Оперативная Память Ddr3l 8gb Для Компьютера, Ноутбука

ОсновныеНаборНетОбъем2 ГБТипDDR3 SO-DIMMECCНетЧастота1600 МГцPC-индексPC3-12800CAS Latency11TНапряжение питания1.5 В Технические характеристикиПрофили XMPНетПрофили AMPНет КонструкцияОхлаждениеНетНизкопрофильный модульНет

Основные характеристики - Назначение: стационарные (настольные) ПК - Общий объем модулей памяти: 32 Гб - Объем модуля памяти: 8 Гб - Тип памяти: DDR4 - Частота памяти: 2666 МГц - Количество слотов памяти: 4 - Форм фактор поддерживаемой памяти: U-DIMM - Пропускная способность: 21300 Мб/с - Игровая память: да - Возможность разгона: да Модуль - Конструкция модуля памяти: односторонняя - Ранг модуля памяти: Single - Количество чипов модуля: 8 Тайминги - CAS Latency (CL): CL16 - RAS to CAS Delay (tRCD)

Модуль памяти DDR4 8 Гб x 1 шт. PC4-32000 (DDR4 4000 МГц) Радиаторы на чипах памяти Напряжение: Напряжение памяти нестандартное

Модуль памяти Kingston KF432C16RBA/32 имеет тип памяти DDR4 и объем памяти 32 ГБ. Частота памяти модуля составляет 3200 МГц.

Оперативная память для ноутбука 2GB DDR2 SO-DIMM PC2-6400S 800MHz MT16HTF25664HY-800G1. Производится из высококачественных материалов, что гарантирует стабильную работу и высокий срок службы.

Модуль памяти (оперативная память, RAM) для персонального компьютера Samsung DIMM DDR3 8Гб 1333 mhz. 2 Штуки Напряжение питания 1.5V

Тип: модуль памяти Назначение: для хранения данных Тип памяти: DDR4 Форм-фактор: DIMM Объем одного модуля: 16 Гб Пропускная способность: 28800 Мб/с Поддержка ECC: нет Количество контактов: 288 CAS Latency (CL): 16 RAS to CAS Delay (tRCD): 20 Row Precharge Delay (tRP): 20 Количество ранков: 2 Activate to Precharge Delay (tRAS): 32 Поддержка XMP: да Напряжение питания: 1.35 В Тактовая частота: 3600 МГц Буферизованная (Registered)

Оперпамять Compit CMPTDDR416GBD3200 DDR4 16GB DIMM 3200MHz имеет 16-гигабайтовый модуль, высоту в 31.25 мм, ее отличает современный продуктивный тип DDR 4, обеспечивающий большую, по сравнению с DDR3 энергоэффективность и пропускную способность, так что даже в условиях многозадачности система гарантирует хороший отклик. На это же работает и диапазон рабочих частот до 3200 МГц. Энергопотребление с напряжением 1,2 В, без радиатора охлаждения так как исключён перегрев микросхем.

Бренд: KINGSTON Общий объём: 32 Гб Кол-во модулей: 1 Тип памяти: DDR4 Частота: 3200 МГц

Модуль памяти - небольшая печатная плата, на которой размещены микросхемы запоминающего устройства, обычно ОЗУ. В зависимости от форм-фактора выводы могут реализовываться в виде штырьков располагаться в виде дорожек, подходящих к краю ножевого разъёма с одной стороны платы, либо двух. Оперативная память, или оперативное запоминающее устройство (ОЗУ) — временное хранилище для данных, необходимых для работы игр и программ.

Артикул № 954362 Память Kingston FURY™ Beast DDR5 RGB стильно выглядит и позволяет выполнять разгон на игровых платформах нового поколения с помощью передовых технологий. Оцените непревзойденную скорость DDR5 благодаря удвоенному количеству блоков памяти и длительности импульсов. Яркая RGB-подсветка с возможностью настройки через ПО Kingston FURY CTRL, запатентованная технология Infrared Sync Technology™ и новый дизайн теплоотвода помогут вам выделиться как в игре, так и в реальной жизни.

Память DDR4 SODIMM 8Gb, 2666MHz TESLA (TSLD4NB-2666-CL19-8G)

Чтобы сохранять лидерство, повысьте производительность своей системы на базе процессоров AMD или Intel с помощью ультрабыстродействующих модулей памяти Kingston FURY™ Renegade DDR4. Благодаря частоте до 5333 МГц и таймингам CL13 - CL20 вы сможете повысить частоту кадров, обеспечить плавность потокового видео и улучшить качество монтажа отснятого материала. Теплоотвод в агрессивном стильном черном цвете и соответствующая черная печатная плата PCB остудят пыл и вселят страх в сердца ваших врагов.

DDR4, 16 Гб (3200 МГц), модулей 1 • SODIMM

Название товара: Модуль оперативной памяти; Назначение: для компьютера; Количество модулей памяти в комплекте: 1; Тип модуля памяти: DDR4; Объём: 16Gb; Объем одного модуля памяти: 16Gb; Форм-фактор: DIMM; Пропускная способность (Рабочая частота): PC4-21300 2666MHz; Особенности: NON-ECC; Код вендора: KF426C13RB1/16; Тайминги: 13-15-15; Латентность: CL13; Питание: 1.35 В; Охлаждение: Пассивное (радиатор на чипах)

8 Гб, DDR4, 25600 Мб/с, 1.2 В

Техническое описание Тип: оперативная память Стандарт: DDR4 Форм-фактор: DIMM Объем одного модуля: 8 ГБ Количество модулей в комплекте: 1 шт. Суммарный объем: 8 ГБ Эффективная частота: 3200 МГц Пропускная способность: 25600 Мб/с Поддержка ECC: нет Буферизованная (регистровая): нет Низкопрофильная: нет Количество контактов: 288 Тайминги CAS Latency (CL): 22 Напряжение питания: 1.2 В Максимальная выделяемая мощность: 3 Вт Нормальная операционная температура (Tcase)

Модель KMKU8G8683600T4-R Количество контактов 288-pin Показатель скорости PC4-28800 Скорость (тест) 3600МГц Бренд KIMTIGO PartNumber/Артикул Производителя KMKU8G8683600T4-R Вес упаковки (ед) 0.03 Тип памяти DDR4 Объем 8192 Частотная спецификация 3600 Радиатор охлаждения ДА Количество в упаковке 1 Тип поставки Ret Форм-фактор DIMM Буферизация unbuffered EANCode 6924371292298 . adpar_property_list { width:100%; margin:0px 0px 0px; color:#555; } .

16 Гб, DDR4, 25600 Мб/с, CL22, 1.2 В

Модуль памяти Hynix — это один из элементов без которых не обойдётся ни один компьютер. От объёма оперативной памяти напрямую зависит скорость и быстродействие ПК. Представленная вашему вниманию модель функционирует на частоте 2666 МГц, благодаря чему она и обладает превосходными техническими характеристиками. Стандарт памяти DDR4 PC4-21300. Цена оперативной памяти указана на данной странице.

Модуль памяти Corsair Venegance CMK64GX5M2B5200C40 представляет собой высокопроизводительный комплект из двух модулей DDR5 объемом по 32 ГБ каждый, общим объемом 64 ГБ. Модули памяти разработаны для использования современными процессорами Intel и AMD, а также платами с чипсетами, поддерживающими стандарт DDR5. Эти модули имеют тактовую частоту 5200 МГц, что обеспечивает высокую скорость передачи данных и позволяет работать с большим объемом информации.