Оперативная Память Dimm Biwintech 8gb Ddr4-3200 (B14au8g53222r#A)

Оперативная память для компьютера Kingston FURY Renegade Black DIMM 32Gb DDR4 3600 MHz KF436C16RBK4/32

Артикул № 913535 Память Trident Z5 DDR5 — флагманская серия G.SKILL, предназначенная для сверхвысокой производительности на платформах следующего поколения. Память Trident Z5 DDR5 с элегантным и обтекаемым алюминиевым радиатором, является идеальным выбором для геймеров, оверклокеров, создателей контента и энтузиастов. Невероятно быстрая память DDR5 с экстремальной производительностью Открывая новую эру производительности, Trident Z5 обеспечивает беспрецедентную скорость по сравнению с памятью DDR4

Память DDR4 DIMM 16Gb, 2666MHz TESLA (TSLD4-2666-CL19-16G)

ОсновныеНаборНетОбъем2 ГБТипDDR3 SO-DIMMECCНетЧастота1600 МГцPC-индексPC3-12800CAS Latency11TНапряжение питания1.5 В Технические характеристикиПрофили XMPНетПрофили AMPНет КонструкцияОхлаждениеНетНизкопрофильный модульНет

Оперативная память Kingston - это высококачественный продукт, который зарекомендовал себя как надежный и производительный. Оперативная память Kingston имеет высокую частоту работы - 1600 МГц, что обеспечивает быструю обработку данных и плавное воспроизведение видео и игр. Кроме того, оперативная память Kingston отличается низким энергопотреблением и высокой стабильностью работы. Оперативная память Kingston DDR3 - это идеальное решение для тех, кто ищет высокопроизводительную и надежную оперативную память.

Модуль памяти Samsung SODIMM DDR3L 8Гб 1600 mhz 1,35V Краткое наименование Модуль памяти для SAMSUNG DDR3L - 8Гб 1600 1,35V Объем одного модуля 8Гб Тип DDR3L

Тип памяти DDR4 Форм-фактор DIMM 288-контактный Тактовая частота 2400 МГц Пропускная способность 19200 Мб/с Объем 1 модуль 4 Гб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет CAS Latency (CL)

Модуль памяти - небольшая печатная плата, на которой размещены микросхемы запоминающего устройства, обычно ОЗУ. В зависимости от форм-фактора выводы могут реализовываться в виде штырьков располагаться в виде дорожек, подходящих к краю ножевого разъёма с одной стороны платы, либо двух. Оперативная память, или оперативное запоминающее устройство (ОЗУ) — временное хранилище для данных, необходимых для работы игр и программ.

D_HEIGHT 28.5 D_LENGTH 38 D_WIDTH 32 EANUPCCode 4711085934635 Error-correcting code (ECC) Нет Буферизованная (Registered) Нет Объем, ГБ 16 GB Рабочее напряжение, В 1.35 V Тип DDR4 Форм-фактор 288-pin DIMM Частота, МГц 3600 MHz . adpar_property_list { width:100%; margin:0px 0px 0px; color:#555; } . adpar_property_list td { vertical-align: bottom; font-size:13px; vertical-align: top; background: url(images/dott. png)

Название товара: Комплект из 2-х модулей оперативной памяти; Назначение: для компьютера; Количество модулей памяти в комплекте: 2; Тип модуля памяти: DDR4; Объём: 32Gb; Объем одного модуля памяти: 16Gb; Форм-фактор: DIMM; Пропускная способность (Рабочая частота): PC4-25600 3200MHz; Особенности: NON-ECC, Unbuffered; Код вендора: NTSWD4P32DP-32W; Тайминги: 16-20-20-40; Латентность: CL16; Питание: 1.35 В; Охлаждение: Пассивное (радиатор на чипах)

Название товара: Комплект из 2-х модулей оперативной памяти; Назначение: для компьютера; Количество модулей памяти в комплекте: 2; Тип модуля памяти: DDR3; Объём: 8Gb; Объем одного модуля памяти: 4Gb; Форм-фактор: DIMM; Пропускная способность (Рабочая частота): PC3-12800 1600MHz; Особенности: NON-ECC; P\\N: KF316C10BBK2/8; Тайминги: 10-10-10; Латентность: CL10; Питание: 1.5 В; Охлаждение: Пассивное (радиатор на чипах)

Оперативная память для ноутбука Hynix DDR3L 4Gb 1600 Mhz So-Dimm PC3L-12800 для ноутбука

Модуль памяти - небольшая печатная плата, на которой размещены микросхемы запоминающего устройства, обычно ОЗУ. В зависимости от форм-фактора выводы могут реализовываться в виде штырьков располагаться в виде дорожек, подходящих к краю ножевого разъёма с одной стороны платы, либо двух. Оперативная память, или оперативное запоминающее устройство (ОЗУ) — временное хранилище для данных, необходимых для работы игр и программ.

16 Гб, DDR5, 44800 Мб/с, CL40, 1.1 В, радиатор

Базовая единица: шт Тип: DDR5 Форм-фактор: DIMM Количество модулей в комплекте: 2 шт. Объем одного модуля: 32 ГБ Тактовая частота: 6400 МГц Пропускная способность: PC51200 CL: 34 tRCD: 44 tRP: 44 Напряжение питания: 1.35 В Количество контактов: 288 Особенности: радиатор, XMP, игровая Линейка: T-Create Expert Упаковка чипов: односторонняя

Оперативная память 4 ГБ 1 шт. Hynix DDR3L 1600 DIMM 4Gb 4GB 1Rx8 PC3L-12800U-11-13-A1 HMT451U6DFR8A-PB

Оперативная память Adata DDR3 4gb 1.5v 1333 SO-DIMM для ноутбука 1шт -подходит для процессоров: -подходит на модельный ряд 2010-2013й -Intel: i3-1го i3-2го i3-3го (поколения) -Intel: i5-1го i5-2го i5-3го (поколения) -Intel: i7-1го i7-2го i7-3го (поколения) -AMD A8-3500M, A8-4500M, A10-4500M, A10-4600M Так же подходит для моноблоков, iMac, macbook) стареньких (лучше вопрос задайте) -если остались вопросы задайте, отвечу быстро укажите мне свой процессор, или маркировку ноутбука.

Оперативная память для ноутбука SODIMM DDR4 16Гб Samsung M474A2K43DB1-CVF non-ECC 2933MHz (PC-23400) 260pin, 1.2V, Retail

Модуль определения координат по спутникам GPS на чипе NEO-6M с керамической активной антенной. Интерфейс связи последовательный порт UART. Напряжение питания: 3В-5В; Последовательный порт, скорость связи по умолчанию 9600; Резервный аккумулятор; Светодиодный индикатор сигнала; Контакты: VCC, GND, TXD, RXD; Размеры антенны: 25 x 25 мм; Размеры модуля: 25 мм x 35 мм

Данные появятся в скором времени

Activate to Precharge Delay (tRAS) - CAS Latency (CL) 19 масса(кг) 0.017 GTD Number 10005030/210623/3165485/028 GTIN 00000000000000 Cтрана-производитель Вьетнам Партномер M378A1G44AB0-CWE RAS to CAS Delay (tRCD) 19 Row Precharge Delay (tRP) 19 Вес (грамм) - Высота (мм) 32 высота(см) 0.3 Габариты (мм) - гарантия 1 год длина(см) 13.2 Дополнительная информация - Количество контактов 288 Количество модулей в комплекте (шт) 1 Количество чипов на модуле - Компоновка чипов на модуле - Линейка - масса(кг)