом 16Гб Используются чипы производства Hynix, SEC (Samsung), Micron и проходит через различные типы ручного тестирования, она в состоянии предоставить пользователям высокую производительностью и высокую стабильность работы системы в течении многолетнего периода. Радиатор на оперативной памяти увеличивает площадь поверхности, с которой рассеивается тепло- это очень важно для сброса лишнего тепла.

Activate to Precharge Delay (tRAS) - CAS Latency (CL) 19 масса(кг) 0.017 GTD Number 10005030/210623/3165485/028 GTIN 00000000000000 Cтрана-производитель Вьетнам Партномер M378A1G44AB0-CWE RAS to CAS Delay (tRCD) 19 Row Precharge Delay (tRP) 19 Вес (грамм) - Высота (мм) 32 высота(см) 0.3 Габариты (мм) - гарантия 1 год длина(см) 13.2 Дополнительная информация - Количество контактов 288 Количество модулей в комплекте (шт) 1 Количество чипов на модуле - Компоновка чипов на модуле - Линейка - масса(кг)

Чтобы сохранять лидерство, повысьте производительность своей системы на базе процессоров AMD или Intel с помощью ультрабыстродействующих модулей памяти Kingston FURY™ Renegade DDR4. Благодаря частоте до 5333 МГц и таймингам CL13 - CL20 вы сможете повысить частоту кадров, обеспечить плавность потокового видео и улучшить качество монтажа отснятого материала. Теплоотвод в агрессивном стильном черном цвете и соответствующая черная печатная плата PCB остудят пыл и вселят страх в сердца ваших врагов.

D_HEIGHT 22 D_LENGTH 50 D_WIDTH 45 EANUPCCode 6926337235509 Error-correcting code (ECC) Нет Буферизованная (Registered) Нет Объем, ГБ 16 GB Рабочее напряжение, В 1.1 V Тип DDR5 Форм-фактор 288-pin DIMM Частота, МГц 4800 MHz . adpar_property_list { width:100%; margin:0px 0px 0px; color:#555; } . adpar_property_list td { vertical-align: bottom; font-size:13px; vertical-align: top; background: url(images/dott. png)

4 Гб, DDR4, 21300 Мб/с, CL19, 1.2 В

Тип памяти: Unbuffered Форм-фактор: DIMM Стандарт памяти: DDR4 Объем одного модуля: 16 ГБ Количество модулей в комплекте: 1 шт Суммарный объем: 16 ГБ Эффективная частота: 2666 МГц Пропускная способность: 21300 Мб/с Поддержка ECC: Нет Низкопрофильная: Нет Количество чипов на модуле: 16 шт Количество контактов: 288 CAS Latency (CL): 16 RAS to CAS Delay (tRCD): 18 Row Precharge Delay (tRP): 18 Activate to Precharge Delay (tRAS)

Модуль памяти Samsung DDR3 8GB 2RX8 1600MHz 1.5V DIMM для ПК - это высококачественный продукт, который идеально подходит для использования в компьютерах. Он имеет высокую скорость передачи данных и низкое энергопотребление, что делает его идеальным выбором для тех, кто ищет производительность и надежность в своей системе. Samsung - известный бренд, который зарекомендовал себя как производитель высококачественной электроники.

Оперативная память в большинстве случаев энергозависимая часть системы компьютерной памяти, в которой во время работы компьютера хранится выполняемый машинный код, а также входные, выходные и промежуточные данные, обрабатываемые процессором.

1 модуль памяти DDR3L объем модуля 4 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 11

Память DDR3L 4Gb 1600MHz Digma DGMAD31600004S RTL PC3-12800 CL11 DIMM 240-pin 1.35В Низкопрофильная single rank

Модуль памяти DDR5 ECC 8 Гб x 1 шт. PC5-44800 (DDR5 5600 МГц) Напряжение: 1.1 В (DDR5)

Оперативная память ENTADM DDR3 может обеспечить стабильное повышение производительности старых компьютеров. Предусмотрены варианты модулей памяти объемом от 4 ГБ до 8 ГБ, простота установки - просто подключи и играй, совместимость с материнскими платами Intel и AMD. 100% тестирование и пожизненная гарантия, бесплатная техническая поддержка. Пожалуйста, обратите внимание: G41 / Q58 / Н55 / P55 / Р41 / Р43 / Р45 эти модели материнских плат могут поддерживать только максимальный модуль памяти 256 МБ * 8 бит

Производитель G. Skill Серия RIPJAWS S5 Модель F5-6800J3446F24GX2-RS5K Тип оборудования Количество контактов Модуль памяти DDR5 288-контактная Объем модуля памяти 24 Гб Количество модулей в комплекте Общий объем памяти 2 шт 48 ГБ Производительность Частота функционирования до 6800 МГц Стандарт памяти PC5-54400 (DDR5 6800 МГц) Пропускная способность памяти 54400 Мб/сек Латентность CL34 Тайминги 34-46-46-108 Конфигурация Поддержка ECC Зарегистрированный/ Небуферизованный Нет Небуферизованный Поддержка

Подсветка RGB освещает ваш путь. Подсветку RGB можно настроить по своему желанию. Доступны различные эффекты (статичный, пульсация и комета) и возможность синхронизации подсветки с любимыми композициями в режиме Музыка. Эти действия выполняются в программах управления RGB от всех основных брендов системных плат. Создание собственного светового шоу с помощью XPG Prime.

