Оперативная Память Ocpc Ddr4 Xt Ii 16gb (8gbx2) 4000mhz Cl19, Black (Mmx2k16gd440c19)

Модуль памяти DDR4 8GB Hynix original HMAA1GU6CJR6N-XN PC4-25600 3200MHz 1.2V OEM

Новая в уп. Используются чипы производства Samsung, Hynix, Micron Тип памяти: DDR3; Общий объём памяти, Гб: 8; Количество модулей: 1; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Форм-фактор: SO-DIMM ; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 11; Напряжение питания: 1.5 В; Количество ранков: 2; Количество чипов каждого модуля: 16, двусторонняя упаковка Оперативная память для ноутбука Kllisre

Модуль памяти - небольшая печатная плата, на которой размещены микросхемы запоминающего устройства, обычно ОЗУ. В зависимости от форм-фактора выводы могут реализовываться в виде штырьков располагаться в виде дорожек, подходящих к краю ножевого разъёма с одной стороны платы, либо двух. Оперативная память, или оперативное запоминающее устройство (ОЗУ) — временное хранилище для данных, необходимых для работы игр и программ.

Оперативная память AMD 32 Gb DIMM DDR4 3200 MHz R9 Gamers Series Black Gaming (R9S432G3206U2S)

Данный тестер позволяет проверить цепи между слотом оперативной памяти и процессором. Это вторая версия тестера, и в отличие от первой она реверсированная. Красные светодиоды горят только в случае неисправности линии. (Или если тестер включен вне разъёма) При помощи батарейки СR2032 через процессор пропускается слабый ток, и если линия целая, то ток возвращается в тестер и гасит светодиод, отвечающий за эту линию. Светодиоды могут гореть в случае, если неисправность в процессоре.

Данные появятся в скором времени

Модуль оперативной памяти 4x16ГБ DDR4 SDRAM Kingston FURY Beast KF426C16BB1K4/64 (PC21300, 2666МГц, CL16) (ret)

Kingston FURY Beast RGB KF432C16BBAK2/16Модуль памяти Kingston FURY™ Beast DDR4 RGB помогает выразить свой стиль и обеспечивает повышение производительности благодаря частоте до 3733 МГц, агрессивному дизайну и RGB-подсветке по всей длине модуля, которая обеспечивает плавные, потрясающие световые эффекты. Этот великолепный и экономный вариант модернизации имеет рабочие частоты 2666 - 3733 МГц, значения латентности CL15 - 19, а также емкость одиночных модулей 8 - 32 ГБ и комплектов 16 - 128 ГБ.

Назначение: для системного блока Тип поставки: один модуль 1x16Гб Тип памяти: DDR4 Форм-фактор: DIMM 288-контактный Тактовая частота:3200 МГц Пропускная способность:25600 Мб/с Поддержка ECC: нет Буферизованная: нет Латентность: CL16 Тайминги:16-20-20 Подсветка: нет Объем одного модуля:16 Гб Кол-во модулей в упаковке:1 шт.

[Модуль памяти] AMD DDR4 DIMM 8GB R948G3206U2S-UO PC4-25600, 3200MHz R9 Gamers Series Black Activate to Precharge Delay (tRAS) - CAS Latency (CL) 16 масса(кг) 0.08 GTD Number 10005030/210623/3166103 GTIN 00000000000000 Cтрана-производитель тайвань (китай) Партномер R948G3206U2S-UO RAS to CAS Delay (tRCD) - Row Precharge Delay (tRP) - Вес (грамм) - Высота (мм) - высота(см) 0.1 Габариты (мм) - гарантия 1 год длина(см) 13.5 Дополнительная информация - Количество контактов 288 Количество модулей в комплекте (шт)

Оперативная память для ноутбука SODIMM DDR4 16Гб Samsung M474A2K43DB1-CVF non-ECC 2933MHz (PC-23400) 260pin, 1.2V, Retail

