Скидка 16% на Память Ddr3 Dimm 4gb, 1600mhz Basetech (Btd31600c11-4gn)

Модуль памяти 49y1424, m393b5270ch0-yh9, DDR3, 4 Гб На все наши товары действует гарантия 1 год от нашего магазина.

Название Оперативная память DIMM 16 Gb DDR4 3200 Mhz AMD R9 Gamer Series (R9416G3206U2S-U) PC4-25600. Тип DDR4. Форм-фактор DIMM. Тактовая частота 3200 МГц.

Оперативная память 16GB X3 RGB DDR4 3600 BLUE LABEL (2x8GB) CL18 комплектом из двух модулей суммарным объемом 16 ГБ станет высокопроизводительным дополнением игрового настольного ПК. ОЗУ поколения DDR4 функционирует на частоте 3200 МГц, обеспечивая высокую пропускную способность и существенно ускоряя обработку ресурсоемких задач. Интегрированная схема управления питанием и технология коррекции ошибок гарантируют повышение стабильности в процессе эксплуатации.

Оперативная память для ноутбука SODIMM DDR4 16Гб Samsung M471A1G43EB1-CTD 2666MHz (PC-21300) 260pin, 1.2V, Retail

DDR4, объём: 1 модуль на 8Gb, тактовая частота: 3200 MHz, форм-фактор: DIMM 288-контактный, скорость: PC-25600, поддержка ECC: нет, Low Profile: нет, Registered: нет, XMP: есть, R019D408GX1-3200C16S

Модель R534G1601S1S-UG Количество контактов 204-pin Показатель скорости PC3-12800 Скорость (тест) 1600МГц Напряжение (тест) 1.5В Задержка (тест) 11-11-11-28 Латентность CL11 Бренд AMD PartNumber/Артикул Производителя R534G1601S1S-UG Размер (модули памяти) 4096/1600 Вес упаковки (ед) 0.016 Тип памяти DDR3 Объем 4096 Частотная спецификация 1600 Количество в упаковке 1 Тип поставки Ret Форм-фактор SO-DIMM Буферизация unbuffered EANCode 4897065184228 .

Старый ноутбук тормозит? Не справляется с текущими задачами? Один из способов повысить производительность - увеличить объём оперативной памяти. Модули памяти BillionReservoir BR-NB-8G-1600 отлично справятся с этой задачей. Кроме ноутбуков они подойдут к моноблокам, неттопам и мини ПК. Данная оперативная память является универсальной. Её можно использовать в устройствах, поддерживающих DDR3L SoDIMM (1,35 В) и DDR3 SoDIMM (1,5 В). Если установить 2 планки памяти, то они могут работать в двухканальном режиме.

Оперативная память Micron DDR3 8 ГБ 1333 MHz DIMM PC3-10600U 1x8 ГБ

CAS Latency (CL) 40 масса(кг) 0.06 GTD Number 10005030/270423/3109674/1 GTIN 00649528905628 Cтрана-производитель Малайзия Партномер CT16G48C40U5 RAS to CAS Delay (tRCD) 39 Row Precharge Delay (tRP) 39 высота(см) 5 гарантия 1 год длина(см) 18 Дополнительная информация нет Количество модулей в комплекте (шт) 1 Линейка - масса(кг) 0.06 Модель CT16G48C40U5 Напряжение (В) 1.1 Низкопрофильная нет Общий объем памяти (ГБ) 16 Объем одного модуля (ГБ)

С модулями памяти Kingston FURYв„ў Impact DDR4 SODIMM ваш ноутбук или ПК получат все необходимые ресурсы для повышения скорости работы. Модули памяти FURY Impact DDR4, поддерживающие процессоры AMD Ryzenв„ў и профили памяти IntelВ® XMP, имеющие сертификат XMP и предлагаемые в комплектах емкостью до 64 ГБ, включают инновационную технологию разгона памяти Plug N Play от компании Kingston, которая автоматически задействует заданные на заводе-изготовителе частоту и тайминги латентности без необходимости

Оперативная память с радиаторами игровая 3200Мгц обьемом 16Гб Используются чипы производства Hynix, SEC (Samsung), Micron и проходит через различные типы ручного тестирования, она в состоянии предоставить пользователям высокую производительностью и высокую стабильность работы системы в течении многолетнего периода. Радиатор на оперативной памяти увеличивает площадь поверхности, с которой рассеивается тепло- это очень важно для сброса лишнего тепла.

4 Гб, DDR4, 21300 Мб/с, CL19, 1.2 В

TSLD4-3200-CL22-8G Оперативная память TESLA (TSLD4-3200-CL22-8G) 8 ГБ

Название Модуль памяти SO-DDR3L 8Gb 1600MHz Silicon Power SP008GLSTU160N02 1.35V. Тип DDR3L. Форм-фактор SODIMM. Количество модулей в комплекте 1 шт. Объем одного модуля 8 ГБ. Тактовая частота 1600 МГц. Пропускная способность PC12800. CL 11. Напряжение питания 1.35 В. Срок службы 2 г. Гарантийный срок 1 г.

Быстрый и стремительный. Прочный, как броня. Изысканный, геометрически правильный стиль. Подсветка RGB освещает ваш путь. Разгон без усилий с XMP 2.0.

[Модуль памяти] AMD DDR4 DIMM 8GB R948G3206U2S-UO PC4-25600, 3200MHz R9 Gamers Series Black Activate to Precharge Delay (tRAS) - CAS Latency (CL) 16 масса(кг) 0.08 GTD Number 10005030/210623/3166103 GTIN 00000000000000 Cтрана-производитель тайвань (китай) Партномер R948G3206U2S-UO RAS to CAS Delay (tRCD) - Row Precharge Delay (tRP) - Вес (грамм) - Высота (мм) - высота(см) 0.1 Габариты (мм) - гарантия 1 год длина(см) 13.5 Дополнительная информация - Количество контактов 288 Количество модулей в комплекте (шт)

Чтобы сохранять лидерство, повысьте производительность своей системы на базе процессоров AMD или Intel с помощью ультрабыстродействующих модулей памяти Kingston FURY™ Renegade DDR4. Благодаря частоте до 5333 МГц и таймингам CL13 - CL20 вы сможете повысить частоту кадров, обеспечить плавность потокового видео и улучшить качество монтажа отснятого материала. Теплоотвод в агрессивном стильном черном цвете и соответствующая черная печатная плата PCB остудят пыл и вселят страх в сердца ваших врагов.

Тип памяти: DDR4. Форм-фактор: DIMM. Суммарный объем: 8 ГБ. Тактовая частота: 4133 МГц. Профили Intel XMP: 4133 МГц (19-23-23). CAS Latency (CL): 19. RAS to CAS Delay (tRCD): 23. Row Precharge Delay (tRP): 23. Радиатор. Подсветка.

Память DDR3L 4Gb 1600MHz Digma DGMAD31600004S RTL PC3-12800 CL11 DIMM 240-pin 1.35В Низкопрофильная single rank

Четыре модуля низкопрофильной оперативной памяти, изготовленные в соответствии с отраслевыми стандартами, обеспечивающие непревзойденную производительность и отличающиеся легендарной надежностью Kingston. Память ValueRAM – разумный выбор.

Модуль памяти Samsung DDR3 8GB 2RX8 1600MHz 1.5V DIMM для ПК - это высококачественный продукт, который идеально подходит для использования в компьютерах. Он имеет высокую скорость передачи данных и низкое энергопотребление, что делает его идеальным выбором для тех, кто ищет производительность и надежность в своей системе. Samsung - известный бренд, который зарекомендовал себя как производитель высококачественной электроники.