Комплект Памяти Ddr5 Dimm 32Гб (2Х16Гб) 5600mhz Cl40, Kingston Fury Beast Black Rgb Kf556c40bbak2-32

Hynix DDR3-1333 PC3-10600S 4Gb SODIMM 204PIN Модуль оперативной памяти для ноутбука Память от производителя Hynix объемом 4Гб. Память для ноутбука. Подробные характеристики данных модулей ищите в сети интернет. Также внимательно проверьте совместимость Вашего оборудования с данной памятью перед покупкой. Убедитесь, что Ваш ноутбук работает с данным типом памяти, а также поддерживает такой объем модуля. Вся память обязательно проверялась программой memtest перед размещением данного лота.

Комплект памяти DDR3 DIMM 8Gb (2x4Gb), 1600MHz BaseTech (BTD31600C11-4GN-K2)

Оперпамять Compit CMPTDDR416GBSD2666 DDR4 16GB SODIMM 2666MHz имеет 16-гигабайтовый модуль, высоту в 31.25 мм, ее отличает современный продуктивный тип DDR 4, обеспечивающий большую, по сравнению с DDR3 энергоэффективность и пропускную способность, так что даже в условиях многозадачности система гарантирует хороший отклик. На это же работает и диапазон рабочих частот до 2666 МГц. Энергопотребление с напряжением 1,2 В, без радиатора охлаждения так как исключён перегрев микросхем.

тип DDR4, объем одного модуля 8 ГБ, тактовая частота 2666 МГц

Тип: оперативная память; Цвет: черный

8 Гб, DDR4, 25600 Мб/с, 1.2 В

Чтобы сохранять лидерство, повысьте производительность своей системы на базе процессоров AMD или Intel с помощью ультрабыстродействующих модулей памяти Kingston FURYв„ў Renegade DDR4. Благодаря частоте до 5333 МГц и таймингам CL13 - CL20 вы сможете повысить частоту кадров, обеспечить плавность потокового видео и улучшить качество монтажа отснятого материала. Теплоотвод в агрессивном стильном черном цвете и соответствующая черная печатная плата PCB остудят пыл и вселят страх в сердца ваших врагов.

32 Гб, 2 модуля DDR5, 48000 Мб/с, CL36-36-36-96, 1.35 В, XMP профиль, радиатор

CAS Latency (CL) 40 масса(кг) 0.06 GTD Number 10005030/270423/3109674/1 GTIN 00649528905628 Cтрана-производитель Малайзия Партномер CT16G48C40U5 RAS to CAS Delay (tRCD) 39 Row Precharge Delay (tRP) 39 высота(см) 5 гарантия 1 год длина(см) 18 Дополнительная информация нет Количество модулей в комплекте (шт) 1 Линейка - масса(кг) 0.06 Модель CT16G48C40U5 Напряжение (В) 1.1 Низкопрофильная нет Общий объем памяти (ГБ) 16 Объем одного модуля (ГБ)

Соответствующая типу DDR4 оперативная память Patriot Signature Line PSD48G266681 выпускается в рамках широко известной одноименной производственной серии. Вы получите в свое распоряжение стабильно функционирующее устройство, демонстрирующее типовой уровень производительности. Память будет полезна потенциальным или настоящим владельцам системных блоков, ориентированных на решение универсальных задач.

Модуль памяти - небольшая печатная плата, на которой размещены микросхемы запоминающего устройства, обычно ОЗУ. В зависимости от форм-фактора выводы могут реализовываться в виде штырьков располагаться в виде дорожек, подходящих к краю ножевого разъёма с одной стороны платы, либо двух. Оперативная память, или оперативное запоминающее устройство (ОЗУ) — временное хранилище для данных, необходимых для работы игр и программ.

Модуль памяти (оперативная память, RAM) Samsung SODIMM DDR3 8Гб 1333 mhz PC3-10600 Парт номер: M471B1G73DB0-CK0 Напряжение питания 1.5 Вольта (Может использоваться в ноутбуках где стандарт DDR3 (без L) DDR3L память может использоваться вместо DDR3 (в свою очередь DDR3 вместо DDR3L использовать нельзя).

Бренд: G. SKILL Общий объём: 64 Гб Кол-во модулей: 2 Тип памяти: DDR5 Частота: 6800 МГц

Тип товара: Память (модули, комплекты); Модель: CD4-US04G26M19-01; Тип оборудования: Оперативная память; Частота (MHz): DDR4 - 2666; Тип модуля: DIMM; Объем одного модуля (ГБ): 4; Количество модулей в комплекте (шт): 1; Общий объем памяти (ГБ): 4; Пропускная способность (МБ/с): 21300.

desc: Тип памяти DDR2 Форм-фактор DIMM 240-контактный Тактовая частота 667 МГц Пропускная способность 5300 Мб/с Объем 1 модуль 512 Мб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile)

Модуль определения координат по спутникам GPS на чипе NEO-6M с керамической активной антенной. Интерфейс связи последовательный порт UART. Напряжение питания: 3В-5В; Последовательный порт, скорость связи по умолчанию 9600; Резервный аккумулятор; Светодиодный индикатор сигнала; Контакты: VCC, GND, TXD, RXD; Размеры антенны: 25 x 25 мм; Размеры модуля: 25 мм x 35 мм

Оперативная память DDR3 (8GB), SODIMM - 1600MHz Латентность: CL11. Напряжение питания: 1.5В

Память DDR4 SODIMM 8Gb, 2666MHz TESLA (TSLD4NB-2666-CL19-8G)

Старый ноутбук тормозит? Не справляется с текущими задачами? Один из способов повысить производительность - увеличить объём оперативной памяти. Модули памяти BillionReservoir BR-NB-8G-1600 отлично справятся с этой задачей. Кроме ноутбуков они подойдут к моноблокам, неттопам и мини ПК. Данная оперативная память является универсальной. Её можно использовать в устройствах, поддерживающих DDR3L SoDIMM (1,35 В) и DDR3 SoDIMM (1,5 В). Если установить 2 планки памяти, то они могут работать в двухканальном режиме.

Тип памяти: DDR4. Форм-фактор: DIMM. Суммарный объем: 8 ГБ. Тактовая частота: 4133 МГц. Профили Intel XMP: 4133 МГц (19-23-23). CAS Latency (CL): 19. RAS to CAS Delay (tRCD): 23. Row Precharge Delay (tRP): 23. Радиатор. Подсветка.