Скидка 10% на Модуль Памяти Samsung Sodimm Ddr3 4Гб 1333 Арт 006880

Характеристики – Тип памяти: DDR3 Форм фактор: DIMM Количество контактов: 240 Тактовая частота6 1333 МГц Пропускная способность: 10600 Мб/с Объем: 1 модуль 1Gb Общий объём: 1 Гб Поддержка ECC: нет Буферизованная (Registered): нет Низкопрофильная (Low Profile)

Модель KMKU8G8683600T4-R Количество контактов 288-pin Показатель скорости PC4-28800 Скорость (тест) 3600МГц Бренд KIMTIGO PartNumber/Артикул Производителя KMKU8G8683600T4-R Вес упаковки (ед) 0.03 Тип памяти DDR4 Объем 8192 Частотная спецификация 3600 Радиатор охлаждения ДА Количество в упаковке 1 Тип поставки Ret Форм-фактор DIMM Буферизация unbuffered EANCode 6924371292298 . adpar_property_list { width:100%; margin:0px 0px 0px; color:#555; } .

Данные появятся в скором времени

Производитель G. Skill Серия RIPJAWS S5 Модель F5-6800J3446F24GX2-RS5K Тип оборудования Количество контактов Модуль памяти DDR5 288-контактная Объем модуля памяти 24 Гб Количество модулей в комплекте Общий объем памяти 2 шт 48 ГБ Производительность Частота функционирования до 6800 МГц Стандарт памяти PC5-54400 (DDR5 6800 МГц) Пропускная способность памяти 54400 Мб/сек Латентность CL34 Тайминги 34-46-46-108 Конфигурация Поддержка ECC Зарегистрированный/ Небуферизованный Нет Небуферизованный Поддержка

Оперативная память ADATA XPG Lancer поколения DDR5 разработана специально для игровых систем и профессиональных рабочих станций. Она обеспечивает высокое быстродействие при обработке требовательных ресурсов. Набор представлен двумя модулями с объемом по 16 ГБ и частотой 6000 МГц. Поддержка Intel XMP предусматривает разгон платформы. Алюминиевый радиатор эффективно отводит тепло от чипов памяти и помогает предотвратить перегрев.

Оперативная память DDR2 (2GB), SODIMM - 667MHz Латентность: CL6. Напряжение питания: 1.8В

Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR4 Объем модуля 8 ГБ Количество контактов 288-pin Показатель скорости PC4-25600 Буферизация unbuffered Поддержка ECCВ не поддерживается СкоростьВ 3200МГц НапряжениеВ 1.2В Латентность CL22 Тип поставки OEM Вес упаковки (ед) 0.021 кг Гарантия 60 мес.

Базовая единица: шт Тип: DDR5 Форм-фактор: DIMM Количество модулей в комплекте: 2 шт. Объем одного модуля: 32 ГБ Тактовая частота: 6400 МГц Пропускная способность: PC51200 CL: 34 tRCD: 44 tRP: 44 Напряжение питания: 1.35 В Количество контактов: 288 Особенности: радиатор, XMP, игровая Линейка: T-Create Expert Упаковка чипов: односторонняя

Оперативная память Samsung - это высококачественный продукт, который обеспечивает высокую производительность и надежность работы вашего компьютера. Объем памяти составляет 8 ГБ, что позволяет быстро обрабатывать большие объемы данных. Тактовая частота составляет 1333 МГц, что обеспечивает быстрое чтение и запись данных. Оперативная память Samsung имеет высокую пропускную способность 10600, что гарантирует быструю передачу данных между процессором и памятью.

Общая информация Модель товараИнформацияРасширьте границы возможного с помощью памяти [Kingston FURY Renegade DDR5], разработанной для достижения высочайшей производительности на платформах DDR5 нового поколения. Улучшите свою систему с помощью сверхскоростной памяти с разгоном. Kingston FURY Renegade DDR5 отличается компактным черно-серебристым алюминиевым теплоотводом новой конструкции, дополняющим внешний вид новых сборок ПК.

