Скидка 24% на Crucial Ddr5 16gb 4800 Mt/S Cl40 16gbit Ct16g48c40u5

Модуль памяти Samsung SODIMM DDR3L 8Гб 1600 mhz 1,35V Краткое наименование Модуль памяти для SAMSUNG DDR3L - 8Гб 1600 1,35V Объем одного модуля 8Гб Тип DDR3L

8 Гб, DDR4, 25600 Мб/с, CL16, 1.35 В, XMP профиль, радиатор, подсветка

Память DDR3 DIMM 4Gb, 1600MHz BaseTech (BTD31600C11-4GN)

Оперативная память 4Gb DDR4 3200MHz AMD (R9S44G3206U1S) RTL

Данные появятся в скором времени

Основные характеристики - Назначение: стационарные (настольные) ПК - Общий объем модулей памяти: 32 Гб - Объем модуля памяти: 8 Гб - Тип памяти: DDR4 - Частота памяти: 2666 МГц - Количество слотов памяти: 4 - Форм фактор поддерживаемой памяти: U-DIMM - Пропускная способность: 21300 Мб/с - Игровая память: да - Возможность разгона: да Модуль - Конструкция модуля памяти: односторонняя - Ранг модуля памяти: Single - Количество чипов модуля: 8 Тайминги - CAS Latency (CL): CL16 - RAS to CAS Delay (tRCD)

Модуль памяти Corsair Venegance CMK64GX5M2B5200C40 представляет собой высокопроизводительный комплект из двух модулей DDR5 объемом по 32 ГБ каждый, общим объемом 64 ГБ. Модули памяти разработаны для использования современными процессорами Intel и AMD, а также платами с чипсетами, поддерживающими стандарт DDR5. Эти модули имеют тактовую частоту 5200 МГц, что обеспечивает высокую скорость передачи данных и позволяет работать с большим объемом информации.

Название товара: Модуль оперативной памяти; Назначение: для компьютера; Количество модулей памяти в комплекте: 1; Тип модуля памяти: DDR4; Объём: 16Gb; Объем одного модуля памяти: 16Gb; Форм-фактор: DIMM; Пропускная способность (Рабочая частота): PC4-21300 2666MHz; Особенности: NON-ECC; Код вендора: KF426C13RB1/16; Тайминги: 13-15-15; Латентность: CL13; Питание: 1.35 В; Охлаждение: Пассивное (радиатор на чипах)

Артикул № 1002228 Память CORSAIR VENGEANCE RGB RT DDR4 оживит внешний вид вашего ПК и обеспечит высочайшую производительность, оптимизированную для систем AMD. совместимость С RYZEN Материнские платы AMD с поддержкой DDR4 оптимизированы для обеспечения высокой пропускной способности и короткого времени отклика при работе с самыми современными компонентами системы Ryzen.

Модуль памяти DDR4 G.SKILL TRIDENT Z RGB 64GB (2x32GB kit) 3600MHz CL16 1.45V / F4-3600C16D-64GTZR

Самовывоз сегодня. Доставка день в день при заказе до 12-00

[Модуль памяти] AMD DDR4 DIMM 8GB R948G3206U2S-UO PC4-25600, 3200MHz R9 Gamers Series Black Activate to Precharge Delay (tRAS) - CAS Latency (CL) 16 масса(кг) 0.08 GTD Number 10005030/210623/3166103 GTIN 00000000000000 Cтрана-производитель тайвань (китай) Партномер R948G3206U2S-UO RAS to CAS Delay (tRCD) - Row Precharge Delay (tRP) - Вес (грамм) - Высота (мм) - высота(см) 0.1 Габариты (мм) - гарантия 1 год длина(см) 13.5 Дополнительная информация - Количество контактов 288 Количество модулей в комплекте (шт)

Модуль памяти Samsung DDR4 SO-DIMM 8 ГБ 2666MHz CL19 M471A1K43CB1-CTD

Тип товара: Память (модули, комплекты); Модель: CD4-US04G26M19-01; Тип оборудования: Оперативная память; Частота (MHz): DDR4 - 2666; Тип модуля: DIMM; Объем одного модуля (ГБ): 4; Количество модулей в комплекте (шт): 1; Общий объем памяти (ГБ): 4; Пропускная способность (МБ/с): 21300.

Модуль памяти DDR5 32 Гб x 1 шт. PC5-44800 (DDR5 5600 МГц) Поддержка XMP (Intel Extreme Memory Profiles) Напряжение: 1.25 В

Память DDR4 DIMM 16Gb, 2666MHz TESLA (TSLD4-2666-CL19-16G)

Модуль оперативной памяти 16ГБ DDR4 SDRAM Kingston FURY Beast KF426C16BB/16 (PC21300, 2666МГц, CL16) (ret)

Категория: комплектующие для ноутбуков. Socket 479P на шарах

D_HEIGHT 12 D_LENGTH 0.2 D_WIDTH 16.7 EANUPCCode 6926337235332 Error-correcting code (ECC) Нет Буферизованная (Registered) Нет Объем, ГБ 16 GB Рабочее напряжение, В 1.1 V Тип DDR5 Форм-фактор 288-pin DIMM Частота, МГц 4800 MHz . adpar_property_list { width:100%; margin:0px 0px 0px; color:#555; } . adpar_property_list td { vertical-align: bottom; font-size:13px; vertical-align: top; background: url(images/dott. png)