[Модуль памяти] CBR DDR4 DIMM (UDIMM) 4GB CD4-US04G26M19-01 PC4-21300, 2666MHz, CL19, 1.2V Activate to Precharge Delay (tRAS) 43 CAS Latency (CL) 19 масса(кг) 0.017 GTD Number 10005030/230323/3072153/17 GTIN 06973720601779 Cтрана-производитель Китай Партномер CD4-US04G26M19-01 RAS to CAS Delay (tRCD) 19 Row Precharge Delay (tRP) 19 Вес (грамм) - Высота (мм) - высота(см) 5.5 Габариты (мм) - гарантия 3 года длина(см) 17 Дополнительная информация - Количество контактов 288 Количество модулей в комплекте (шт)

Тип: модуль памяти Назначение: для хранения данных Тип памяти: DDR4 Форм-фактор: DIMM Объем одного модуля: 16 Гб Пропускная способность: 28800 Мб/с Поддержка ECC: нет Количество контактов: 288 CAS Latency (CL): 16 RAS to CAS Delay (tRCD): 20 Row Precharge Delay (tRP): 20 Количество ранков: 2 Activate to Precharge Delay (tRAS): 32 Поддержка XMP: да Напряжение питания: 1.35 В Тактовая частота: 3600 МГц Буферизованная (Registered)

Модель KMLS8G4664800 Количество контактов 262-pin Показатель скорости PC5-38400 Скорость (тест) 4800МГц Бренд KIMTIGO PartNumber/Артикул Производителя KMLS8G4664800 Тип памяти DDR5 Объем 8192 Частотная спецификация 4800 Количество в упаковке 1 Тип поставки Ret Форм-фактор SO-DIMM Буферизация unbuffered EANCode 6924371292243 . adpar_property_list { width:100%; margin:0px 0px 0px; color:#555; } .

Тип памяти: Unbuffered Форм-фактор: DIMM Стандарт памяти: DDR4 Объем одного модуля: 16 ГБ Количество модулей в комплекте: 1 шт Суммарный объем: 16 ГБ Эффективная частота: 2666 МГц Пропускная способность: 21300 Мб/с Поддержка ECC: Нет Низкопрофильная: Нет Количество чипов на модуле: 16 шт Количество контактов: 288 CAS Latency (CL): 16 RAS to CAS Delay (tRCD): 18 Row Precharge Delay (tRP): 18 Activate to Precharge Delay (tRAS)

8 Гб, DDR4, 25600 Мб/с, 1.2 В

Оперативная память Samsung M393AAG40M32-CAE с объемом 128 гигабайт и частотой 3200 мегагерц - это отличный выбор для тех, кто ищет надежную и быструю память для своего сервера. Этот модуль памяти имеет форм-фактор DIMM и может быть использован для установки в различные типы материнских плат. · Преимущества: · ▶ Поддержка технологии ECC - обеспечивает дополнительную защиту от ошибок и сбоев при передаче данных.

Модуль памяти Corsair Venegance CMK64GX5M2B5200C40 представляет собой высокопроизводительный комплект из двух модулей DDR5 объемом по 32 ГБ каждый, общим объемом 64 ГБ. Модули памяти разработаны для использования современными процессорами Intel и AMD, а также платами с чипсетами, поддерживающими стандарт DDR5. Эти модули имеют тактовую частоту 5200 МГц, что обеспечивает высокую скорость передачи данных и позволяет работать с большим объемом информации.

Основные характеристикиПроизводительTESLAТипDDR3Форм-факторDIMMКомплектностьКомплект памятиКоличество модулей в комплекте2Объем одного модуля8 ГбОбщий объем памяти16 ГбТактовая частота1600 MHzCL11Напряжение питанияНапряжение питания1.35 В

Оперативная память для ноутбуков, моноблоков и других устройств в разъемом So-Dimm

Название Оперативная память Kimtigo DDR3L 1600 МГц CL11 (KMTS8GF581600). Категория Модули памяти. Описание типDDR3L, объем одного модуля8 ГБ, объем одного модуля (точно)8 ГБ, тактовая частота1600 МГц, форм-факторSODIMM, количество модулей в комплекте1 шт, CL11. Тип DDR3L. Форм-фактор SODIMM. Количество модулей в комплекте 1 шт. Объем одного модуля 8 ГБ. Тактовая частота 1600 МГц. Пропускная способность PC12800. CL 11. Количество контактов 204.