Модуль Памяти Terramaster Ddr4 So-Dimm 4gb (A-Sramd4-4g)

Оперативная память TESLA - это высокая скорость работы, сниженное энергопотребление и повышенная надежность.

Старый ноутбук тормозит? Не справляется с текущими задачами? Один из способов повысить производительность - увеличить объём оперативной памяти. Модули памяти BillionReservoir BR-NB-8G-1600 отлично справятся с этой задачей. Кроме ноутбуков они подойдут к моноблокам, неттопам и мини ПК. Данная оперативная память является универсальной. Её можно использовать в устройствах, поддерживающих DDR3L SoDIMM (1,35 В) и DDR3 SoDIMM (1,5 В). Если установить 2 планки памяти, то они могут работать в двухканальном режиме.

Тип памяти: DDR5 Форм-фактор модуля памяти: SODIMM Количество модулей в комплекте: 1 Низкопрофильная (Low Profile): нет

Новое устройство в заводской упаковке. Гарантия от производителя

4 Гб, DDR4, 21300 Мб/с, CL19, 1.2 В

Линейка: ValueRAM Тип: DDR2 Форм-фактор: DIMM Количество модулей в комплекте: 1 шт. Объем одного модуля: 2 ГБ Тактовая частота: 800 МГц Пропускная способность: PC6400 CL: 6 tRCD: 6 tRP: 6 tRAS: 15 Количество чипов каждого модуля: 16 Напряжение питания: 1.8 В Количество рангов: 2 Количество контактов: 240 Упаковка чипов: двусторонняя

Бренд: KINGSTON Серия: Fury Renegade Black Тип памяти: DDR4 Объем: 16384МБ Количество в упаковке: 1 Тип поставки: Ret Форм-фактор: DIMM Буферизация: unbuffered Количество контактов: 288-pin Показатель скорости: PC4-25600 Скорость (тест): 3200МГц Напряжение (тест): 1.35В Латентность (CAS): CL16 Количество рангов (Ranks): dual rank Модель: KF432C16RB12/16 PartNumber/Артикул Производителя: KF432C16RB12/16 Объем одного модуля: 16ГБ Длина упаковки (ед): 0.17м Ширина упаковки (ед): 0.127м Высота упаковки (ед)

Название товара: Модуль оперативной памяти; Назначение: для ноутбука; Количество модулей памяти в комплекте: 1; Тип модуля памяти: DDR5; Объём: 32Gb; Объем одного модуля памяти: 32Gb; Форм-фактор: SO-DIMM; Пропускная способность (Рабочая частота): PC4-38400 4800MHz; Особенности: NON-ECC, Unbuffered; Код вендора: AD5S480032G-S; Латентность: CL40; Питание: 1.1 В; Охлаждение: Нет; Поставка: Retail

Оперативная память 4 ГБ 1 шт. Hynix DDR3L 1600 DIMM 4Gb 4GB 1Rx8 PC3L-12800U-11-13-A1 HMT451U6DFR8A-PB

desc: Тип памяти DDR2 Форм-фактор DIMM 240-контактный Тактовая частота 667 МГц Пропускная способность 5300 Мб/с Объем 1 модуль 512 Мб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile)

D_HEIGHT 29 D_LENGTH 38 D_WIDTH 32 EANUPCCode 4711085934840 Error-correcting code (ECC) Нет Буферизованная (Registered) Нет Комплектующие для ПК/сервер Конфигурация памяти (модули х емкость) 2 x 8 GB Объем, ГБ 16 GB Рабочее напряжение, В 1.35 V Тип DDR4 Тип буферной памяти Unregistered (unbuffered) Форм-фактор 288-pin DIMM Цвет подсветки Красный/зеленый/синий Частота, МГц 3600 MHz . adpar_property_list { width:100%; margin:0px 0px 0px; color:#555; } .

Модуль памяти (оперативная память, RAM) Samsung SODIMM DDR3L 4Гб 1333 mhz Напряжение питания 1.35В PC3L-12800S

Тип памяти DDR4 Форм-фактор DIMM 288-контактный Тактовая частота 2400 МГц Пропускная способность 19200 Мб/с Объем 1 модуль 4 Гб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет CAS Latency (CL)

Тип товара: Память (модули, комплекты); Модель: AH4U08G26C08YTBAA-1; Тип оборудования: Оперативная память; Частота (MHz): DDR4 - 2666; Тип модуля: DIMM; Объем одного модуля (ГБ): 8; Количество модулей в комплекте (шт): 1; Общий объем памяти (ГБ): 8; Пропускная способность (МБ/с): 21300; Радиатор: Есть.

Оперативная память Crucial 4 ГБ (2 ГБ x 2 шт.) DDR2 800 МГц SODIMM CL6 CT2KIT25664AC800

Модуль памяти Samsung DDR3 8GB 2RX8 1600MHz 1.5V DIMM для ПК - это высококачественный продукт, который идеально подходит для использования в компьютерах. Он имеет высокую скорость передачи данных и низкое энергопотребление, что делает его идеальным выбором для тех, кто ищет производительность и надежность в своей системе. Samsung - известный бренд, который зарекомендовал себя как производитель высококачественной электроники.

Оперативная память ENTADM DDR3 может обеспечить стабильное повышение производительности старых компьютеров. Предусмотрены варианты модулей памяти объемом от 4 ГБ до 8 ГБ, простота установки - просто подключи и играй, совместимость с материнскими платами Intel и AMD. 100% тестирование и пожизненная гарантия, бесплатная техническая поддержка. Пожалуйста, обратите внимание: G41 / Q58 / Н55 / P55 / Р41 / Р43 / Р45 эти модели материнских плат могут поддерживать только максимальный модуль памяти 256 МБ * 8 бит

Категория: комплектующие для ноутбуков. Socket 479P на шарах

Модуль памяти - небольшая печатная плата, на которой размещены микросхемы запоминающего устройства, обычно ОЗУ. В зависимости от форм-фактора выводы могут реализовываться в виде штырьков располагаться в виде дорожек, подходящих к краю ножевого разъёма с одной стороны платы, либо двух. Оперативная память, или оперативное запоминающее устройство (ОЗУ) — временное хранилище для данных, необходимых для работы игр и программ.

Модуль памяти (оперативная память, RAM) Samsung SODIMM DDR3 8Гб 1333 mhz PC3-10600 Парт номер: M471B1G73DB0-CK0 Напряжение питания 1.5 Вольта (Может использоваться в ноутбуках где стандарт DDR3 (без L) DDR3L память может использоваться вместо DDR3 (в свою очередь DDR3 вместо DDR3L использовать нельзя).