тип DDR4, объем одного модуля 16 ГБ, тактовая частота 2666 МГц, форм-фактор DIMM, количество модулей в комплекте 1 шт, CL 19

32 Гб, 2 модуля DDR5, 48000 Мб/с, CL36-36-36-96, 1.35 В, XMP профиль, радиатор

Название товара: Комплект из 2-х модулей оперативной памяти; Назначение: для компьютера; Количество модулей памяти в комплекте: 2; Тип модуля памяти: DDR4; Объём: 16Gb; Объем одного модуля памяти: 8Gb; Форм-фактор: DIMM; Пропускная способность (Рабочая частота): PC4-26400 3300MHz; Особенности: NON-ECC; Код вендора: KF432C16RBAK2/16; Тайминги: 16-18-18; Латентность: CL16; Питание: 1.35 В; Охлаждение: Пассивное (радиатор на чипах)

Модуль памяти (оперативная память, RAM) Samsung SODIMM DDR3L 4Гб 1333 mhz Напряжение питания 1.35В PC3L-12800S

Activate to Precharge Delay (tRAS) - CAS Latency (CL) 22 масса(кг) 0.08 GTD Number 10005030/030523/3114996 GTIN 02772101075659 Cтрана-производитель корея, республика Партномер M391A4G43BB1-CWE RAS to CAS Delay (tRCD) - Row Precharge Delay (tRP) - Вес (грамм) - Высота (мм) - высота(см) 0.2 Габариты (мм) - гарантия 1 год длина(см) 15 Дополнительная информация - Количество контактов 288 Количество модулей в комплекте (шт) 1 Количество чипов на модуле - Линейка Нет масса(кг)

Оперативная память Atermiter 16 GB - это модуль памяти для компьютера, который позволяет увеличить скорость работы вашего ПК. Этот модуль оперативной памяти имеет высокую производительность и способен ускорить работу вашего компьютера в несколько раз. Он совместим с различными операционными системами и поддерживает различные типы материнских плат. Оперативная память Atermiter обеспечивает быструю загрузку приложений, плавное воспроизведение видео и быстрый доступ к файлам.

Модуль памяти - небольшая печатная плата, на которой размещены микросхемы запоминающего устройства, обычно ОЗУ. В зависимости от форм-фактора выводы могут реализовываться в виде штырьков располагаться в виде дорожек, подходящих к краю ножевого разъёма с одной стороны платы, либо двух. Оперативная память, или оперативное запоминающее устройство (ОЗУ) — временное хранилище для данных, необходимых для работы игр и программ.

D_HEIGHT 17 D_LENGTH 25.4 D_WIDTH 19.1 EANUPCCode 740617322255 Error-correcting code (ECC) Нет Буферизованная (Registered) Нет Объем, ГБ 16GB Рабочее напряжение, В 1.35V Тип DDR4 Форм-фактор 288-pin DIMM Частота, МГц 2666 MHz . adpar_property_list { width:100%; margin:0px 0px 0px; color:#555; } . adpar_property_list td { vertical-align: bottom; font-size:13px; vertical-align: top; background: url(images/dott. png)

Модуль памяти - небольшая печатная плата, на которой размещены микросхемы запоминающего устройства, обычно ОЗУ. В зависимости от форм-фактора выводы могут реализовываться в виде штырьков располагаться в виде дорожек, подходящих к краю ножевого разъёма с одной стороны платы, либо двух. Оперативная память, или оперативное запоминающее устройство (ОЗУ) — временное хранилище для данных, необходимых для работы игр и программ.

Основные характеристики - Назначение: стационарные (настольные) ПК - Объем модуля памяти: 16 Гб - Тип памяти: DDR4 - Частота памяти: 3600 МГц - Количество слотов памяти: 1 - Форм фактор поддерживаемой памяти: U-DIMM - Пропускная способность: 28800 Мб/с - Игровая память: да - Возможность разгона: да Модуль - Конструкция модуля памяти: односторонняя - Ранг модуля памяти: Single - Количество чипов модуля: 8 Тайминги - CAS Latency (CL): CL18 - RAS to CAS Delay (tRCD): 22 - Row Precharge Delay (tRP)

Оперативная память Hynix 4 ГБ DDR3 PC3-12800 1600 МГц - это модуль оперативной памяти для компьютера или ноутбука, который имеет емкость 4 ГБ и скорость передачи данных на уровне 1600 МГц. DDR3 - это третье поколение двухпортовой динамической случайной доступной памяти (SDRAM), которое обеспечивает более высокие скорости передачи данных и более эффективное энергопотребление по сравнению с более ранними поколениями оперативной памяти.

Линейка: ValueRAM Тип: DDR2 Форм-фактор: DIMM Количество модулей в комплекте: 1 шт. Объем одного модуля: 2 ГБ Тактовая частота: 800 МГц Пропускная способность: PC6400 CL: 6 tRCD: 6 tRP: 6 tRAS: 15 Количество чипов каждого модуля: 16 Напряжение питания: 1.8 В Количество рангов: 2 Количество контактов: 240 Упаковка чипов: двусторонняя

Оперативная память корпоративного класса для серверов