Скидка 49% на Оперативная Память Micron Ddr 3 Sodimm 8gb 1,35v 1600mhz Для Ноутбука

Оперативная память WEIMU серии Green стандарта DIMM DDR3 и модулями по 8 Гб, подойдет как для комплектации игрового системного блока, так и для рабочей станции. Они совместимы с абсолютным большинством комплектующих и обладают самой универсальной частотой для памяти этого поколения - 1600 МГц. Модули создаются при сотрудничестве с мировыми лидерами производства чипов памяти - Samsung, Hynix, Micron. Характеристики: Тип - DDR3 Форм фактор - DIMM (для системного блока)

Тип товара: Память (модули, комплекты); Модель: CD4-US04G26M19-01; Тип оборудования: Оперативная память; Частота (MHz): DDR4 - 2666; Тип модуля: DIMM; Объем одного модуля (ГБ): 4; Количество модулей в комплекте (шт): 1; Общий объем памяти (ГБ): 4; Пропускная способность (МБ/с): 21300.

Оперативная память корпоративного класса для серверов

Модуль памяти - небольшая печатная плата, на которой размещены микросхемы запоминающего устройства, обычно ОЗУ. В зависимости от форм-фактора выводы могут реализовываться в виде штырьков располагаться в виде дорожек, подходящих к краю ножевого разъёма с одной стороны платы, либо двух. Оперативная память, или оперативное запоминающее устройство (ОЗУ) — временное хранилище для данных, необходимых для работы игр и программ.

Activate to Precharge Delay (tRAS) - CAS Latency (CL) 19 масса(кг) 0.017 GTD Number 10005030/210623/3165485/028 GTIN 00000000000000 Cтрана-производитель Вьетнам Партномер M378A1G44AB0-CWE RAS to CAS Delay (tRCD) 19 Row Precharge Delay (tRP) 19 Вес (грамм) - Высота (мм) 32 высота(см) 0.3 Габариты (мм) - гарантия 1 год длина(см) 13.2 Дополнительная информация - Количество контактов 288 Количество модулей в комплекте (шт) 1 Количество чипов на модуле - Компоновка чипов на модуле - Линейка - масса(кг)

Тип: модуль памяти Назначение: для хранения данных Тип памяти: DDR4 Форм-фактор: DIMM Объем одного модуля: 16 Гб Пропускная способность: 28800 Мб/с Поддержка ECC: нет Количество контактов: 288 CAS Latency (CL): 16 RAS to CAS Delay (tRCD): 20 Row Precharge Delay (tRP): 20 Количество ранков: 2 Activate to Precharge Delay (tRAS): 32 Поддержка XMP: да Напряжение питания: 1.35 В Тактовая частота: 3600 МГц Буферизованная (Registered)

объем памяти: 4 ГБ тип: DDR3 DIMM 240-pin тактовая частота: 1600 МГц тайминги: 11-11-11-30 напряжение питания: 1.5 В пропускная способность: PC12800

Hynix DDR3-1333 PC3-10600S 4Gb SODIMM 204PIN Модуль оперативной памяти для ноутбука Память от производителя Hynix объемом 4Гб. Память для ноутбука. Подробные характеристики данных модулей ищите в сети интернет. Также внимательно проверьте совместимость Вашего оборудования с данной памятью перед покупкой. Убедитесь, что Ваш ноутбук работает с данным типом памяти, а также поддерживает такой объем модуля. Вся память обязательно проверялась программой memtest перед размещением данного лота.

Артикул № 954362 Память Kingston FURY™ Beast DDR5 RGB стильно выглядит и позволяет выполнять разгон на игровых платформах нового поколения с помощью передовых технологий. Оцените непревзойденную скорость DDR5 благодаря удвоенному количеству блоков памяти и длительности импульсов. Яркая RGB-подсветка с возможностью настройки через ПО Kingston FURY CTRL, запатентованная технология Infrared Sync Technology™ и новый дизайн теплоотвода помогут вам выделиться как в игре, так и в реальной жизни.

D_HEIGHT 21.1 D_LENGTH 34.4 D_WIDTH 30.7 EANUPCCode 4711085931467 Error-correcting code (ECC) Нет Буферизованная (Registered) Нет Комплектующие для Ноутбук Конфигурация памяти (модули х емкость) 1 x 16 GB Объем, ГБ 16 GB Рабочее напряжение, В 1.2 V Тип DDR4 Форм-фактор 260-pin SO-DIMM Частота, МГц 2666 MHz . adpar_property_list { width:100%; margin:0px 0px 0px; color:#555; } . adpar_property_list td { vertical-align: bottom; font-size:13px; vertical-align: top; background: url(images/dott.

Оперативная память 8 ГБ 1 шт. Samsung DDR3 1600 SO-DIMM 8Gb 1.5v 2Rx8 PC3-12800S-11-11-F3 DDR3 1.5v SO-DIMM -подходит для процессоров: -подходит на модельный ряд 2010-2015й год иногда 2016 -Intel: i3-2го i3-3го (поколения) -Intel: i5-2го i5-3го (поколения) -Intel: i7-2го i7-3го (поколения) -AMD A8-3500M, A8-4500M, A10-4500M, A10-4600M, A10-5750M -если остались вопросы задайте, отвечу быстро.

Оперативная память DDR3 (8GB), DIMM - 1333MHz Латентность: CL9. Напряжение питания: 1.5 В

Модуль памяти (оперативная память, RAM) для персонального компьютера Samsung DIMM DDR3 8Гб 1333 mhz. 2 Штуки Напряжение питания 1.5V

Чтобы сохранять лидерство, повысьте производительность своей системы на базе процессоров AMD или Intel с помощью ультрабыстродействующих модулей памяти Kingston FURYв„ў Renegade DDR4. Благодаря частоте до 5333 МГц и таймингам CL13 - CL20 вы сможете повысить частоту кадров, обеспечить плавность потокового видео и улучшить качество монтажа отснятого материала. Теплоотвод в агрессивном стильном черном цвете и соответствующая черная печатная плата PCB остудят пыл и вселят страх в сердца ваших врагов.

Kingston FURY Impact KF426S15IB/8С модулями памяти Kingston FURY™ Impact DDR4 SODIMM ваш ноутбук или ПК получат все необходимые ресурсы для повышения скорости работы. Модули памяти FURY Impact DDR4, поддерживающие процессоры AMD Ryzen™ и профили памяти Intel® XMP, имеющие сертификат XMP и предлагаемые в комплектах емкостью до 64 ГБ, включают инновационную технологию разгона памяти Plug N Play от компании Kingston, которая автоматически задействует заданные на заводе-изготовителе частоту и тайминги

Модуль памяти Patriot Memory DDR3 SO-DIMM 1600Mhz PC3-12800 CL11 - 4Gb PSD34G1600L81S

Оперативная память 4Gb (1x4Gb) PC3-12800 1600MHz DDR3 DIMM CL11 Apacer AU04GFA60CATBGJ

DDR4, объём: 1 модуль на 8Gb, тактовая частота: 3200 MHz, форм-фактор: DIMM 288-контактный, скорость: PC-25600, поддержка ECC: нет, Low Profile: нет, Registered: нет, XMP: есть, R019D408GX1-3200C16S

Название товара: Модуль оперативной памяти; Назначение: для ноутбука; Количество модулей памяти в комплекте: 1; Тип модуля памяти: DDR4; Объём: 4Gb; Форм-фактор: SO-DIMM; Пропускная способность (Рабочая частота)