Оперативная Память 4 Гб 1 Hynix Ddr3l 1600 Dimm 4gb Hmt451u6dfr8a-Pb

Оперативная память ELPIDA DDR2 2GB 2Rx8 PC2-6400S-666 Оперативная память DDR2 второго поколения вышла в продажу в 2003 году и отличается от оперативной памяти DDR удвоеной частотой пропускания, более совершенной конструкцией, способствующей лучшему охлаждению и меньшим энергопотреблением. Данные платы состоят из 16 чипов памяти общим обьемом 2Gb от проверенного японского производителя Elpida и работают на частоте 800Mhz.

Оперпамять Compit CMPTDDR416GBD3200 DDR4 16GB DIMM 3200MHz имеет 16-гигабайтовый модуль, высоту в 31.25 мм, ее отличает современный продуктивный тип DDR 4, обеспечивающий большую, по сравнению с DDR3 энергоэффективность и пропускную способность, так что даже в условиях многозадачности система гарантирует хороший отклик. На это же работает и диапазон рабочих частот до 3200 МГц. Энергопотребление с напряжением 1,2 В, без радиатора охлаждения так как исключён перегрев микросхем.

Артикул № 992677 Модули памяти Kingston FURY Beast Black обеспечивают высокие технологии для игровых платформ последнего поколения. Память DDR5, отличающаяся более высокой скоростью, емкостью и надежностью, поставляется с набором расширенных функций, таких как накристальная функция обнаружения и исправления ошибок (ODECC) для повышения стабильности на экстремальных скоростях, два 32-битных подканала для повышения эффективности и встроенная в модуль интегральная микросхема управления питанием для подачи

Модуль памяти (оперативная память, RAM) Samsung SODIMM DDR3 8Гб 1333 mhz PC3-10600 Парт номер: M471B1G73DB0-CK0 Напряжение питания 1.5 Вольта (Может использоваться в ноутбуках где стандарт DDR3 (без L) DDR3L память может использоваться вместо DDR3 (в свою очередь DDR3 вместо DDR3L использовать нельзя).

Тип: модуль памяти Назначение: для хранения данных Тип памяти: DDR4 Форм-фактор: DIMM Объем одного модуля: 16 Гб Пропускная способность: 28800 Мб/с Поддержка ECC: нет Количество контактов: 288 CAS Latency (CL): 16 RAS to CAS Delay (tRCD): 20 Row Precharge Delay (tRP): 20 Количество ранков: 2 Activate to Precharge Delay (tRAS): 32 Поддержка XMP: да Напряжение питания: 1.35 В Тактовая частота: 3600 МГц Буферизованная (Registered)

Kingston FURY Impact KF426S15IB/8С модулями памяти Kingston FURY™ Impact DDR4 SODIMM ваш ноутбук или ПК получат все необходимые ресурсы для повышения скорости работы. Модули памяти FURY Impact DDR4, поддерживающие процессоры AMD Ryzen™ и профили памяти Intel® XMP, имеющие сертификат XMP и предлагаемые в комплектах емкостью до 64 ГБ, включают инновационную технологию разгона памяти Plug N Play от компании Kingston, которая автоматически задействует заданные на заводе-изготовителе частоту и тайминги

Оперативная память корпоративного класса для серверов

Категория: комплектующие для ноутбуков. Socket 479P на шарах

Основные характеристики - Назначение: стационарные (настольные) ПК - Объем модуля памяти: 16 Гб - Тип памяти: DDR4 - Частота памяти: 3600 МГц - Количество слотов памяти: 1 - Форм фактор поддерживаемой памяти: U-DIMM - Пропускная способность: 28800 Мб/с - Игровая память: да - Возможность разгона: да Модуль - Конструкция модуля памяти: односторонняя - Ранг модуля памяти: Single - Количество чипов модуля: 8 Тайминги - CAS Latency (CL): CL18 - RAS to CAS Delay (tRCD): 22 - Row Precharge Delay (tRP)

Производитель Thermaltake Модель Thermaltake TOUGHRAM RGB Код производителя R009R432GX2-3200C16A Тип памяти DDR4 Форм-фактор памяти DIMM Количество модулей в комплекте 2 шт Объем одного модуля памяти 32 ГБ Суммарный объем памяти всего комплекта 64 ГБ Тактовая частота 3200 МГц Пропускная способность 25600 МБ/с Регистровая память нет ECC-память нет Тайминги 16-18-18-36 CAS Latency (CL) 16 RAS to CAS Delay (tRCD) 18 тактов Row Precharge Delay (tRP) 18 тактов Active to Precharge Delay (tRAS)

Внимание! Товар продается комплектом:[Модуль памяти Netac DDR3 DIMM 8Gb 1600Mhz, (NTBSD3P16SP-08) CL11] X 5 шт. Оперативная память Netac 8 ГБ NTBSD3P16SP-08 (DIMM DDR3) Внешний вид и/или характеристики товара могут быть изменены производителем в соответствии с производственным процессом.

Модуль памяти DDR4 4GB Kingmax KM-LD4-2400-4GS

в комплектеции 1шт планка Прежде чем покупать. убедитесь в том что она вам подходит, или задайте мне вопрос, укажите модель процессора или полную модель ноутбука Оперативная память SODIMM Samsung DDR3 объемом 4 Гб 800 МГц 2Rx8 - это один из лучших вариантов для ноутбуков. Она обеспечивает быструю работу системы и улучшает производительность. Преимущества оперативной памяти SODIMM Samsung: - Высокая скорость передачи данных; - Надежность и долговечность; - Совместимость с различными моделями ноутбуков

Оперативная память для компьютера Kingston FURY Renegade Black DIMM 32Gb DDR4 3600 MHz KF436C16RBK4/32

Hynix DDR3-1333 PC3-10600S 4Gb SODIMM 204PIN Модуль оперативной памяти для ноутбука Память от производителя Hynix объемом 4Гб. Память для ноутбука. Подробные характеристики данных модулей ищите в сети интернет. Также внимательно проверьте совместимость Вашего оборудования с данной памятью перед покупкой. Убедитесь, что Ваш ноутбук работает с данным типом памяти, а также поддерживает такой объем модуля. Вся память обязательно проверялась программой memtest перед размещением данного лота.

Назначение: для настольных ПК Тип памяти: DDR4 Форм-фактор: DIMM Объем одного модуля: 32 ГБ Поддержка ECC: нет CAS Latency (CL): 16 Радиатор: Да Тактовая частота: 3200 МГц Буферизованная (Registered)

8 Гб, DDR4 DIMM, 23400 Мб/с, CL19, ECC, буферизованная

Модуль памяти - небольшая печатная плата, на которой размещены микросхемы запоминающего устройства, обычно ОЗУ. В зависимости от форм-фактора выводы могут реализовываться в виде штырьков располагаться в виде дорожек, подходящих к краю ножевого разъёма с одной стороны платы, либо двух. Оперативная память, или оперативное запоминающее устройство (ОЗУ) — временное хранилище для данных, необходимых для работы игр и программ.

4 Гб, DDR4, 21300 Мб/с, CL19, 1.2 В

Модуль энергонезависимой памяти на базе микросхемы EEPROM AT24C08. Энергонезависимая электрически стираемая память. Емкость: 8Кб (1024 x 8)

8 Гб, DDR4, 25600 Мб/с, 1.2 В