Модуль Памяти Kingston Ksm26ed8/16mr

Модуль памяти 8GB AMD Radeon DDR5 4800 DIMM Entertainment Series Black Gaming Memory R558G4800U1S-U Non-ECC, CL40, 1.1V, RTL

Производитель Thermaltake Модель Thermaltake TOUGHRAM RGB Код производителя R009R432GX2-3200C16A Тип памяти DDR4 Форм-фактор памяти DIMM Количество модулей в комплекте 2 шт Объем одного модуля памяти 32 ГБ Суммарный объем памяти всего комплекта 64 ГБ Тактовая частота 3200 МГц Пропускная способность 25600 МБ/с Регистровая память нет ECC-память нет Тайминги 16-18-18-36 CAS Latency (CL) 16 RAS to CAS Delay (tRCD) 18 тактов Row Precharge Delay (tRP) 18 тактов Active to Precharge Delay (tRAS)

Гарантия: 12 месяцев Серия продукции: Fury Тип памяти: Unbuffered Форм-фактор: DIMM Стандарт памяти: DDR5 Объем одного модуля, ГБ: 8 Количество модулей в комплекте, шт: 1 Суммарный объем, ГБ: 8 Эффективная частота, МГц: 5600 Пропускная способность, Мб/с: 44800 Поддержка ECC: On-Die ECC Низкопрофильная: Нет Количество чипов на модуле, шт: 4 Количество ранков: 1 Количество контактов: 288 CAS Latency (CL): 40 RAS to CAS Delay (tRCD): 39 Row Precharge Delay (tRP)

Оперативная память TESLA - это высокая скорость работы, сниженное энергопотребление и повышенная надежность.

32 Гб, 2 модуля DDR5, 48000 Мб/с, CL36-36-36-96, 1.35 В, XMP профиль, радиатор

Оперативная память JRam [JRL8G1600D3] имеет емкость 8 ГБ, и может использоваться как в качестве единственного модуля памяти, так и в комбинации с другими модулями памяти. Модель соответствует популярному типу DDR3, и может устанавливаться в офисные и домашние компьютеры, ориентированные на выполнение задач средней сложности. Установка этого модуля памяти может стать хорошей стартовой платформой для апгрейда: докупив затем второй такой же модуль, вы получите еще более высокий уровень производительности.

объем памяти: 16 ГБ (2 планки по 8 ГБ) тип: DDR4 DIMM 288-pin тактовая частота: 3200 МГц тайминги: 16-20-20-40 напряжение питания: 1.35 В пропускная способность: PC25600 радиатор: да поддержка XMP: да

Название Оперативная память Samsung DDR4 ECC RDIMM 8 Гб, 3200 МГц. Тип DDR4. Форм-фактор DIMM. Количество модулей в комплекте 1 шт. Объем одного модуля 8 ГБ. Тактовая частота 3200 МГц. Пропускная способность PC25600. CL 22. Напряжение питания 1.2 В. Количество рангов 1. Количество контактов 288. Особенности Registered. Гарантийный срок 1 г.

D_HEIGHT 21 D_LENGTH 50 D_WIDTH 45 EANUPCCode 6926337234915 Error-correcting code (ECC) Нет Буферизованная (Registered) Нет Объем, ГБ 16 GB Рабочее напряжение, В 1.35 В Тип DDR4 Форм-фактор 288-pin DIMM Частота, МГц 2666 MHz . adpar_property_list { width:100%; margin:0px 0px 0px; color:#555; } . adpar_property_list td { vertical-align: bottom; font-size:13px; vertical-align: top; background: url(images/dott. png)

Оперативная память Micron DDR3 8 ГБ 1333 MHz DIMM PC3-10600U 1x8 ГБ

Форм-фактор: SO-DIMM Частотная спецификация: 1600 Буферизация: unbuffered Показатель скорости: PC3-12800 Количество контактов: 204-pin Латентность: CL11 Тип поставки: Ret Тип памяти: DDR3 Количество в упаковке: 1 Объем: 8192 PartNumber/Артикул Производителя: SP008GBSTU160N02 Бренд: SILICON POWER Модель: SP008GBSTU160N02 Скорость (тест): 1600МГц Напряжение (тест): 1.5В Задержка (тест)

Модуль памяти DDR4 16 Гб x 1 шт. PC4-19200 (DDR4 2400 МГц) Напряжение: 1.2 В (DDR4)

Артикул № 1016815 Память DDR5 серии Trident Z5 RGB предназначена для обеспечения сверхвысокой производительности на платформах DDR5. Благодаря изящному дизайну алюминиевого радиатора, память DDR5 DRAM серии Trident Z5 RGB является идеальным выбором для построения высокопроизводительной системы. Экстремальная производительность DDR5 Открывая новую эру производительности памяти со сверхбыстрыми скоростями передачи данных, Trident Z5 RGB создана в соответствии с высокими стандартами производительности и

Артикул № 1002228 Память CORSAIR VENGEANCE RGB RT DDR4 оживит внешний вид вашего ПК и обеспечит высочайшую производительность, оптимизированную для систем AMD. совместимость С RYZEN Материнские платы AMD с поддержкой DDR4 оптимизированы для обеспечения высокой пропускной способности и короткого времени отклика при работе с самыми современными компонентами системы Ryzen.

Оперативная память Kingspec DDR4 16Gb 2666MHz pc-21300 CL17 (KS2666D4P12016G)

С модулями памяти Kingston FURYв„ў Impact DDR4 SODIMM ваш ноутбук или ПК получат все необходимые ресурсы для повышения скорости работы. Модули памяти FURY Impact DDR4, поддерживающие процессоры AMD Ryzenв„ў и профили памяти IntelВ® XMP, имеющие сертификат XMP и предлагаемые в комплектах емкостью до 64 ГБ, включают инновационную технологию разгона памяти Plug N Play от компании Kingston, которая автоматически задействует заданные на заводе-изготовителе частоту и тайминги латентности без необходимости

Модуль памяти Samsung SODIMM DDR3L 8Гб 1600 mhz 1,35V Краткое наименование Модуль памяти для SAMSUNG DDR3L - 8Гб 1600 1,35V Объем одного модуля 8Гб Тип DDR3L

Память DDR4 SODIMM 8Gb, 3200MHz TESLA (TSLD4NB-3200-CL22-8G)

Название Модуль памяти SO-DDR3L 8Gb 1600MHz Silicon Power SP008GLSTU160N02 1.35V. Тип DDR3L. Форм-фактор SODIMM. Количество модулей в комплекте 1 шт. Объем одного модуля 8 ГБ. Тактовая частота 1600 МГц. Пропускная способность PC12800. CL 11. Напряжение питания 1.35 В. Срок службы 2 г. Гарантийный срок 1 г.

Оперативная память для ноутбука HP 2E2M5A SO-DIMM 8Gb DDR4 3200 MHz 2E2M5AA#ABB

Оперативная память 2 ГБ 1 шт. Hynix DDR2 800 SO-DIMM 2Gb Оперативная память DDR2 второго поколения вышла в продажу в 2003 году и отличается от оперативной памяти DDR удвоенной частотой пропускания, более совершенной конструкцией, способствующей лучшему охлаждению и меньшим энергопотреблением.

32 Гб, DDR4, 25600 Мб/с, CL22, 1.2 В

Модуль энергонезависимой памяти на базе микросхемы EEPROM AT24C08. Энергонезависимая электрически стираемая память. Емкость: 8Кб (1024 x 8)