Скидка 35% на Модуль Памяти Kingston Dimm Ddr2, 4Гб, 667Мгц, Pc2-5300

Оперативная память Apacer AS08GGB32CSYBGH Тип памяти: Unbuffered Форм-фактор: SODIMM Стандарт памяти: DDR4 Объем одного модуля: 8, ГБ Количество модулей в комплекте: 1, шт Суммарный объем: 8, ГБ Эффективная частота: 3200, МГц Пропускная способность: 25600, Мб/с Поддержка ECC: Нет Низкопрофильная: Нет Количество ранков: 1 Количество контактов: 260 CAS Latency (CL)

4 Гб, DDR4, 19200 Мб/с, CL17, 1.2 В

desc: Тип памяти DDR2 Форм-фактор DIMM 240-контактный Тактовая частота 667 МГц Пропускная способность 5300 Мб/с Объем 1 модуль 512 Мб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile)

Оперативная память Samsung 8GB DDR3 1333MHz PC3-10600 M471B1G73DB0-CK0

Производитель G. Skill Серия RIPJAWS S5 Модель F5-6800J3446F24GX2-RS5K Тип оборудования Количество контактов Модуль памяти DDR5 288-контактная Объем модуля памяти 24 Гб Количество модулей в комплекте Общий объем памяти 2 шт 48 ГБ Производительность Частота функционирования до 6800 МГц Стандарт памяти PC5-54400 (DDR5 6800 МГц) Пропускная способность памяти 54400 Мб/сек Латентность CL34 Тайминги 34-46-46-108 Конфигурация Поддержка ECC Зарегистрированный/ Небуферизованный Нет Небуферизованный Поддержка

Оперативная память корпоративного класса для серверов

Модель может не совпадать с той, что на фотографии. С такими параметрами у данного производителя может быть несколько моделей. Класс памяти: Для ноутбука Тип оперативной памяти: DDR3 Объём оперативной памяти: 8 Гб Частота оперативной памяти: 1600 МГц Кол-во модулей в комплекте: 1x8Gb Напряжение питания 1.5 В

Название товара: Комплект из 2-х модулей оперативной памяти; Назначение: для компьютера; Количество модулей памяти в комплекте: 2; Тип модуля памяти: DDR4; Объём: 16Gb; Объем одного модуля памяти: 8Gb; Форм-фактор: DIMM; Пропускная способность (Рабочая частота): PC4-26400 3300MHz; Особенности: NON-ECC; Код вендора: KF432C16RBAK2/16; Тайминги: 16-18-18; Латентность: CL16; Питание: 1.35 В; Охлаждение: Пассивное (радиатор на чипах)

тип DDR4, объем одного модуля 8 ГБ, тактовая частота 2666 МГц

Оперативная память ENTADM DDR4 может обеспечить стабильное повышение производительности компьютера. Предусмотрены варианты модулей памяти объемом 4 ГБ / 8 ГБ / 16 ГБ / 32 ГБ, простота установки - просто подключи и играй, совместимость с материнскими платами Intel и AMD. 5 лет гарантии, бесплатная бессрочная техническая поддержка. (Если Вам нужна консультация по техническим вопросам, пожалуйста, свяжитесь с нами)

ОсновныеНаборНетОбъем2 ГБТипDDR3 SO-DIMMECCНетЧастота1600 МГцPC-индексPC3-12800CAS Latency11TНапряжение питания1.5 В Технические характеристикиПрофили XMPНетПрофили AMPНет КонструкцияОхлаждениеНетНизкопрофильный модульНет

Название Оперативная память Samsung DDR4 ECC RDIMM 8 Гб, 3200 МГц. Тип DDR4. Форм-фактор DIMM. Количество модулей в комплекте 1 шт. Объем одного модуля 8 ГБ. Тактовая частота 3200 МГц. Пропускная способность PC25600. CL 22. Напряжение питания 1.2 В. Количество рангов 1. Количество контактов 288. Особенности Registered. Гарантийный срок 1 г.

Артикул № 954362 Память Kingston FURY™ Beast DDR5 RGB стильно выглядит и позволяет выполнять разгон на игровых платформах нового поколения с помощью передовых технологий. Оцените непревзойденную скорость DDR5 благодаря удвоенному количеству блоков памяти и длительности импульсов. Яркая RGB-подсветка с возможностью настройки через ПО Kingston FURY CTRL, запатентованная технология Infrared Sync Technology™ и новый дизайн теплоотвода помогут вам выделиться как в игре, так и в реальной жизни.

Модуль памяти Samsung DDR3 8GB 2RX8 1600MHz 1.5V DIMM для ПК - это высококачественный продукт, который идеально подходит для использования в компьютерах. Он имеет высокую скорость передачи данных и низкое энергопотребление, что делает его идеальным выбором для тех, кто ищет производительность и надежность в своей системе. Samsung - известный бренд, который зарекомендовал себя как производитель высококачественной электроники.

[Модуль памяти] CBR DDR4 DIMM (UDIMM) 4GB CD4-US04G26M19-01 PC4-21300, 2666MHz, CL19, 1.2V Activate to Precharge Delay (tRAS) 43 CAS Latency (CL) 19 масса(кг) 0.017 GTD Number 10005030/230323/3072153/17 GTIN 06973720601779 Cтрана-производитель Китай Партномер CD4-US04G26M19-01 RAS to CAS Delay (tRCD) 19 Row Precharge Delay (tRP) 19 Вес (грамм) - Высота (мм) - высота(см) 5.5 Габариты (мм) - гарантия 3 года длина(см) 17 Дополнительная информация - Количество контактов 288 Количество модулей в комплекте (шт)

Модуль памяти - небольшая печатная плата, на которой размещены микросхемы запоминающего устройства, обычно ОЗУ. В зависимости от форм-фактора выводы могут реализовываться в виде штырьков располагаться в виде дорожек, подходящих к краю ножевого разъёма с одной стороны платы, либо двух. Оперативная память, или оперативное запоминающее устройство (ОЗУ) — временное хранилище для данных, необходимых для работы игр и программ.

Оперативная память ENTADM DDR4 может обеспечить стабильное повышение производительности компьютера. Предусмотрены варианты модулей памяти объемом 4 ГБ / 8 ГБ / 16 ГБ / 32 ГБ, простота установки - просто подключи и играй, совместимость с материнскими платами Intel и AMD. 5 лет гарантии, бесплатная бессрочная техническая поддержка. (Если Вам нужна консультация по техническим вопросам, пожалуйста, свяжитесь с нами)

Оперативная память 2 ГБ 1 шт. Hynix DDR2 800 SO-DIMM 2Gb Оперативная память DDR2 второго поколения вышла в продажу в 2003 году и отличается от оперативной памяти DDR удвоенной частотой пропускания, более совершенной конструкцией, способствующей лучшему охлаждению и меньшим энергопотреблением.

тип DDR4, объем одного модуля 16 ГБ, тактовая частота 2666 МГц, форм-фактор DIMM, количество модулей в комплекте 1 шт, CL 19

Модуль энергонезависимой памяти на базе микросхемы EEPROM AT24C08. Энергонезависимая электрически стираемая память. Емкость: 8Кб (1024 x 8)