Скидка 45% на Оперативная Память Для Ноутбука Entadm Ddr4 8Гб 2666 Мгц 12В

Модуль памяти - небольшая печатная плата, на которой размещены микросхемы запоминающего устройства, обычно ОЗУ. В зависимости от форм-фактора выводы могут реализовываться в виде штырьков располагаться в виде дорожек, подходящих к краю ножевого разъёма с одной стороны платы, либо двух. Оперативная память, или оперативное запоминающее устройство (ОЗУ) — временное хранилище для данных, необходимых для работы игр и программ.

Тип товара: Память (модули, комплекты); Модель: CD4-SS16G32M22-01; Тип оборудования: Оперативная память; Частота (MHz): DDR4 - 3200; Тип модуля: SO-DIMM; Объем одного модуля (ГБ): 16; Количество модулей в комплекте (шт): 1; Общий объем памяти (ГБ): 16; Пропускная способность (МБ/с): 25600.

CAS Latency (CL): 22 RAS to CAS Delay (tRCD): 22 Row Precharge Delay (tRP): 22 Поддержка ECC: нет Тип памяти: DDR4 Форм-фактор модуля памяти: DIMM Объем одного модуля: 32 ГБ Количество модулей в комплекте: 1 Тактовая частота: 3200 МГц Пропускная способность: 25600 МБ/с Напряжение питания: 1.2 В Низкопрофильная (Low Profile)

Память DDR4 8Gb 3200MHz Kingmax KM-SD4-3200-8GS RTL CL17 SO-DIMM 260-pin 1.2В dual rank

Модель R7432G2606S2S-U Количество контактов 260-pin Показатель скорости PC4-21300 Скорость (тест) 2666МГц Напряжение (тест) 1.2В Задержка (тест) 19-19-19-43 Латентность CL19 Бренд AMD PartNumber/Артикул Производителя R7432G2606S2S-U Количество чипов 16 Размер (модули памяти) 32768/2666 Вес упаковки (ед) 0.013 Серия Radeon R7 Performance Series Тип памяти DDR4 Объем 32768 Частотная спецификация 2666 Количество в упаковке 1 Тип поставки Ret Форм-фактор SO-DIMM Буферизация unbuffered EANCode 4897065183603 .

Оперативная память корпоративного класса для серверов

Оперативная память BaseTech - это высокая скорость работы, сниженное энергопотребление и повышенная надежность.

Оперативная память Kingston Server Premier DDR4 32GB RDIMM 3200MHz ECC Registered 1Rx4, 1.2V (Hynix C Rambus)

Оперативная память для ноутбука SODIMM DDR4 16Гб Samsung M471A1G43EB1-CTD 2666MHz (PC-21300) 260pin, 1.2V, Retail

Оперативная память ENTADM DDR4 может обеспечить стабильное повышение производительности компьютера. Предусмотрены варианты модулей памяти объемом 4 ГБ / 8 ГБ / 16 ГБ / 32 ГБ, простота установки - просто подключи и играй, совместимость с материнскими платами Intel и AMD. 5 лет гарантии, бесплатная бессрочная техническая поддержка. (Если Вам нужна консультация по техническим вопросам, пожалуйста, свяжитесь с нами)

Оперативная память 2 ГБ 1 шт. Hynix DDR2 800 SO-DIMM 2Gb Оперативная память DDR2 второго поколения вышла в продажу в 2003 году и отличается от оперативной памяти DDR удвоенной частотой пропускания, более совершенной конструкцией, способствующей лучшему охлаждению и меньшим энергопотреблением.

Модуль памяти (оперативная память, RAM) для персонального компьютера Hynix DIMM DDR3 4Гб 1333 mhz. Напряжение питания 1.5V

Оперативная память Kingston DRAM 64GB 3200MHz DDR4 CL16 DIMM (Kit of 2) FURY Renegade RGB EAN: 74061

Память оперативная DDR4 8Gb Kingston Fury Beast Black 3200MHz CL16 (KF432C16RB/8)

Достигайте предела возможностей с помощью флагманской серии DDR5 Viper Xtreme 5. Обладая невероятно высокой скоростью до 8000MHz и ёмкостью в 32GB, память Viper Xtreme 5 создана для рекордной производительности и разгона. Модули Viper Xtreme 5 оснащены микросхемой управления питанием PMIC, для повышения эффективности работы и снижения энергопотребления. Встроенный термодатчик контролирует нагрев и увеличивает срок службы модулей. Стильные радиаторы охлаждения с RGB-подсветкой станут украшением любой сборки.

Данные появятся в скором времени

объем памяти: 8 ГБ тип: DDR3 DIMM 240-pin тактовая частота: 1600 МГц тайминги: 11 напряжение питания: 1.5 В пропускная способность: PC12800

Гарантия: 36 месяцев Тип памяти: Unbuffered Форм-фактор: DIMM Стандарт памяти: DDR4 Объем одного модуля, ГБ: 16 Количество модулей в комплекте, шт: 1 Суммарный объем, ГБ: 16 Эффективная частота, МГц: 2666 Пропускная способность, Мб/с: 21300 Поддержка ECC: Нет Низкопрофильная: Нет Количество чипов на модуле, шт: 16 Количество контактов: 288 CAS Latency (CL): 16 RAS to CAS Delay (tRCD): 18 Row Precharge Delay (tRP): 18 Activate to Precharge Delay (tRAS)

Работает на напряжениях 1.5В 1.35В Оперативная память DDR3 (4GB), SODIMM - 1333MHz Латентность: CL9. Напряжение питания: 1.5В 1.35В

Оперативная память AMD 32 Gb DIMM DDR4 3200 MHz R9 Gamers Series Black Gaming (R9S432G3206U2S)

Тестер АКБ Iphone 5s-XR, Android Kaisi K-9208 v21

Модуль памяти 8GB AMD Radeon DDR5 4800 DIMM Entertainment Series Black Gaming Memory R558G4800U1S-U Non-ECC, CL40, 1.1V, RTL