Оперативная Память Kingston Fury Beast Black 1x8 Гб Ddr3 (Kf318c10bb/8)

Оперативная память для ноутбука Hynix DDR3L 4Gb 1600 Mhz So-Dimm PC3L-12800 для ноутбука

Модуль памяти 49y1424, m393b5270ch0-yh9, DDR3, 4 Гб На все наши товары действует гарантия 1 год от нашего магазина.

Память DDR4 8Gb 3200MHz Kingmax KM-SD4-3200-8GS RTL CL17 SO-DIMM 260-pin 1.2В dual rank

[Модуль памяти] AMD DDR4 DIMM 8GB R948G3206U2S-UO PC4-25600, 3200MHz R9 Gamers Series Black Activate to Precharge Delay (tRAS) - CAS Latency (CL) 16 масса(кг) 0.08 GTD Number 10005030/210623/3166103 GTIN 00000000000000 Cтрана-производитель тайвань (китай) Партномер R948G3206U2S-UO RAS to CAS Delay (tRCD) - Row Precharge Delay (tRP) - Вес (грамм) - Высота (мм) - высота(см) 0.1 Габариты (мм) - гарантия 1 год длина(см) 13.5 Дополнительная информация - Количество контактов 288 Количество модулей в комплекте (шт)

Оперативная память Apacer AS08GGB32CSYBGH Тип памяти: Unbuffered Форм-фактор: SODIMM Стандарт памяти: DDR4 Объем одного модуля: 8, ГБ Количество модулей в комплекте: 1, шт Суммарный объем: 8, ГБ Эффективная частота: 3200, МГц Пропускная способность: 25600, Мб/с Поддержка ECC: Нет Низкопрофильная: Нет Количество ранков: 1 Количество контактов: 260 CAS Latency (CL)

Память DDR3 DIMM 4Gb, 1600MHz BaseTech (BTD31600C11-4GN)

Activate to Precharge Delay (tRAS) - CAS Latency (CL) 19 масса(кг) 0.017 GTD Number 10005030/210623/3165485/028 GTIN 00000000000000 Cтрана-производитель Вьетнам Партномер M378A1G44AB0-CWE RAS to CAS Delay (tRCD) 19 Row Precharge Delay (tRP) 19 Вес (грамм) - Высота (мм) 32 высота(см) 0.3 Габариты (мм) - гарантия 1 год длина(см) 13.2 Дополнительная информация - Количество контактов 288 Количество модулей в комплекте (шт) 1 Количество чипов на модуле - Компоновка чипов на модуле - Линейка - масса(кг)

32 Гб, DDR4, 25600 Мб/с, CL16, 1.35 В, XMP профиль, радиатор

Тип товара: Память (модули, комплекты); Модель: CD4-SS16G32M22-01; Тип оборудования: Оперативная память; Частота (MHz): DDR4 - 3200; Тип модуля: SO-DIMM; Объем одного модуля (ГБ): 16; Количество модулей в комплекте (шт): 1; Общий объем памяти (ГБ): 16; Пропускная способность (МБ/с): 25600.

[Модуль памяти] CBR DDR4 DIMM (UDIMM) 4GB CD4-US04G26M19-01 PC4-21300, 2666MHz, CL19, 1.2V Activate to Precharge Delay (tRAS) 43 CAS Latency (CL) 19 масса(кг) 0.017 GTD Number 10005030/230323/3072153/17 GTIN 06973720601779 Cтрана-производитель Китай Партномер CD4-US04G26M19-01 RAS to CAS Delay (tRCD) 19 Row Precharge Delay (tRP) 19 Вес (грамм) - Высота (мм) - высота(см) 5.5 Габариты (мм) - гарантия 3 года длина(см) 17 Дополнительная информация - Количество контактов 288 Количество модулей в комплекте (шт)

Артикул № 956625 Модули памяти Kingston FURY Renegade DDR4 Чтобы сохранять лидерство, повысьте производительность своей системы на базе процессоров AMD или Intel с помощью ультрабыстродействующих модулей памяти Kingston FURY™ Renegade DDR4. Благодаря высокой частоте функционирования и низким таймингам вы сможете повысить частоту кадров, обеспечить плавность потокового видео и улучшить качество монтажа отснятого материала.

