Скидка 31% на Модуль Памяти Patriot Ddr2 Dimm 2gb (Pc6400) 800mhz

Память DDR3 DIMM 4Gb, 1600MHz BaseTech (BTD31600C11-4GN)

Название товара: Модуль оперативной памяти; Назначение: для ноутбука; Количество модулей памяти в комплекте: 1; Тип модуля памяти: DDR5; Объём: 32Gb; Объем одного модуля памяти: 32Gb; Форм-фактор: SO-DIMM; Пропускная способность (Рабочая частота): PC4-38400 4800MHz; Особенности: NON-ECC, Unbuffered; Код вендора: AD5S480032G-S; Латентность: CL40; Питание: 1.1 В; Охлаждение: Нет; Поставка: Retail

Модуль памяти Smartbuy DDR4 DIMM 8GB SBDR4-D8GBSPK512X16-2133P PC4-17000, 2133MHz

Оперативная память DDR3 (8GB), DIMM - 1333MHz Латентность: CL9. Напряжение питания: 1.5 В

Модуль памяти DDR5 32 Гб x 1 шт. PC5-44800 (DDR5 5600 МГц) Поддержка XMP (Intel Extreme Memory Profiles) Напряжение: 1.25 В

Оперативная память корпоративного класса для серверов

Оперативная память Micron DDR 3 SODIMM 4GB 1,35V 1600Mhz для ноутбука

HyperX Fury DDR4 поможет повысить производительность во время игр, редактирования видео и визуализации, обеспечивая частоту до 3733 МГц. Эти экономичные модули имеют рабочую частоту 2400–3733 МГц, латентностьCL15-19 и емкость одиночных модулей 4–32 ГБ и комплектов 16–128 ГБ. Они обеспечивают автоматический разгон памяти Plug N Play на частоте 2400 и 2666 МГц и совместимы и с профилями Intel XMP, и с профилями AMD Ryzen.

Kingston FURY Renegade KF442C19RBK2/16Чтобы сохранять лидерство, повысьте производительность своей системы на базе процессоров AMD или Intel с помощью ультрабыстродействующих модулей памяти Kingston FURY™ Renegade DDR4. Благодаря частоте до 5333 МГц и таймингам CL13 - CL20 вы сможете повысить частоту кадров, обеспечить плавность потокового видео и улучшить качество монтажа отснятого материала.

Оперативная память Lexar 8 ГБ DDR4 2666 МГц CL19 (LD4AU008G-H2666G)

Название Модуль памяти SO-DDR3L 8Gb 1600MHz Silicon Power SP008GLSTU160N02 1.35V. Тип DDR3L. Форм-фактор SODIMM. Количество модулей в комплекте 1 шт. Объем одного модуля 8 ГБ. Тактовая частота 1600 МГц. Пропускная способность PC12800. CL 11. Напряжение питания 1.35 В. Срок службы 2 г. Гарантийный срок 1 г.

количество модулей в комплекте 1 шт, объем одного модуля 8 ГБ, тип DDR3 DIMM 240-pin, тактовая частота 1866 МГц, тайминги 10-11-10-38, напряжение питания 1.5 В, пропускная способность PC14900, особенности Unregistered, радиатор

Тип товара: Память (модули, комплекты); Модель: CD4-SS16G32M22-01; Тип оборудования: Оперативная память; Частота (MHz): DDR4 - 3200; Тип модуля: SO-DIMM; Объем одного модуля (ГБ): 16; Количество модулей в комплекте (шт): 1; Общий объем памяти (ГБ): 16; Пропускная способность (МБ/с): 25600.

Оперативная память Samsung - это высококачественный продукт, который обеспечивает высокую производительность и надежность работы вашего компьютера. Объем памяти составляет 8 ГБ, что позволяет быстро обрабатывать большие объемы данных. Тактовая частота составляет 1333 МГц, что обеспечивает быстрое чтение и запись данных. Оперативная память Samsung имеет высокую пропускную способность 10600, что гарантирует быструю передачу данных между процессором и памятью.

Оперативная память Hynix 4 ГБ DDR3 PC3-12800 1600 МГц - это модуль оперативной памяти для компьютера или ноутбука, который имеет емкость 4 ГБ и скорость передачи данных на уровне 1600 МГц. DDR3 - это третье поколение двухпортовой динамической случайной доступной памяти (SDRAM), которое обеспечивает более высокие скорости передачи данных и более эффективное энергопотребление по сравнению с более ранними поколениями оперативной памяти.

Основные характеристики - Назначение: стационарные (настольные) ПК - Объем модуля памяти: 16 Гб - Тип памяти: DDR4 - Частота памяти: 3600 МГц - Количество слотов памяти: 1 - Форм фактор поддерживаемой памяти: U-DIMM - Пропускная способность: 28800 Мб/с - Игровая память: да - Возможность разгона: да Модуль - Конструкция модуля памяти: односторонняя - Ранг модуля памяти: Single - Количество чипов модуля: 8 Тайминги - CAS Latency (CL): CL18 - RAS to CAS Delay (tRCD): 22 - Row Precharge Delay (tRP)

Модуль памяти 8GB OCPC DDR4 2666 DIMM XTREME II White Gaming Memory Non-ECC, CL19, 1.2V, Heat Shield, RTL

Модуль памяти (оперативная память, RAM) для персонального компьютера Hynix DIMM DDR3 4Гб 1333 mhz. Напряжение питания 1.5V

Модуль памяти Corsair Venegance CMK64GX5M2B5200C40 представляет собой высокопроизводительный комплект из двух модулей DDR5 объемом по 32 ГБ каждый, общим объемом 64 ГБ. Модули памяти разработаны для использования современными процессорами Intel и AMD, а также платами с чипсетами, поддерживающими стандарт DDR5. Эти модули имеют тактовую частоту 5200 МГц, что обеспечивает высокую скорость передачи данных и позволяет работать с большим объемом информации.

Память DDR3L 4Gb 1600MHz Digma DGMAD31600004S RTL PC3-12800 CL11 DIMM 240-pin 1.35В Низкопрофильная single rank