Оперативная Память Team Group Teamgroup Ddr5 64gb (2x32gb) 6400mhz Pc-51200 T-Create Expert Cl34 135v (Ctced564g6400hc34bdc01)

Новая в уп. Используются чипы производства Samsung, Hynix, Micron Тип памяти: DDR3; Общий объём памяти, Гб: 8; Количество модулей: 1; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Форм-фактор: SO-DIMM ; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 11; Напряжение питания: 1.5 В; Количество ранков: 2; Количество чипов каждого модуля: 16, двусторонняя упаковка Оперативная память для ноутбука Kllisre

Оперативная память ADATA 16Gb DDR4 3200MHz [AX4U320016G16A-SBKD35G

Назначение: для настольных ПК Тип памяти: DDR4 Форм-фактор: DIMM Объем одного модуля: 32 ГБ Поддержка ECC: нет CAS Latency (CL): 16 Радиатор: Да Тактовая частота: 3200 МГц Буферизованная (Registered)

Модуль памяти fl1333d3u9-1G, DDR3, 1 Гб На все наши товары действует гарантия 1 год от нашего магазина.

Память DDR4 SODIMM 8Gb, 2666MHz TESLA (TSLD4NB-2666-CL19-8G)

Оперативная память WEIMU серии Green стандарта DIMM DDR3 и модулями по 8 Гб, подойдет как для комплектации игрового системного блока, так и для рабочей станции. Они совместимы с абсолютным большинством комплектующих и обладают самой универсальной частотой для памяти этого поколения - 1600 МГц. Модули создаются при сотрудничестве с мировыми лидерами производства чипов памяти - Samsung, Hynix, Micron. Характеристики: Тип - DDR3 Форм фактор - DIMM (для системного блока)

Оперативная память Samsung - это высококачественный продукт, который обеспечивает высокую производительность и надежность работы вашего компьютера. Объем памяти составляет 8 ГБ, что позволяет быстро обрабатывать большие объемы данных. Тактовая частота составляет 1333 МГц, что обеспечивает быстрое чтение и запись данных. Оперативная память Samsung имеет высокую пропускную способность 10600, что гарантирует быструю передачу данных между процессором и памятью.

Модель KMLS8G4664800 Количество контактов 262-pin Показатель скорости PC5-38400 Скорость (тест) 4800МГц Бренд KIMTIGO PartNumber/Артикул Производителя KMLS8G4664800 Тип памяти DDR5 Объем 8192 Частотная спецификация 4800 Количество в упаковке 1 Тип поставки Ret Форм-фактор SO-DIMM Буферизация unbuffered EANCode 6924371292243 . adpar_property_list { width:100%; margin:0px 0px 0px; color:#555; } .

Внимание! Товар продается комплектом:[Модуль памяти Netac DDR3 DIMM 8Gb 1600Mhz, (NTBSD3P16SP-08) CL11] X 5 шт. Оперативная память Netac 8 ГБ NTBSD3P16SP-08 (DIMM DDR3) Внешний вид и/или характеристики товара могут быть изменены производителем в соответствии с производственным процессом.

Линейка: ValueRAM Тип: DDR2 Форм-фактор: DIMM Количество модулей в комплекте: 1 шт. Объем одного модуля: 2 ГБ Тактовая частота: 800 МГц Пропускная способность: PC6400 CL: 6 tRCD: 6 tRP: 6 tRAS: 15 Количество чипов каждого модуля: 16 Напряжение питания: 1.8 В Количество рангов: 2 Количество контактов: 240 Упаковка чипов: двусторонняя

тип DDR4, объем одного модуля 8 ГБ, тактовая частота 2666 МГц

Название товара: Комплект из 2-х модулей оперативной памяти; Назначение: для компьютера; Количество модулей памяти в комплекте: 2; Тип модуля памяти: DDR4; Объём: 16Gb; Объем одного модуля памяти: 8Gb; Форм-фактор: DIMM; Пропускная способность (Рабочая частота): PC4-26400 3300MHz; Особенности: NON-ECC; Код вендора: KF432C16RBAK2/16; Тайминги: 16-18-18; Латентность: CL16; Питание: 1.35 В; Охлаждение: Пассивное (радиатор на чипах)

