Скидка 24% на Оперативная Память 2gb Ddr-Ii 800mhz Amd (R322g805u2s-Ug)

TSLD4-3200-CL22-8G Оперативная память TESLA (TSLD4-3200-CL22-8G) 8 ГБ

D_HEIGHT 26 D_LENGTH 4.35 D_WIDTH 36.5 EANUPCCode 280 Error-correcting code (ECC) Нет Буферизованная (Registered) Нет Комплектующие для ПК/сервер Конфигурация памяти (модули х емкость) 1 x 8 GB Объем, ГБ 8 GB Рабочее напряжение, В 1.2 V Тип DDR4 Тип буферной памяти Unregistered (unbuffered) Форм-фактор 288-pin DIMM Частота, МГц 3200 MHz . adpar_property_list { width:100%; margin:0px 0px 0px; color:#555; } .

Оперпамять Compit CMPTDDR416GBSD2666 DDR4 16GB SODIMM 2666MHz имеет 16-гигабайтовый модуль, высоту в 31.25 мм, ее отличает современный продуктивный тип DDR 4, обеспечивающий большую, по сравнению с DDR3 энергоэффективность и пропускную способность, так что даже в условиях многозадачности система гарантирует хороший отклик. На это же работает и диапазон рабочих частот до 2666 МГц. Энергопотребление с напряжением 1,2 В, без радиатора охлаждения так как исключён перегрев микросхем.

Тип товара: Память (модули, комплекты); Модель: CD4-US04G26M19-01; Тип оборудования: Оперативная память; Частота (MHz): DDR4 - 2666; Тип модуля: DIMM; Объем одного модуля (ГБ): 4; Количество модулей в комплекте (шт): 1; Общий объем памяти (ГБ): 4; Пропускная способность (МБ/с): 21300.

Название товара: Комплект из 2-х модулей оперативной памяти; Назначение: для компьютера; Количество модулей памяти в комплекте: 2; Тип модуля памяти: DDR4; Объём: 32Gb; Объем одного модуля памяти: 16Gb; Форм-фактор: DIMM; Пропускная способность (Рабочая частота): PC4-25600 3200MHz; Особенности: NON-ECC, Unbuffered; Код вендора: NTSWD4P32DP-32W; Тайминги: 16-20-20-40; Латентность: CL16; Питание: 1.35 В; Охлаждение: Пассивное (радиатор на чипах)

D_HEIGHT 21 D_LENGTH 50 D_WIDTH 45 EANUPCCode 6926337234915 Error-correcting code (ECC) Нет Буферизованная (Registered) Нет Объем, ГБ 16 GB Рабочее напряжение, В 1.35 В Тип DDR4 Форм-фактор 288-pin DIMM Частота, МГц 2666 MHz . adpar_property_list { width:100%; margin:0px 0px 0px; color:#555; } . adpar_property_list td { vertical-align: bottom; font-size:13px; vertical-align: top; background: url(images/dott. png)

Тип памяти: Unbuffered Форм-фактор: DIMM Стандарт памяти: DDR4 Объем одного модуля: 16 ГБ Количество модулей в комплекте: 1 шт Суммарный объем: 16 ГБ Эффективная частота: 2666 МГц Пропускная способность: 21300 Мб/с Поддержка ECC: Нет Низкопрофильная: Нет Количество чипов на модуле: 16 шт Количество контактов: 288 CAS Latency (CL): 16 RAS to CAS Delay (tRCD): 18 Row Precharge Delay (tRP): 18 Activate to Precharge Delay (tRAS)

Тип памяти: DDR3; Общий объём памяти, Гб: 4; Тактовая частота: 1600 МГц; Форм-фактор: DIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered)

Техническое описание Тип: оперативная память Стандарт: DDR4 Форм-фактор: DIMM Объем одного модуля: 8 ГБ Количество модулей в комплекте: 1 шт. Суммарный объем: 8 ГБ Эффективная частота: 3200 МГц Пропускная способность: 25600 Мб/с Поддержка ECC: нет Буферизованная (регистровая): нет Низкопрофильная: нет Количество контактов: 288 Тайминги CAS Latency (CL): 22 Напряжение питания: 1.2 В Максимальная выделяемая мощность: 3 Вт Нормальная операционная температура (Tcase)

Миниатюрные размеры модуля памяти Foxline делают его подходящим для использования в ноутбуках. Достаточно высокая частота этого модуля оперативной памяти обеспечивает его высокую производительность (этот параметр легко можно отследить с помощью стандартного теста, проведенного любой операционной системой). Установка модуля проста, не занимает много времени и не требует от вас наличия специальных знаний и умений.

