Скидка 16% на Память Ddr3 Dimm 4gb, 1600mhz Basetech (Btd31600c11-4gn)

Оперативная память DDR3 (8GB), SODIMM - 1600MHz Латентность: CL11. Напряжение питания: 1.5В

DDR-III 8GB (PC3-12800) 1600MHz

D_HEIGHT 21 D_LENGTH 50 D_WIDTH 45 EANUPCCode 6926337235882 Error-correcting code (ECC) Нет Буферизованная (Registered) Нет Объем, ГБ 8 GB Рабочее напряжение, В 1.35 V Тип DDR4 Форм-фактор 288-pin DIMM Частота, МГц 3600 MHz . adpar_property_list { width:100%; margin:0px 0px 0px; color:#555; } . adpar_property_list td { vertical-align: bottom; font-size:13px; vertical-align: top; background: url(images/dott. png)

Оперативная память Kingspec DDR4 16Gb 2666MHz pc-21300 CL17 (KS2666D4P12016G)

Оперативная память 2Gb DDR-II 800MHz AMD (R322G805U2S-UG)

Название Оперативная память Kimtigo DDR3L 1600 МГц CL11 (KMTS8GF581600). Категория Модули памяти. Описание типDDR3L, объем одного модуля8 ГБ, объем одного модуля (точно)8 ГБ, тактовая частота1600 МГц, форм-факторSODIMM, количество модулей в комплекте1 шт, CL11. Тип DDR3L. Форм-фактор SODIMM. Количество модулей в комплекте 1 шт. Объем одного модуля 8 ГБ. Тактовая частота 1600 МГц. Пропускная способность PC12800. CL 11. Количество контактов 204.

Оперативная память Samsung 8GB DDR3 1333MHz PC3-10600 M471B1G73DB0-CK0

Категория: комплектующие для ноутбуков. Socket 479P на шарах

Оперативная память DIMM 2 Gb DDR3 1600 MHz AMD Radeon (R532G1601U1SL-U) PC3-12800

С модулями памяти Kingston FURYв„ў Impact DDR4 SODIMM ваш ноутбук или ПК получат все необходимые ресурсы для повышения скорости работы. Модули памяти FURY Impact DDR4, поддерживающие процессоры AMD Ryzenв„ў и профили памяти IntelВ® XMP, имеющие сертификат XMP и предлагаемые в комплектах емкостью до 64 ГБ, включают инновационную технологию разгона памяти Plug N Play от компании Kingston, которая автоматически задействует заданные на заводе-изготовителе частоту и тайминги латентности без необходимости

Оперативная память 4Gb DDR4 3200MHz AMD (R9S44G3206U1S) RTL

Название товара: Комплект из 2-х модулей оперативной памяти; Назначение: для компьютера; Количество модулей памяти в комплекте: 1; Тип модуля памяти: DDR5; Объём: 16Gb; Объем одного модуля памяти: 16Gb; Форм-фактор: DIMM; Пропускная способность (Рабочая частота): PC5-48000 6000MHz; Код вендора: SP016GXLWU600FSG; Латентность: CL40; Питание: 1.35 В; Охлаждение: Пассивное (радиатор на чипах)

Характеристики – Тип памяти: DDR3 Форм фактор: DIMM Количество контактов: 240 Тактовая частота6 1333 МГц Пропускная способность: 10600 Мб/с Объем: 1 модуль 1Gb Общий объём: 1 Гб Поддержка ECC: нет Буферизованная (Registered): нет Низкопрофильная (Low Profile)

Activate to Precharge Delay (tRAS) - CAS Latency (CL) 19 масса(кг) 0.017 GTD Number 10005030/210623/3165485/028 GTIN 00000000000000 Cтрана-производитель Вьетнам Партномер M378A1G44AB0-CWE RAS to CAS Delay (tRCD) 19 Row Precharge Delay (tRP) 19 Вес (грамм) - Высота (мм) 32 высота(см) 0.3 Габариты (мм) - гарантия 1 год длина(см) 13.2 Дополнительная информация - Количество контактов 288 Количество модулей в комплекте (шт) 1 Количество чипов на модуле - Компоновка чипов на модуле - Линейка - масса(кг)

Модуль памяти TerraMaster 4GB DDR4 for models F2-423/F4-423/T6-423/T9-423/T12-423/U4-423/U8-423/U12-423

[Модуль памяти] CBR DDR4 DIMM (UDIMM) 4GB CD4-US04G26M19-01 PC4-21300, 2666MHz, CL19, 1.2V Activate to Precharge Delay (tRAS) 43 CAS Latency (CL) 19 масса(кг) 0.017 GTD Number 10005030/230323/3072153/17 GTIN 06973720601779 Cтрана-производитель Китай Партномер CD4-US04G26M19-01 RAS to CAS Delay (tRCD) 19 Row Precharge Delay (tRP) 19 Вес (грамм) - Высота (мм) - высота(см) 5.5 Габариты (мм) - гарантия 3 года длина(см) 17 Дополнительная информация - Количество контактов 288 Количество модулей в комплекте (шт)

Оперативная память для ноутбука SODIMM DDR4 16Гб Samsung M471A1G43EB1-CTD 2666MHz (PC-21300) 260pin, 1.2V, Retail

Модуль памяти (оперативная память, RAM) Samsung SODIMM DDR3 8Гб 1333 mhz PC3-10600 Парт номер: M471B1G73DB0-CK0 Напряжение питания 1.5 Вольта (Может использоваться в ноутбуках где стандарт DDR3 (без L) DDR3L память может использоваться вместо DDR3 (в свою очередь DDR3 вместо DDR3L использовать нельзя).

Оперативная память 16GB X3 RGB DDR4 3600 BLUE LABEL (2x8GB) CL18 комплектом из двух модулей суммарным объемом 16 ГБ станет высокопроизводительным дополнением игрового настольного ПК. ОЗУ поколения DDR4 функционирует на частоте 3200 МГц, обеспечивая высокую пропускную способность и существенно ускоряя обработку ресурсоемких задач. Интегрированная схема управления питанием и технология коррекции ошибок гарантируют повышение стабильности в процессе эксплуатации.

Модуль памяти DIMM включает в себя регистр для улучшения тактовых сигналов, командных и управляющих сигналов. Доступно исправление ошибок за счет добавления 8-битных сигналов четности. Поддержка организации x4/x8/до 2 рангов на конфигурацию DIMM и 3DPC.

D_HEIGHT 21.1 D_LENGTH 34.4 D_WIDTH 30.7 EANUPCCode 4711085931467 Error-correcting code (ECC) Нет Буферизованная (Registered) Нет Комплектующие для Ноутбук Конфигурация памяти (модули х емкость) 1 x 16 GB Объем, ГБ 16 GB Рабочее напряжение, В 1.2 V Тип DDR4 Форм-фактор 260-pin SO-DIMM Частота, МГц 2666 MHz . adpar_property_list { width:100%; margin:0px 0px 0px; color:#555; } . adpar_property_list td { vertical-align: bottom; font-size:13px; vertical-align: top; background: url(images/dott.