Данный тестер позволяет проверить цепи между слотом оперативной памяти и процессором. Это вторая версия тестера, и в отличие от первой она реверсированная. Красные светодиоды горят только в случае неисправности линии. (Или если тестер включен вне разъёма) При помощи батарейки СR2032 через процессор пропускается слабый ток, и если линия целая, то ток возвращается в тестер и гасит светодиод, отвечающий за эту линию. Светодиоды могут гореть в случае, если неисправность в процессоре.

Модуль памяти DDR4 32 Гб x 2 шт. PC4-32000 (DDR4 4000 МГц) Радиаторы на чипах памяти Напряжение: Напряжение памяти нестандартное

Оперативная память AMD 64 Gb DIMM DDR4 3600 MHz R9 Gamers Series Black Gaming (R9S464G3606U2K)

Оперативная память Hynix 4 ГБ DDR3 PC3-12800 1600 МГц - это модуль оперативной памяти для компьютера или ноутбука, который имеет емкость 4 ГБ и скорость передачи данных на уровне 1600 МГц. DDR3 - это третье поколение двухпортовой динамической случайной доступной памяти (SDRAM), которое обеспечивает более высокие скорости передачи данных и более эффективное энергопотребление по сравнению с более ранними поколениями оперативной памяти.

Артикул № 1017203 ValueRAM Kingston – это модули памяти, изготовленные в соответствии с отраслевыми стандартами, обеспечивающие непревзойденную производительность и отличающиеся легендарной надежностью Kingston. Память ValueRAM – разумный выбор. DDR5 — это 5-е поколение синхронной динамической оперативной памяти с удвоенной скоростью передачи данных. Память DDR5 обладает новыми функциями для повышения производительности, снижения энергопотребления и более высокой целостности данных для вычислительных систем

Артикул № 992677 Модули памяти Kingston FURY Beast Black обеспечивают высокие технологии для игровых платформ последнего поколения. Память DDR5, отличающаяся более высокой скоростью, емкостью и надежностью, поставляется с набором расширенных функций, таких как накристальная функция обнаружения и исправления ошибок (ODECC) для повышения стабильности на экстремальных скоростях, два 32-битных подканала для повышения эффективности и встроенная в модуль интегральная микросхема управления питанием для подачи

Тип товара: Память (модули, комплекты); Модель: CD4-US04G26M19-01; Тип оборудования: Оперативная память; Частота (MHz): DDR4 - 2666; Тип модуля: DIMM; Объем одного модуля (ГБ): 4; Количество модулей в комплекте (шт): 1; Общий объем памяти (ГБ): 4; Пропускная способность (МБ/с): 21300.

D_HEIGHT 17 D_LENGTH 25.4 D_WIDTH 19.1 EANUPCCode 740617322255 Error-correcting code (ECC) Нет Буферизованная (Registered) Нет Объем, ГБ 16GB Рабочее напряжение, В 1.35V Тип DDR4 Форм-фактор 288-pin DIMM Частота, МГц 2666 MHz . adpar_property_list { width:100%; margin:0px 0px 0px; color:#555; } . adpar_property_list td { vertical-align: bottom; font-size:13px; vertical-align: top; background: url(images/dott. png)

[Модуль памяти] CBR DDR4 DIMM (UDIMM) 4GB CD4-US04G26M19-01 PC4-21300, 2666MHz, CL19, 1.2V Activate to Precharge Delay (tRAS) 43 CAS Latency (CL) 19 масса(кг) 0.017 GTD Number 10005030/230323/3072153/17 GTIN 06973720601779 Cтрана-производитель Китай Партномер CD4-US04G26M19-01 RAS to CAS Delay (tRCD) 19 Row Precharge Delay (tRP) 19 Вес (грамм) - Высота (мм) - высота(см) 5.5 Габариты (мм) - гарантия 3 года длина(см) 17 Дополнительная информация - Количество контактов 288 Количество модулей в комплекте (шт)