Модуль Памяти Corsair 32gb Ddr4 Vengeance Rgb Pro Heatspreader Cmw32gx4m4d3600c18

Память DDR4 SODIMM 8Gb, 2666MHz TESLA (TSLD4NB-2666-CL19-8G)

8 Гб, DDR4 DIMM, 23400 Мб/с, CL19, ECC, буферизованная

Activate to Precharge Delay (tRAS) - CAS Latency (CL) 22 масса(кг) 0.08 GTD Number 10005030/030523/3114996 GTIN 02772101075659 Cтрана-производитель корея, республика Партномер M391A4G43BB1-CWE RAS to CAS Delay (tRCD) - Row Precharge Delay (tRP) - Вес (грамм) - Высота (мм) - высота(см) 0.2 Габариты (мм) - гарантия 1 год длина(см) 15 Дополнительная информация - Количество контактов 288 Количество модулей в комплекте (шт) 1 Количество чипов на модуле - Линейка Нет масса(кг)

Оперативная память ENTADM DDR4 может обеспечить стабильное повышение производительности компьютера. Предусмотрены варианты модулей памяти объемом 4 ГБ / 8 ГБ / 16 ГБ / 32 ГБ, простота установки - просто подключи и играй, совместимость с материнскими платами Intel и AMD. 5 лет гарантии, бесплатная бессрочная техническая поддержка. (Если Вам нужна консультация по техническим вопросам, пожалуйста, свяжитесь с нами)

Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR4 Объем модуля 8 ГБ Количество контактов 288-pin Показатель скорости PC4-25600 Буферизация unbuffered Поддержка ECCВ не поддерживается СкоростьВ 3200МГц НапряжениеВ 1.2В Латентность CL22 Тип поставки OEM Вес упаковки (ед) 0.021 кг Гарантия 60 мес.

Оперативная память 8 ГБ 1 шт. Samsung DDR3 1600 SO-DIMM 8Gb 1.5v 2Rx8 PC3-12800S-11-11-F3 DDR3 1.5v SO-DIMM -подходит для процессоров: -подходит на модельный ряд 2010-2015й год иногда 2016 -Intel: i3-2го i3-3го (поколения) -Intel: i5-2го i5-3го (поколения) -Intel: i7-2го i7-3го (поколения) -AMD A8-3500M, A8-4500M, A10-4500M, A10-4600M, A10-5750M -если остались вопросы задайте, отвечу быстро.

Модель может не совпадать с той, что на фотографии. С такими параметрами у данного производителя может быть несколько моделей. Класс памяти: Для ноутбука Тип оперативной памяти: DDR3 Объём оперативной памяти: 8 Гб Частота оперативной памяти: 1600 МГц Кол-во модулей в комплекте: 1x8Gb Напряжение питания 1.5 В

Модуль памяти (оперативная память, RAM) Samsung SODIMM DDR3L 4Гб 1333 mhz Напряжение питания 1.35В PC3L-12800S

Оперативная память Kingston FURY Beast Black – комплект из двух модулей по 8 ГБ, в котором одновременно воплощены мощный вычислительный потенциал и стабильность функционирования. Память с частотой 3733 МГц обеспечивает быструю обработку требовательных ресурсов и плавное отображение динамичной картинки. На модулях размещены радиаторы из алюминия в классической расцветке, которые способствуют быстрому отведению тепла и предотвращают перегрев.

Артикул: 775-590 Оперативная память A-Data AX4U32008G16A-DCBK20 Ориентируясь на «геймеров, профессионалов киберспорта и технических энтузиастов», компания Adata представила под маркой XPG модули памяти Gammix D20. Серия XPG Gammix D20 включает модули памяти DDR4-3200, DDR4-3600 и DDR4-4133. Модули снабжены радиаторами черного или серого цвета, анодированная поверхность которых, по мнению производителя, вызывает ассоциации с оружием. Подсветки нет.

[Модуль памяти] AMD DDR4 DIMM 8GB R948G3206U2S-UO PC4-25600, 3200MHz R9 Gamers Series Black Activate to Precharge Delay (tRAS) - CAS Latency (CL) 16 масса(кг) 0.08 GTD Number 10005030/210623/3166103 GTIN 00000000000000 Cтрана-производитель тайвань (китай) Партномер R948G3206U2S-UO RAS to CAS Delay (tRCD) - Row Precharge Delay (tRP) - Вес (грамм) - Высота (мм) - высота(см) 0.1 Габариты (мм) - гарантия 1 год длина(см) 13.5 Дополнительная информация - Количество контактов 288 Количество модулей в комплекте (шт)

Категория: Proliant Memory Подкатегория: Genuine HP Memory Емкость: 512 MB Технология: DDR SDRAM Модель: 345112-851 Hewlett-Packard 413384-001 SPS-MEM DIMM

Общая информация Модель товараИнформацияРасширьте границы возможного с помощью памяти [Kingston FURY Renegade DDR5], разработанной для достижения высочайшей производительности на платформах DDR5 нового поколения. Улучшите свою систему с помощью сверхскоростной памяти с разгоном. Kingston FURY Renegade DDR5 отличается компактным черно-серебристым алюминиевым теплоотводом новой конструкции, дополняющим внешний вид новых сборок ПК.

Оперативная память AMD 64 Gb DIMM DDR4 3600 MHz R9 Gamers Series Black Gaming (R9S464G3606U2K)

Новая в уп. Используются чипы производства Samsung, Hynix, Micron Тип памяти: DDR3; Общий объём памяти, Гб: 4; Количество модулей: 1; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Форм-фактор: SO-DIMM ; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 11; Напряжение питания: 1.35 В; Количество ранков: 2; Количество чипов каждого модуля: 16, двусторонняя упаковка Оперативная память для ноутбука Kllisre

Серверная оперативная память ECC 3200Мгц 8Гб Не подходит на обычные десктопные компьютеры! Идеально подходит для материнских плат X99 и процессоров Xeon При производстве используются чипы производства Hynix, SEC (Samsung), Micron Радиатор на оперативной памяти увеличивает площадь поверхности, с которой рассеивается тепло- это очень важно для сброса лишнего тепла. Перегрев оперативной памяти чреват повреждениями, и ухудшением работы компьютера.

Модель R7432G2606S2S-U Количество контактов 260-pin Показатель скорости PC4-21300 Скорость (тест) 2666МГц Напряжение (тест) 1.2В Задержка (тест) 19-19-19-43 Латентность CL19 Бренд AMD PartNumber/Артикул Производителя R7432G2606S2S-U Количество чипов 16 Размер (модули памяти) 32768/2666 Вес упаковки (ед) 0.013 Серия Radeon R7 Performance Series Тип памяти DDR4 Объем 32768 Частотная спецификация 2666 Количество в упаковке 1 Тип поставки Ret Форм-фактор SO-DIMM Буферизация unbuffered EANCode 4897065183603 .

Комплект памяти DDR3 DIMM 8Gb (2x4Gb), 1600MHz BaseTech (BTD31600C11-4GN-K2)

Оперативная память корпоративного класса для серверов

Оперативная память с радиаторами игровая 3200Мгц обьемом 16Гб Используются чипы производства Hynix, SEC (Samsung), Micron и проходит через различные типы ручного тестирования, она в состоянии предоставить пользователям высокую производительностью и высокую стабильность работы системы в течении многолетнего периода. Радиатор на оперативной памяти увеличивает площадь поверхности, с которой рассеивается тепло- это очень важно для сброса лишнего тепла.