Скидка 9% на Оперативная Память Amd Radeon R9s464g3606u2k

Производитель Thermaltake Модель Thermaltake TOUGHRAM RGB Код производителя R009R432GX2-3200C16A Тип памяти DDR4 Форм-фактор памяти DIMM Количество модулей в комплекте 2 шт Объем одного модуля памяти 32 ГБ Суммарный объем памяти всего комплекта 64 ГБ Тактовая частота 3200 МГц Пропускная способность 25600 МБ/с Регистровая память нет ECC-память нет Тайминги 16-18-18-36 CAS Latency (CL) 16 RAS to CAS Delay (tRCD) 18 тактов Row Precharge Delay (tRP) 18 тактов Active to Precharge Delay (tRAS)

8 Гб, DDR4, 25600 Мб/с, CL16, 1.35 В, XMP профиль, радиатор, подсветка

Название Оперативная память Kimtigo DDR3L 1600 МГц CL11 (KMTS8GF581600). Категория Модули памяти. Описание типDDR3L, объем одного модуля8 ГБ, объем одного модуля (точно)8 ГБ, тактовая частота1600 МГц, форм-факторSODIMM, количество модулей в комплекте1 шт, CL11. Тип DDR3L. Форм-фактор SODIMM. Количество модулей в комплекте 1 шт. Объем одного модуля 8 ГБ. Тактовая частота 1600 МГц. Пропускная способность PC12800. CL 11. Количество контактов 204.

D_HEIGHT 12 D_LENGTH 0.2 D_WIDTH 16.7 EANUPCCode 6926337235332 Error-correcting code (ECC) Нет Буферизованная (Registered) Нет Объем, ГБ 16 GB Рабочее напряжение, В 1.1 V Тип DDR5 Форм-фактор 288-pin DIMM Частота, МГц 4800 MHz . adpar_property_list { width:100%; margin:0px 0px 0px; color:#555; } . adpar_property_list td { vertical-align: bottom; font-size:13px; vertical-align: top; background: url(images/dott. png)

Модуль памяти (оперативная память, RAM) Samsung SODIMM DDR3 8Гб 1333 mhz PC3-10600 Парт номер: M471B1G73DB0-CK0 Напряжение питания 1.5 Вольта (Может использоваться в ноутбуках где стандарт DDR3 (без L) DDR3L память может использоваться вместо DDR3 (в свою очередь DDR3 вместо DDR3L использовать нельзя).

DDR2, объём: 1 модуль на 2Gb, тактовая частота: 800 MHz, форм-фактор: DIMM 240-контактный, скорость: PC-6400, поддержка ECC: нет, Low Profile: нет, Registered: нет (QUM2U-2G800T6R)

Партия оперативной памяти может не совпадать с той, что на фотографии. Доп. информация по запросу. Могут иметься незначительные следы пыли. Предварительно контакты почищены ластиком. В наличии как узкопрофильные планки, так и обычные, отправляются случайным образом. Возможны варианты отправки с 8 и 16 чипами.

Модуль памяти Patriot Memory DDR3 SO-DIMM 1600Mhz PC3-12800 CL11 - 4Gb PSD34G1600L81S

Тип товара: Память (модули, комплекты); Модель: CD4-US04G26M19-01; Тип оборудования: Оперативная память; Частота (MHz): DDR4 - 2666; Тип модуля: DIMM; Объем одного модуля (ГБ): 4; Количество модулей в комплекте (шт): 1; Общий объем памяти (ГБ): 4; Пропускная способность (МБ/с): 21300.

Память DDR4 DIMM 16Gb, 2666MHz TESLA (TSLD4-2666-CL19-16G)

8 Гб, DDR4 DIMM, 23400 Мб/с, CL19, ECC, буферизованная

Оперативная память 2 ГБ 1 шт. Hynix DDR2 800 SO-DIMM 2Gb Оперативная память DDR2 второго поколения вышла в продажу в 2003 году и отличается от оперативной памяти DDR удвоенной частотой пропускания, более совершенной конструкцией, способствующей лучшему охлаждению и меньшим энергопотреблением.

Оперативная память Apacer AS08GGB32CSYBGH Тип памяти: Unbuffered Форм-фактор: SODIMM Стандарт памяти: DDR4 Объем одного модуля: 8, ГБ Количество модулей в комплекте: 1, шт Суммарный объем: 8, ГБ Эффективная частота: 3200, МГц Пропускная способность: 25600, Мб/с Поддержка ECC: Нет Низкопрофильная: Нет Количество ранков: 1 Количество контактов: 260 CAS Latency (CL)

Kingston FURY Renegade KF442C19RBK2/16Чтобы сохранять лидерство, повысьте производительность своей системы на базе процессоров AMD или Intel с помощью ультрабыстродействующих модулей памяти Kingston FURY™ Renegade DDR4. Благодаря частоте до 5333 МГц и таймингам CL13 - CL20 вы сможете повысить частоту кадров, обеспечить плавность потокового видео и улучшить качество монтажа отснятого материала.

32 Гб, 2 модуля DDR5, 48000 Мб/с, CL36-36-36-96, 1.35 В, XMP профиль, радиатор

Модуль памяти Samsung SODIMM DDR3L 8Гб 1600 mhz 1,35V Краткое наименование Модуль памяти для SAMSUNG DDR3L - 8Гб 1600 1,35V Объем одного модуля 8Гб Тип DDR3L

Модуль определения координат по спутникам GPS на чипе NEO-6M с керамической активной антенной. Интерфейс связи последовательный порт UART. Напряжение питания: 3В-5В; Последовательный порт, скорость связи по умолчанию 9600; Резервный аккумулятор; Светодиодный индикатор сигнала; Контакты: VCC, GND, TXD, RXD; Размеры антенны: 25 x 25 мм; Размеры модуля: 25 мм x 35 мм

Категория: Proliant Memory Подкатегория: Genuine HP Memory Емкость: 512 MB Технология: DDR SDRAM Модель: 345112-851 Hewlett-Packard 413384-001 SPS-MEM DIMM

Оперативная память для компьютера Kingston FURY Renegade Black DIMM 32Gb DDR4 3600 MHz KF436C16RBK4/32

Название товара: Комплект из 2-х модулей оперативной памяти; Назначение: для компьютера; Количество модулей памяти в комплекте: 2; Тип модуля памяти: DDR4; Объём: 32Gb; Объем одного модуля памяти: 16Gb; Форм-фактор: DIMM; Пропускная способность (Рабочая частота): PC4-25600 3200MHz; Особенности: NON-ECC, Unbuffered; Код вендора: NTSWD4P32DP-32W; Тайминги: 16-20-20-40; Латентность: CL16; Питание: 1.35 В; Охлаждение: Пассивное (радиатор на чипах)