Оперативная Память 16gb Ddr4 3200mhz Samsung So-Dimm Oem

Назначение: Для компьютера Подсветка: Нет Тип памяти: DDR5 Форм-фактор: DIMM Количество модулей в комплекте: 1 CAS Latency (CL): 40 Частота (МГц): 5600 Пропускная способность (Мегабитс): 44800 Объем одного модуля (Гб): 16 Общий объем (Гб)

Данный тестер позволяет проверить цепи между слотом оперативной памяти и процессором. Это вторая версия тестера, и в отличие от первой она реверсированная. Красные светодиоды горят только в случае неисправности линии. (Или если тестер включен вне разъёма) При помощи батарейки СR2032 через процессор пропускается слабый ток, и если линия целая, то ток возвращается в тестер и гасит светодиод, отвечающий за эту линию. Светодиоды могут гореть в случае, если неисправность в процессоре.

Оперативная память ADATA 16Gb DDR4 3200MHz [AX4U320016G16A-SBKD35G

Оперативная память 4 ГБ 1 шт. Hynix DDR3L 1600 DIMM 4Gb 4GB 1Rx8 PC3L-12800U-11-13-A1 HMT451U6DFR8A-PB

Оперативная память BaseTech - это высокая скорость работы, сниженное энергопотребление и повышенная надежность.

Оперативная память в большинстве случаев энергозависимая часть системы компьютерной памяти, в которой во время работы компьютера хранится выполняемый машинный код, а также входные, выходные и промежуточные данные, обрабатываемые процессором.

Новая в уп. Используются чипы производства Samsung, Hynix, Micron Тип памяти: DDR3; Общий объём памяти, Гб: 8; Количество модулей: 1; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Форм-фактор: SO-DIMM ; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 11; Напряжение питания: 1.5 В; Количество ранков: 2; Количество чипов каждого модуля: 16, двусторонняя упаковка Оперативная память для ноутбука Kllisre

Память DDR4 SODIMM 8Gb, 2666MHz TESLA (TSLD4NB-2666-CL19-8G)

Оперативная память Micron DDR 3 SODIMM 4GB 1,35V 1600Mhz для ноутбука

32 Гб, DDR5, 38400 Мб/с, CL38, 1.1 В

8 Гб, DDR4, 25600 Мб/с, CL16, 1.35 В, XMP профиль, радиатор, подсветка

Новое устройство в заводской упаковке. Гарантия от производителя

Оперативная память для ноутбука SODIMM DDR4 16Гб Samsung M471A1G43EB1-CTD 2666MHz (PC-21300) 260pin, 1.2V, Retail

В комплекте 2шт низкий профиль Оперативная память Samsung DDR3 1600 МГц 2Rx8 8 ГБ PC3-12800 - это высококачественная память, которая обеспечивает быстрый и надежный доступ к данным в вашем компьютере. Она имеет высокую частоту работы 1600 МГц и объем 8 ГБ, что позволяет быстро обрабатывать большие объемы информации и запускать сложные программы. Оперативная память Samsung DDR3 имеет низкий профиль, что делает ее идеальным выбором для компактных систем и ноутбуков.

Серверная оперативная память ECC 3200Мгц 8Гб Не подходит на обычные десктопные компьютеры! Идеально подходит для материнских плат X99 и процессоров Xeon При производстве используются чипы производства Hynix, SEC (Samsung), Micron Радиатор на оперативной памяти увеличивает площадь поверхности, с которой рассеивается тепло- это очень важно для сброса лишнего тепла. Перегрев оперативной памяти чреват повреждениями, и ухудшением работы компьютера.

Название Оперативная память Samsung DDR4 ECC RDIMM 8 Гб, 3200 МГц. Тип DDR4. Форм-фактор DIMM. Количество модулей в комплекте 1 шт. Объем одного модуля 8 ГБ. Тактовая частота 3200 МГц. Пропускная способность PC25600. CL 22. Напряжение питания 1.2 В. Количество рангов 1. Количество контактов 288. Особенности Registered. Гарантийный срок 1 г.

Тип памяти: DDR4. Форм-фактор: DIMM. Суммарный объем: 8 ГБ. Тактовая частота: 4133 МГц. Профили Intel XMP: 4133 МГц (19-23-23). CAS Latency (CL): 19. RAS to CAS Delay (tRCD): 23. Row Precharge Delay (tRP): 23. Радиатор. Подсветка.

Оперативная память корпоративного класса для серверов

Тип памяти DDR4 Форм-фактор DIMM 288-контактный Тактовая частота 2400 МГц Пропускная способность 19200 Мб/с Объем 1 модуль 4 Гб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет CAS Latency (CL)

Оперативная память DIMM 2 Gb DDR3 1600 MHz AMD Radeon (R532G1601U1SL-U) PC3-12800

Модель R534G1601S1S-UG Количество контактов 204-pin Показатель скорости PC3-12800 Скорость (тест) 1600МГц Напряжение (тест) 1.5В Задержка (тест) 11-11-11-28 Латентность CL11 Бренд AMD PartNumber/Артикул Производителя R534G1601S1S-UG Размер (модули памяти) 4096/1600 Вес упаковки (ед) 0.016 Тип памяти DDR3 Объем 4096 Частотная спецификация 1600 Количество в упаковке 1 Тип поставки Ret Форм-фактор SO-DIMM Буферизация unbuffered EANCode 4897065184228 .