Скидка 30% на Модуль Пельтье Tec1-12705

DDR2, объём: 1 модуль на 2Gb, тактовая частота: 800 MHz, форм-фактор: DIMM 240-контактный, скорость: PC-6400, поддержка ECC: нет, Low Profile: нет, Registered: нет (QUM2U-2G800T6R)

Модуль памяти DDR4 32 Гб x 2 шт. PC4-32000 (DDR4 4000 МГц) Радиаторы на чипах памяти Напряжение: Напряжение памяти нестандартное

Соответствующая типу DDR4 оперативная память Patriot Signature Line PSD48G266681 выпускается в рамках широко известной одноименной производственной серии. Вы получите в свое распоряжение стабильно функционирующее устройство, демонстрирующее типовой уровень производительности. Память будет полезна потенциальным или настоящим владельцам системных блоков, ориентированных на решение универсальных задач.

Компания Kingston с гордостью представляет Kingston FURY — бренд высокопроизводительных продуктов для геймеров и энтузиастов. Опыт Kingston в разработке и производстве памяти и хранилищ файлов (воплощением которого стали продукты HyperX DRAM, флэш-память и твердотельные накопители) помогает компании в течение двух десятилетий оставаться ключевым выбором энтузиастов и геймеров.

Модуль памяти (оперативная память, RAM) для персонального компьютера Hynix DIMM DDR3 4Гб 1333 mhz. Напряжение питания 1.5V

32 Гб, DDR5, 38400 Мб/с, CL38, 1.1 В

Оперативная память DIMM BIWINTECH 8GB DDR4-3200 (B14AU8G53222R#A)

Модель может не совпадать с той, что на фотографии. С такими параметрами у данного производителя может быть несколько моделей. Класс памяти: Для ноутбука Тип оперативной памяти: DDR3 Объём оперативной памяти: 8 Гб Частота оперативной памяти: 1600 МГц Кол-во модулей в комплекте: 1x8Gb Напряжение питания 1.5 В

Оперативная память WEIMU серии Green стандарта DIMM DDR3 и модулями по 8 Гб, подойдет как для комплектации игрового системного блока, так и для рабочей станции. Они совместимы с абсолютным большинством комплектующих и обладают самой универсальной частотой для памяти этого поколения - 1600 МГц. Модули создаются при сотрудничестве с мировыми лидерами производства чипов памяти - Samsung, Hynix, Micron. Характеристики: Тип - DDR3 Форм фактор - DIMM (для системного блока)

Activate to Precharge Delay (tRAS) - CAS Latency (CL) 19 масса(кг) 0.017 GTD Number 10005030/210623/3165485/028 GTIN 00000000000000 Cтрана-производитель Вьетнам Партномер M378A1G44AB0-CWE RAS to CAS Delay (tRCD) 19 Row Precharge Delay (tRP) 19 Вес (грамм) - Высота (мм) 32 высота(см) 0.3 Габариты (мм) - гарантия 1 год длина(см) 13.2 Дополнительная информация - Количество контактов 288 Количество модулей в комплекте (шт) 1 Количество чипов на модуле - Компоновка чипов на модуле - Линейка - масса(кг)

Модуль энергонезависимой памяти на базе микросхемы EEPROM AT24C08. Энергонезависимая электрически стираемая память. Емкость: 8Кб (1024 x 8)

Оперативная память Kingston Fury Impact - это идеальный выбор для тех, кто ищет высокую производительность и надежность. Эта оперативная память имеет объем 64 гигабайта (32 гигабайта на модуль) и частоту 3200 мегагерц, что обеспечивает быструю работу системы и позволяет запускать самые требовательные приложения. Оперативная память Kingston Fury Impact работает на основе технологии DDR4 и имеет форм-фактор SODIMM. Каждый модуль состоит из 16 чипов, что обеспечивает высокую надежность и долговечность.

Память DDR4 SODIMM 8Gb, 2666MHz TESLA (TSLD4NB-2666-CL19-8G)

Компания Kingston с гордостью представляет Kingston FURY — бренд высокопроизводительных продуктов для геймеров и энтузиастов. Опыт Kingston в разработке и производстве памяти и хранилищ файлов (воплощением которого стали продукты HyperX DRAM, флэш-память и твердотельные накопители) помогает компании в течение двух десятилетий оставаться ключевым выбором энтузиастов и геймеров.

Оптимизированный для материнских плат Intel, он предлагает технологию DDR5 с более высокой частотой и большей емкостью в высококачественном компактном модуле для вашей системы. Комплектация CORSAIR VENGEANCE 64 ГБ (2x32 ГБ) DDR5 DRAM 5600 МГцБелый Характеристики Добавить к сравнению Тайминги CAS Latency (CL), тактов 40 Тайминги 40 RAS to CAS Delay (tRCD), тактов 40 Row Precharge Delay (tRP), тактов 40 Active to Precharge Delay (tRAS)

[Модуль памяти] CBR DDR4 DIMM (UDIMM) 4GB CD4-US04G26M19-01 PC4-21300, 2666MHz, CL19, 1.2V Activate to Precharge Delay (tRAS) 43 CAS Latency (CL) 19 масса(кг) 0.017 GTD Number 10005030/230323/3072153/17 GTIN 06973720601779 Cтрана-производитель Китай Партномер CD4-US04G26M19-01 RAS to CAS Delay (tRCD) 19 Row Precharge Delay (tRP) 19 Вес (грамм) - Высота (мм) - высота(см) 5.5 Габариты (мм) - гарантия 3 года длина(см) 17 Дополнительная информация - Количество контактов 288 Количество модулей в комплекте (шт)

Подсветка RGB освещает ваш путь. Подсветку RGB можно настроить по своему желанию. Доступны различные эффекты (статичный, пульсация и комета) и возможность синхронизации подсветки с любимыми композициями в режиме Музыка. Эти действия выполняются в программах управления RGB от всех основных брендов системных плат. Создание собственного светового шоу с помощью XPG Prime.

Модули памяти 4gb (2x2Gb) ddr2 800 pc2-6400 SoDimm 2G для ноутбуков в ассортименте - 2 штуки Данный модуль оперативной памяти совместим со всеми платформами, использует чипы памяти известных брендов. Память с рабочей машины, все необходимые тесты и проверки пройдены! Общие характеристики Производитель - разные бренды. В одном заказе, стараемся класть модули одного бренда.

Комплект памяти DDR3 DIMM 8Gb (2x4Gb), 1600MHz BaseTech (BTD31600C11-4GN-K2)

Модель R7432G2606S2S-U Количество контактов 260-pin Показатель скорости PC4-21300 Скорость (тест) 2666МГц Напряжение (тест) 1.2В Задержка (тест) 19-19-19-43 Латентность CL19 Бренд AMD PartNumber/Артикул Производителя R7432G2606S2S-U Количество чипов 16 Размер (модули памяти) 32768/2666 Вес упаковки (ед) 0.013 Серия Radeon R7 Performance Series Тип памяти DDR4 Объем 32768 Частотная спецификация 2666 Количество в упаковке 1 Тип поставки Ret Форм-фактор SO-DIMM Буферизация unbuffered EANCode 4897065183603 .