Скидка 30% на Оперативная Память Samsung Ddr3 8gb 1600Мгц 2rx8 Pc3-12800u 15v Dimm Низкий Профиль 2

8 Гб, DDR4, 25600 Мб/с, 1.2 В

Модель KMKU8G8683600T4-R Количество контактов 288-pin Показатель скорости PC4-28800 Скорость (тест) 3600МГц Бренд KIMTIGO PartNumber/Артикул Производителя KMKU8G8683600T4-R Вес упаковки (ед) 0.03 Тип памяти DDR4 Объем 8192 Частотная спецификация 3600 Радиатор охлаждения ДА Количество в упаковке 1 Тип поставки Ret Форм-фактор DIMM Буферизация unbuffered EANCode 6924371292298 . adpar_property_list { width:100%; margin:0px 0px 0px; color:#555; } .

D_HEIGHT 8 D_LENGTH 32 D_WIDTH 19 EANUPCCode 740617319064 Error-correcting code (ECC) Нет Буферизованная (Registered) Нет Объем, ГБ 16GB Рабочее напряжение, В 1.35V Тип DDR4 Форм-фактор 288-pin DIMM Частота, МГц 3600 MHz . adpar_property_list { width:100%; margin:0px 0px 0px; color:#555; } . adpar_property_list td { vertical-align: bottom; font-size:13px; vertical-align: top; background: url(images/dott. png)

Производитель Thermaltake Модель Thermaltake TOUGHRAM RGB Код производителя R009R432GX2-3200C16A Тип памяти DDR4 Форм-фактор памяти DIMM Количество модулей в комплекте 2 шт Объем одного модуля памяти 32 ГБ Суммарный объем памяти всего комплекта 64 ГБ Тактовая частота 3200 МГц Пропускная способность 25600 МБ/с Регистровая память нет ECC-память нет Тайминги 16-18-18-36 CAS Latency (CL) 16 RAS to CAS Delay (tRCD) 18 тактов Row Precharge Delay (tRP) 18 тактов Active to Precharge Delay (tRAS)

Оперативная память ELPIDA DDR2 2GB 2Rx8 PC2-6400S-666 Оперативная память DDR2 второго поколения вышла в продажу в 2003 году и отличается от оперативной памяти DDR удвоеной частотой пропускания, более совершенной конструкцией, способствующей лучшему охлаждению и меньшим энергопотреблением. Данные платы состоят из 16 чипов памяти общим обьемом 2Gb от проверенного японского производителя Elpida и работают на частоте 800Mhz.

Оперпамять Compit CMPTDDR416GBD3200 DDR4 16GB DIMM 3200MHz имеет 16-гигабайтовый модуль, высоту в 31.25 мм, ее отличает современный продуктивный тип DDR 4, обеспечивающий большую, по сравнению с DDR3 энергоэффективность и пропускную способность, так что даже в условиях многозадачности система гарантирует хороший отклик. На это же работает и диапазон рабочих частот до 3200 МГц. Энергопотребление с напряжением 1,2 В, без радиатора охлаждения так как исключён перегрев микросхем.

[Модуль памяти] AMD DDR4 DIMM 8GB R948G3206U2S-UO PC4-25600, 3200MHz R9 Gamers Series Black Activate to Precharge Delay (tRAS) - CAS Latency (CL) 16 масса(кг) 0.08 GTD Number 10005030/210623/3166103 GTIN 00000000000000 Cтрана-производитель тайвань (китай) Партномер R948G3206U2S-UO RAS to CAS Delay (tRCD) - Row Precharge Delay (tRP) - Вес (грамм) - Высота (мм) - высота(см) 0.1 Габариты (мм) - гарантия 1 год длина(см) 13.5 Дополнительная информация - Количество контактов 288 Количество модулей в комплекте (шт)

Модуль памяти (оперативная память, RAM) для персонального компьютера Hynix DIMM DDR3 4Гб 1333 mhz. Напряжение питания 1.5V

Модуль памяти DDR5 ECC 8 Гб x 1 шт. PC5-44800 (DDR5 5600 МГц) Напряжение: 1.1 В (DDR5)

Оперативная память 8 ГБ 1 шт. Samsung DDR3 1600 SO-DIMM 8Gb 1.5v 2Rx8 PC3-12800S-11-11-F3 DDR3 1.5v SO-DIMM -подходит для процессоров: -подходит на модельный ряд 2010-2015й год иногда 2016 -Intel: i3-2го i3-3го (поколения) -Intel: i5-2го i5-3го (поколения) -Intel: i7-2го i7-3го (поколения) -AMD A8-3500M, A8-4500M, A10-4500M, A10-4600M, A10-5750M -если остались вопросы задайте, отвечу быстро.

Оперативная память ADATA XPG Lancer поколения DDR5 разработана специально для игровых систем и профессиональных рабочих станций. Она обеспечивает высокое быстродействие при обработке требовательных ресурсов. Набор представлен двумя модулями с объемом по 16 ГБ и частотой 6000 МГц. Поддержка Intel XMP предусматривает разгон платформы. Алюминиевый радиатор эффективно отводит тепло от чипов памяти и помогает предотвратить перегрев.

Тип памяти: DDR3; Общий объём памяти, Гб: 4; Тактовая частота: 1600 МГц; Форм-фактор: DIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered)

Оперативная память DDR2 (2GB), SODIMM - 667MHz Латентность: CL6. Напряжение питания: 1.8В

Оперативная память 2Gb DDR-II 800MHz AMD (R322G805U2S-UG)

Название товара: Оперативная память DDR3 4GB 1333MHz КINGSTON Модуль низкопрофильной памяти ValueRAM от КINGSTON обеспечивает непревзойденную производительность и легендарную надежность. Изготовленный в соответствии с мировыми стандартами качества, он обеспечивает высокую пропускную способность и стабильную работу. Характеристики товара: - Форм-фактор DIMM - Объем одного модуля 4 ГБ - Количество модулей в комплекте 1 шт - Тактовая частота 1333 Мгц - Пропускная способность 10 600 Мб/с - CL 9 tRCD 9 tRP 9

Оперативная память ADATA Gammix D30 привлекает внимание своим оригинальным дизайном радиаторов, которые быстро выводят тепло и защищают от перегрева. Этот комплект состоит из двух модулей по 8 ГБ каждый и имеет частоту 3200 МГц, что делает его отличным выбором для модернизации ПК и повышения производительности при выполнении требовательных задач. Кроме того, ADATA Gammix D30 поддерживает технологию разгона Intel XMP 2.0.

Артикул № 1016815 Память DDR5 серии Trident Z5 RGB предназначена для обеспечения сверхвысокой производительности на платформах DDR5. Благодаря изящному дизайну алюминиевого радиатора, память DDR5 DRAM серии Trident Z5 RGB является идеальным выбором для построения высокопроизводительной системы. Экстремальная производительность DDR5 Открывая новую эру производительности памяти со сверхбыстрыми скоростями передачи данных, Trident Z5 RGB создана в соответствии с высокими стандартами производительности и

Память DDR3 DIMM 4Gb, 1600MHz BaseTech (BTD31600C11-4GN)

Артикул № 1017203 ValueRAM Kingston – это модули памяти, изготовленные в соответствии с отраслевыми стандартами, обеспечивающие непревзойденную производительность и отличающиеся легендарной надежностью Kingston. Память ValueRAM – разумный выбор. DDR5 — это 5-е поколение синхронной динамической оперативной памяти с удвоенной скоростью передачи данных. Память DDR5 обладает новыми функциями для повышения производительности, снижения энергопотребления и более высокой целостности данных для вычислительных систем