Оперативная память произведена с учетом требований современных компьютерных систем, что гарантирует ее универсальность и надежность. Модули относятся к классу DDR4, обладают емкостью 2х8 ГБ и 288-контактными модулями DIMM? Предельная частота работы устройства достигает 3200 МГц, а пропускная способность – 25600 Мб/с.

Новое устройство в заводской упаковке. Гарантия от производителя

Оперативная память для ноутбука 2GB 667MHz DDR2 PC2-5300S HMP125S6EFR8C-Y5. Производится из высококачественных материалов, что гарантирует стабильную работу и высокий срок службы.

Оперативная память 4 ГБ 1 шт. Hynix DDR3L 1600 DIMM 4Gb 4GB 1Rx8 PC3L-12800U-11-13-A1 HMT451U6DFR8A-PB

Название товара: Модуль оперативной памяти; Назначение: для ноутбука; Количество модулей памяти в комплекте: 1; Тип модуля памяти: DDR4; Объём: 4Gb; Объем одного модуля памяти: 4Gb; Форм-фактор: SO-DIMM; Пропускная способность (Рабочая частота): PC4-19200 2400MHz; Особенности: NON-ECC; P\\N: R744G2400S1S-UO; Тайминги: 17; Латентность: CL17; Питание: 1.2 В; Охлаждение: Нет; Прочие особенности и свойства: н/д; Размеры, вес: н/д

Характеристики – Тип памяти: DDR3 Форм фактор: DIMM Количество контактов: 240 Тактовая частота6 1333 МГц Пропускная способность: 10600 Мб/с Объем: 1 модуль 1Gb Общий объём: 1 Гб Поддержка ECC: нет Буферизованная (Registered): нет Низкопрофильная (Low Profile)

Оперативная память корпоративного класса для серверов

Оперативная память ENTADM DDR4 может обеспечить стабильное повышение производительности компьютера. Предусмотрены варианты модулей памяти объемом 4 ГБ / 8 ГБ / 16 ГБ / 32 ГБ, простота установки - просто подключи и играй, совместимость с материнскими платами Intel и AMD. 5 лет гарантии, бесплатная бессрочная техническая поддержка. (Если Вам нужна консультация по техническим вопросам, пожалуйста, свяжитесь с нами)

Память DDR4 SODIMM 8Gb, 3200MHz TESLA (TSLD4NB-3200-CL22-8G)

D_HEIGHT 12 D_LENGTH 0.2 D_WIDTH 16.7 EANUPCCode 6926337235332 Error-correcting code (ECC) Нет Буферизованная (Registered) Нет Объем, ГБ 16 GB Рабочее напряжение, В 1.1 V Тип DDR5 Форм-фактор 288-pin DIMM Частота, МГц 4800 MHz . adpar_property_list { width:100%; margin:0px 0px 0px; color:#555; } . adpar_property_list td { vertical-align: bottom; font-size:13px; vertical-align: top; background: url(images/dott. png)

DDR2, объём: 1 модуль на 2Gb, тактовая частота: 800 MHz, форм-фактор: DIMM 240-контактный, скорость: PC-6400, поддержка ECC: нет, Low Profile: нет, Registered: нет (QUM2U-2G800T6R)

Оперативная память 2 ГБ 1 шт. Hynix DDR2 800 SO-DIMM 2Gb Оперативная память DDR2 второго поколения вышла в продажу в 2003 году и отличается от оперативной памяти DDR удвоенной частотой пропускания, более совершенной конструкцией, способствующей лучшему охлаждению и меньшим энергопотреблением.

Оперативная память произведена с учетом требований современных компьютерных систем, что гарантирует ее универсальность и надежность. Модуль относится к классу DDR4, обладает емкостью 32 ГБ и 288-контактным модулем RDIMM. Предельная частота работы устройства достигает 3200 МГц, а пропускная способность – 25600 Мб/с.