Модуль памяти fl1333d3u9-1G, DDR3, 1 Гб На все наши товары действует гарантия 1 год от нашего магазина.

Достигайте предела возможностей с помощью флагманской серии DDR5 Viper Xtreme 5. Обладая невероятно высокой скоростью до 8000MHz, память Viper Xtreme 5 создана для рекордной производительности и разгона. Модули Viper Xtreme 5 оснащены микросхемой управления питанием PMIC, для повышения эффективности работы и снижения энергопотребления. Встроенный термодатчик контролирует нагрев и увеличивает срок службы модулей. Стильные радиаторы охлаждения с RGB-подсветкой станут украшением любой сборки.

Тип памяти DDR4 Форм-фактор DIMM 288-контактный Тактовая частота 2400 МГц Пропускная способность 19200 Мб/с Объем 1 модуль 8 Гб Поддержка ECC нет Напряжение питания 1.2 В Количество ранков 2

Память DDR3L 8Gb 1600MHz Netac NTBSD3N16SP-08 Basic RTL PC3-12800 CL11 SO-DIMM 260-pin 1.35В single rank производства компании Netac. Артикул модели: NTBSD3N16SP-08. Артикул магазина: 00339857

Модуль памяти - небольшая печатная плата, на которой размещены микросхемы запоминающего устройства, обычно ОЗУ. В зависимости от форм-фактора выводы могут реализовываться в виде штырьков располагаться в виде дорожек, подходящих к краю ножевого разъёма с одной стороны платы, либо двух. Оперативная память, или оперативное запоминающее устройство (ОЗУ) — временное хранилище для данных, необходимых для работы игр и программ.

Основные характеристикиПроизводительTESLAТипDDR3Форм-факторDIMMКомплектностьКомплект памятиКоличество модулей в комплекте2Объем одного модуля8 ГбОбщий объем памяти16 ГбТактовая частота1600 MHzCL11Напряжение питанияНапряжение питания1.35 В

Модель KMKU8G8683600T4-R Количество контактов 288-pin Показатель скорости PC4-28800 Скорость (тест) 3600МГц Бренд KIMTIGO PartNumber/Артикул Производителя KMKU8G8683600T4-R Вес упаковки (ед) 0.03 Тип памяти DDR4 Объем 8192 Частотная спецификация 3600 Радиатор охлаждения ДА Количество в упаковке 1 Тип поставки Ret Форм-фактор DIMM Буферизация unbuffered EANCode 6924371292298 . adpar_property_list { width:100%; margin:0px 0px 0px; color:#555; } .

Характеристики – Тип памяти: DDR3 Форм фактор: DIMM Количество контактов: 240 Тактовая частота6 1333 МГц Пропускная способность: 10600 Мб/с Объем: 1 модуль 1Gb Общий объём: 1 Гб Поддержка ECC: нет Буферизованная (Registered): нет Низкопрофильная (Low Profile)

Оперативная память корпоративного класса для серверов

Оперативная память Geil 8 ГБ - это отличный выбор для тех, кто ищет надежный и производительный компонент для своего компьютера. Geil - это известный бренд, который зарекомендовал себя как производитель качественных компонентов для ПК. Оперативная память Geil имеет форм-фактор DIMM и объем 8 ГБ, что позволяет использовать ее для работы с несколькими приложениями одновременно. Каждый модуль имеет объем 4 ГБ и частоту 1600 МГц, что обеспечивает высокую скорость передачи данных.

Новая в уп. Используются чипы производства Samsung, Hynix, Micron Тип памяти: DDR3; Общий объём памяти, Гб: 8; Количество модулей: 1; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Форм-фактор: SO-DIMM ; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 11; Напряжение питания: 1.5 В; Количество ранков: 2; Количество чипов каждого модуля: 16, двусторонняя упаковка Оперативная память для ноутбука Kllisre