Скидка 43% на Оперативная Память Samsung Sodimm Ddr3 8Гб 1333 Mhz

Название товара: Модуль оперативной памяти; Назначение: для ноутбука; Количество модулей памяти в комплекте: 1; Тип модуля памяти: DDR4; Объём: 4Gb; Форм-фактор: SO-DIMM; Пропускная способность (Рабочая частота)

Чтобы сохранять лидерство, повысьте производительность своей системы на базе процессоров AMD или Intel с помощью ультрабыстродействующих модулей памяти Kingston FURY™ Renegade DDR4. Благодаря частоте до 5333 МГц и таймингам CL13 - CL20 вы сможете повысить частоту кадров, обеспечить плавность потокового видео и улучшить качество монтажа отснятого материала. Теплоотвод в агрессивном стильном черном цвете и соответствующая черная печатная плата PCB остудят пыл и вселят страх в сердца ваших врагов.

Viper Gaming представляет новое поколение оперативной памяти DDR5 серии Viper Venom – самую быструю память в ассортименте Viper. Память DDR5 Viper Venom в два раза превосходит любую память DDR4 по своему быстродействию. Модули DDR5 Viper Venom разработаны с применением инновационных технологий, оснащены встроенной микросхемой управления питанием, для повышения эффективности работы и снижения энергопотребления. Встроенный термодатчик контролирует нагрев и увеличивает срок службы модулей.

Память DDR4 DIMM 16Gb, 2666MHz BaseTech (BTD42666C19-16GN)

CAS Latency (CL): 22 RAS to CAS Delay (tRCD): 22 Row Precharge Delay (tRP): 22 Activate to Precharge Delay (tRAS): 32 Поддержка ECC: есть Буферизованная (Registered): да Тип памяти: DDR4 Форм-фактор модуля памяти: DIMM Объем одного модуля: 8 ГБ Количество модулей в комплекте: 1 Тактовая частота: 3200 МГц Пропускная способность: 25600 МБ/с Напряжение питания: 1.2 В Низкопрофильная (Low Profile)

Модуль памяти - небольшая печатная плата, на которой размещены микросхемы запоминающего устройства, обычно ОЗУ. В зависимости от форм-фактора выводы могут реализовываться в виде штырьков располагаться в виде дорожек, подходящих к краю ножевого разъёма с одной стороны платы, либо двух. Оперативная память, или оперативное запоминающее устройство (ОЗУ) — временное хранилище для данных, необходимых для работы игр и программ.

16 Гб, 2 модуля DDR4, 32000 Мб/с, CL19-23-23-45, 1.35 В, XMP профиль, радиатор

Оперативная память с радиаторами игровая 3200Мгц обьемом 16Гб Используются чипы производства Hynix, SEC (Samsung), Micron и проходит через различные типы ручного тестирования, она в состоянии предоставить пользователям высокую производительностью и высокую стабильность работы системы в течении многолетнего периода. Радиатор на оперативной памяти увеличивает площадь поверхности, с которой рассеивается тепло- это очень важно для сброса лишнего тепла.

Тип: оперативная память; Цвет: черный

4 Гб, DDR4, 19200 Мб/с, CL17, 1.2 В

Оперативная память Digma DGMAD42666008D DDR4 - 8ГБ 2666, DIMM, Ret

Оперативная память Hynix 4 ГБ DDR3 PC3-12800 1600 МГц - это модуль оперативной памяти для компьютера или ноутбука, который имеет емкость 4 ГБ и скорость передачи данных на уровне 1600 МГц. DDR3 - это третье поколение двухпортовой динамической случайной доступной памяти (SDRAM), которое обеспечивает более высокие скорости передачи данных и более эффективное энергопотребление по сравнению с более ранними поколениями оперативной памяти.

Название товара: Комплект из 2-х модулей оперативной памяти; Назначение: для компьютера; Количество модулей памяти в комплекте: 2; Тип модуля памяти: DDR4; Объём: 32Gb; Объем одного модуля памяти: 16Gb; Форм-фактор: DIMM; Пропускная способность (Рабочая частота): PC4-25600 3200MHz; Особенности: NON-ECC, Unbuffered; Код вендора: NTSWD4P32DP-32W; Тайминги: 16-20-20-40; Латентность: CL16; Питание: 1.35 В; Охлаждение: Пассивное (радиатор на чипах)

Название товара: Комплект из 2-х модулей оперативной памяти; Назначение: для компьютера; Количество модулей памяти в комплекте: 2; Тип модуля памяти: DDR4; Объём: 16Gb; Объем одного модуля памяти: 8Gb; Форм-фактор: DIMM; Пропускная способность (Рабочая частота): PC4-26400 3300MHz; Особенности: NON-ECC; Код вендора: KF432C16RBAK2/16; Тайминги: 16-18-18; Латентность: CL16; Питание: 1.35 В; Охлаждение: Пассивное (радиатор на чипах)

Модуль памяти Corsair Venegance CMK64GX5M2B5200C40 представляет собой высокопроизводительный комплект из двух модулей DDR5 объемом по 32 ГБ каждый, общим объемом 64 ГБ. Модули памяти разработаны для использования современными процессорами Intel и AMD, а также платами с чипсетами, поддерживающими стандарт DDR5. Эти модули имеют тактовую частоту 5200 МГц, что обеспечивает высокую скорость передачи данных и позволяет работать с большим объемом информации.

Память DDR4 DIMM 16Gb, 2666MHz TESLA (TSLD4-2666-CL19-16G)

[Модуль памяти] CBR DDR4 DIMM (UDIMM) 4GB CD4-US04G26M19-01 PC4-21300, 2666MHz, CL19, 1.2V Activate to Precharge Delay (tRAS) 43 CAS Latency (CL) 19 масса(кг) 0.017 GTD Number 10005030/230323/3072153/17 GTIN 06973720601779 Cтрана-производитель Китай Партномер CD4-US04G26M19-01 RAS to CAS Delay (tRCD) 19 Row Precharge Delay (tRP) 19 Вес (грамм) - Высота (мм) - высота(см) 5.5 Габариты (мм) - гарантия 3 года длина(см) 17 Дополнительная информация - Количество контактов 288 Количество модулей в комплекте (шт)

Тип товара: Память (модули, комплекты); Модель: M378A1K43EB2-CWE; Тип оборудования: Оперативная память; Частота (MHz): DDR4 - 3200; Тип модуля: DIMM; Объем одного модуля (ГБ): 8; Количество модулей в комплекте (шт): 1; Общий объем памяти (ГБ): 8; Пропускная способность (МБ/с): 25600.

Hynix DDR3-1333 PC3-10600S 4Gb SODIMM 204PIN Модуль оперативной памяти для ноутбука Память от производителя Hynix объемом 4Гб. Память для ноутбука. Подробные характеристики данных модулей ищите в сети интернет. Также внимательно проверьте совместимость Вашего оборудования с данной памятью перед покупкой. Убедитесь, что Ваш ноутбук работает с данным типом памяти, а также поддерживает такой объем модуля. Вся память обязательно проверялась программой memtest перед размещением данного лота.