Модель R7432G2606S2S-U Количество контактов 260-pin Показатель скорости PC4-21300 Скорость (тест) 2666МГц Напряжение (тест) 1.2В Задержка (тест) 19-19-19-43 Латентность CL19 Бренд AMD PartNumber/Артикул Производителя R7432G2606S2S-U Количество чипов 16 Размер (модули памяти) 32768/2666 Вес упаковки (ед) 0.013 Серия Radeon R7 Performance Series Тип памяти DDR4 Объем 32768 Частотная спецификация 2666 Количество в упаковке 1 Тип поставки Ret Форм-фактор SO-DIMM Буферизация unbuffered EANCode 4897065183603 .

Kingston FURY Renegade KF442C19RBK2/16Чтобы сохранять лидерство, повысьте производительность своей системы на базе процессоров AMD или Intel с помощью ультрабыстродействующих модулей памяти Kingston FURY™ Renegade DDR4. Благодаря частоте до 5333 МГц и таймингам CL13 - CL20 вы сможете повысить частоту кадров, обеспечить плавность потокового видео и улучшить качество монтажа отснятого материала.

Тип памяти: DDR4. Форм-фактор: DIMM. Суммарный объем: 8 ГБ. Тактовая частота: 4133 МГц. Профили Intel XMP: 4133 МГц (19-23-23). CAS Latency (CL): 19. RAS to CAS Delay (tRCD): 23. Row Precharge Delay (tRP): 23. Радиатор. Подсветка.

Оперативная память для ноутбука SODIMM DDR4 16Гб Samsung M471A1G43EB1-CTD 2666MHz (PC-21300) 260pin, 1.2V, Retail

TSLD4-3200-CL22-8G Оперативная память TESLA (TSLD4-3200-CL22-8G) 8 ГБ

Модуль энергонезависимой памяти на базе микросхемы EEPROM AT24C08. Энергонезависимая электрически стираемая память. Емкость: 8Кб (1024 x 8)

Оперативная память Hynix 4 ГБ DDR3 PC3-12800 1600 МГц - это модуль оперативной памяти для компьютера или ноутбука, который имеет емкость 4 ГБ и скорость передачи данных на уровне 1600 МГц. DDR3 - это третье поколение двухпортовой динамической случайной доступной памяти (SDRAM), которое обеспечивает более высокие скорости передачи данных и более эффективное энергопотребление по сравнению с более ранними поколениями оперативной памяти.

Модуль памяти DDR4 8 Гб x 1 шт. PC4-21300 (DDR4 2666 МГц) Поддержка XMP (Intel Extreme Memory Profiles) Радиаторы на чипах памяти Напряжение: 1.2 В (DDR4)

Viper Gaming представляет новое поколение оперативной памяти DDR5 серии Viper Venom – самую быструю память в ассортименте Viper. Память DDR5 Viper Venom в два раза превосходит любую память DDR4 по своему быстродействию. Модули DDR5 Viper Venom разработаны с применением инновационных технологий, оснащены встроенной микросхемой управления питанием, для повышения эффективности работы и снижения энергопотребления. Встроенный термодатчик контролирует нагрев и увеличивает срок службы модулей.

Основные характеристикиПроизводительTESLAТипDDR3Форм-факторDIMMКомплектностьКомплект памятиКоличество модулей в комплекте2Объем одного модуля8 ГбОбщий объем памяти16 ГбТактовая частота1600 MHzCL11Напряжение питанияНапряжение питания1.35 В

Оптимизированный для материнских плат Intel, он предлагает технологию DDR5 с более высокой частотой и большей емкостью в высококачественном компактном модуле для вашей системы. Комплектация CORSAIR VENGEANCE 64 ГБ (2x32 ГБ) DDR5 DRAM 5600 МГцБелый Характеристики Добавить к сравнению Тайминги CAS Latency (CL), тактов 40 Тайминги 40 RAS to CAS Delay (tRCD), тактов 40 Row Precharge Delay (tRP), тактов 40 Active to Precharge Delay (tRAS)

Линейка: ValueRAM Тип: DDR2 Форм-фактор: DIMM Количество модулей в комплекте: 1 шт. Объем одного модуля: 2 ГБ Тактовая частота: 800 МГц Пропускная способность: PC6400 CL: 6 tRCD: 6 tRP: 6 tRAS: 15 Количество чипов каждого модуля: 16 Напряжение питания: 1.8 В Количество рангов: 2 Количество контактов: 240 Упаковка чипов: двусторонняя

Модуль памяти - небольшая печатная плата, на которой размещены микросхемы запоминающего устройства, обычно ОЗУ. В зависимости от форм-фактора выводы могут реализовываться в виде штырьков располагаться в виде дорожек, подходящих к краю ножевого разъёма с одной стороны платы, либо двух. Оперативная память, или оперативное запоминающее устройство (ОЗУ) — временное хранилище для данных, необходимых для работы игр и программ.

Данные появятся в скором времени

Оперативная память Geil 8 ГБ - это отличный выбор для тех, кто ищет надежный и производительный компонент для своего компьютера. Geil - это известный бренд, который зарекомендовал себя как производитель качественных компонентов для ПК. Оперативная память Geil имеет форм-фактор DIMM и объем 8 ГБ, что позволяет использовать ее для работы с несколькими приложениями одновременно. Каждый модуль имеет объем 4 ГБ и частоту 1600 МГц, что обеспечивает высокую скорость передачи данных.