Оперативная Память Ram Ddr333 Ibm 1x512mb Reg Ecc Pc2700 [73p2266]

Оперативная память DDR2 (2GB), SODIMM - 667MHz Латентность: CL6. Напряжение питания: 1.8В

Тип товара: Память (модули, комплекты); Модель: AH4U08G26C08YTBAA-1; Тип оборудования: Оперативная память; Частота (MHz): DDR4 - 2666; Тип модуля: DIMM; Объем одного модуля (ГБ): 8; Количество модулей в комплекте (шт): 1; Общий объем памяти (ГБ): 8; Пропускная способность (МБ/с): 21300; Радиатор: Есть.

Категория: Proliant Memory Подкатегория: Genuine HP Memory Емкость: 512 MB Технология: DDR SDRAM Модель: 345112-851 Hewlett-Packard 413384-001 SPS-MEM DIMM

Оперативная память BaseTech - это высокая скорость работы, сниженное энергопотребление и повышенная надежность.

Модуль памяти (оперативная память, RAM) для персонального компьютера Samsung DIMM DDR3 8Гб 1333 mhz. 2 Штуки Напряжение питания 1.5V

Оперативная память Kingston FURY Beast Black – комплект из двух модулей по 8 ГБ, в котором одновременно воплощены мощный вычислительный потенциал и стабильность функционирования. Память с частотой 3733 МГц обеспечивает быструю обработку требовательных ресурсов и плавное отображение динамичной картинки. На модулях размещены радиаторы из алюминия в классической расцветке, которые способствуют быстрому отведению тепла и предотвращают перегрев.

DDR4, 16 Гб (3200 МГц), модулей 1 • SODIMM

Название товара: Модуль оперативной памяти; Назначение: для компьютера; Количество модулей памяти в комплекте: 1; Тип модуля памяти: DDR4; Объём: 16Gb; Объем одного модуля памяти: 16Gb; Форм-фактор: DIMM; Пропускная способность (Рабочая частота): PC4-21300 2666MHz; Особенности: NON-ECC; Код вендора: KF426C13RB1/16; Тайминги: 13-15-15; Латентность: CL13; Питание: 1.35 В; Охлаждение: Пассивное (радиатор на чипах)

Оперативная память DIMM BIWINTECH 8GB DDR4-3200 (B14AU8G53222R#A)

Чтобы сохранять лидерство, повысьте производительность своей системы на базе процессоров AMD или Intel с помощью ультрабыстродействующих модулей памяти Kingston FURYв„ў Renegade DDR4. Благодаря частоте до 5333 МГц и таймингам CL13 - CL20 вы сможете повысить частоту кадров, обеспечить плавность потокового видео и улучшить качество монтажа отснятого материала. Теплоотвод в агрессивном стильном черном цвете и соответствующая черная печатная плата PCB остудят пыл и вселят страх в сердца ваших врагов.

Оперативная память Micron DDR3 8 ГБ 1333 MHz DIMM PC3-10600U 1x8 ГБ

Оперативная память для ноутбука SODIMM DDR4 16Гб Samsung M474A2K43DB1-CVF non-ECC 2933MHz (PC-23400) 260pin, 1.2V, Retail

Модуль памяти DDR4 8 Гб x 1 шт. PC4-32000 (DDR4 4000 МГц) Радиаторы на чипах памяти Напряжение: Напряжение памяти нестандартное

объем памяти: 8 ГБ тип: DDR3 DIMM 240-pin тактовая частота: 1600 МГц тайминги: 11 напряжение питания: 1.5 В пропускная способность: PC12800

Производитель Thermaltake Модель Thermaltake TOUGHRAM RGB Код производителя R009R432GX2-3200C16A Тип памяти DDR4 Форм-фактор памяти DIMM Количество модулей в комплекте 2 шт Объем одного модуля памяти 32 ГБ Суммарный объем памяти всего комплекта 64 ГБ Тактовая частота 3200 МГц Пропускная способность 25600 МБ/с Регистровая память нет ECC-память нет Тайминги 16-18-18-36 CAS Latency (CL) 16 RAS to CAS Delay (tRCD) 18 тактов Row Precharge Delay (tRP) 18 тактов Active to Precharge Delay (tRAS)

Модуль памяти Kingston KF432C16RBA/32 имеет тип памяти DDR4 и объем памяти 32 ГБ. Частота памяти модуля составляет 3200 МГц.

Внимание! Товар продается комплектом:[Модуль памяти Netac DDR3 DIMM 8Gb 1600Mhz, (NTBSD3P16SP-08) CL11] X 5 шт. Оперативная память Netac 8 ГБ NTBSD3P16SP-08 (DIMM DDR3) Внешний вид и/или характеристики товара могут быть изменены производителем в соответствии с производственным процессом.

Новая в уп. Используются чипы производства Samsung, Hynix, Micron Тип памяти: DDR3; Общий объём памяти, Гб: 4; Количество модулей: 1; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Форм-фактор: SO-DIMM ; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 11; Напряжение питания: 1.35 В; Количество ранков: 2; Количество чипов каждого модуля: 16, двусторонняя упаковка Оперативная память для ноутбука Kllisre

Оперативная память DDR3 (8GB), DIMM - 1333MHz Латентность: CL9. Напряжение питания: 1.5 В

Тип: оперативная память; Цвет: черный