Скидка 23% на Оперативная Память Для Ноутбука 4Гб Ddr3l 1333 Мгц So-Dimm Pc3l-10600s-Cl11 4gb 135v

D_HEIGHT 28.5 D_LENGTH 38 D_WIDTH 32 EANUPCCode 4711085934635 Error-correcting code (ECC) Нет Буферизованная (Registered) Нет Объем, ГБ 16 GB Рабочее напряжение, В 1.35 V Тип DDR4 Форм-фактор 288-pin DIMM Частота, МГц 3600 MHz . adpar_property_list { width:100%; margin:0px 0px 0px; color:#555; } . adpar_property_list td { vertical-align: bottom; font-size:13px; vertical-align: top; background: url(images/dott. png)

Серверная оперативная память ECC 3200Мгц 8Гб Не подходит на обычные десктопные компьютеры! Идеально подходит для материнских плат X99 и процессоров Xeon При производстве используются чипы производства Hynix, SEC (Samsung), Micron Радиатор на оперативной памяти увеличивает площадь поверхности, с которой рассеивается тепло- это очень важно для сброса лишнего тепла. Перегрев оперативной памяти чреват повреждениями, и ухудшением работы компьютера.

В комплекте 2шт Оперативная память Kingston SODIMM DDR3 1600 8 ГБ 2Rx8 - это идеальное решение для ноутбуков, которые требуют высокой производительности и быстрой обработки данных. Эта память обеспечивает максимальную скорость передачи данных и высокую эффективность работы системы, что позволяет быстро выполнять задачи и запускать программы без задержек. Kingston SODIMM DDR3 - это надежный и качественный продукт, который уже заслужил доверие многих пользователей.

Производитель Thermaltake Модель Thermaltake TOUGHRAM RGB Код производителя R009R432GX2-3200C16A Тип памяти DDR4 Форм-фактор памяти DIMM Количество модулей в комплекте 2 шт Объем одного модуля памяти 32 ГБ Суммарный объем памяти всего комплекта 64 ГБ Тактовая частота 3200 МГц Пропускная способность 25600 МБ/с Регистровая память нет ECC-память нет Тайминги 16-18-18-36 CAS Latency (CL) 16 RAS to CAS Delay (tRCD) 18 тактов Row Precharge Delay (tRP) 18 тактов Active to Precharge Delay (tRAS)

Оперативная память Kingston - это высококачественный продукт, который зарекомендовал себя как надежный и производительный. Оперативная память Kingston имеет высокую частоту работы - 1600 МГц, что обеспечивает быструю обработку данных и плавное воспроизведение видео и игр. Кроме того, оперативная память Kingston отличается низким энергопотреблением и высокой стабильностью работы. Оперативная память Kingston DDR3 - это идеальное решение для тех, кто ищет высокопроизводительную и надежную оперативную память.

Тип памяти DDR4 Форм-фактор DIMM 288-контактный Тактовая частота 2400 МГц Пропускная способность 19200 Мб/с Объем 1 модуль 4 Гб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет CAS Latency (CL)

Тип памяти DDR4 Форм-фактор DIMM 288-контактный Тактовая частота 2666 МГц Пропускная способность 21300 МБ/с Объем 4 модуля по 4 ГБ Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет CAS Latency (CL) 16 RAS to CAS Delay (tRCD) 18 Row Precharge Delay (tRP)

С модулями памяти Kingston FURYв„ў Impact DDR4 SODIMM ваш ноутбук или ПК получат все необходимые ресурсы для повышения скорости работы. Модули памяти FURY Impact DDR4, поддерживающие процессоры AMD Ryzenв„ў и профили памяти IntelВ® XMP, имеющие сертификат XMP и предлагаемые в комплектах емкостью до 64 ГБ, включают инновационную технологию разгона памяти Plug N Play от компании Kingston, которая автоматически задействует заданные на заводе-изготовителе частоту и тайминги латентности без необходимости

Оперативная память DIMM BIWINTECH 8GB DDR4-3200 (B14AU8G53222R#A)

Модуль памяти 8GB AMD Radeon DDR5 4800 DIMM Entertainment Series Black Gaming Memory R558G4800U1S-U Non-ECC, CL40, 1.1V, RTL

4 Гб, DDR4, 19200 Мб/с, CL17, 1.2 В

Гарантия: 12 месяцев Серия продукции: Fury Тип памяти: Unbuffered Форм-фактор: DIMM Стандарт памяти: DDR5 Объем одного модуля, ГБ: 8 Количество модулей в комплекте, шт: 1 Суммарный объем, ГБ: 8 Эффективная частота, МГц: 5600 Пропускная способность, Мб/с: 44800 Поддержка ECC: On-Die ECC Низкопрофильная: Нет Количество чипов на модуле, шт: 4 Количество ранков: 1 Количество контактов: 288 CAS Latency (CL): 40 RAS to CAS Delay (tRCD): 39 Row Precharge Delay (tRP)

Новая в уп. Используются чипы производства Samsung, Hynix, Micron Тип памяти: DDR3; Общий объём памяти, Гб: 8; Количество модулей: 1; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Форм-фактор: SO-DIMM ; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 11; Напряжение питания: 1.5 В; Количество ранков: 2; Количество чипов каждого модуля: 16, двусторонняя упаковка Оперативная память для ноутбука Kllisre

Разогнанные модули памяти DDR4 VENGEANCE RGB PRO Series обеспечат вашему ПК потрясающую многозонную динамическую RGB-подсветку, а также максимальную производительность для стандарта DDR4. Высокопроизводительное программное обеспечение CORSAIR iCUE вдохнет жизнь в вашу систему благодаря управлению динамической RGB-подсветкой с синхронизацией со всеми вашими совместимыми с iCUE устройствами, включая память, вентиляторы, светодиодные полосы RGB, клавиатуры, мыши и многое другое.

CAS Latency (CL) 40 масса(кг) 0.06 GTD Number 10005030/270423/3109674/1 GTIN 00649528905628 Cтрана-производитель Малайзия Партномер CT16G48C40U5 RAS to CAS Delay (tRCD) 39 Row Precharge Delay (tRP) 39 высота(см) 5 гарантия 1 год длина(см) 18 Дополнительная информация нет Количество модулей в комплекте (шт) 1 Линейка - масса(кг) 0.06 Модель CT16G48C40U5 Напряжение (В) 1.1 Низкопрофильная нет Общий объем памяти (ГБ) 16 Объем одного модуля (ГБ)

объем памяти: 4 ГБ тип: DDR3 DIMM 240-pin тактовая частота: 1600 МГц тайминги: 11-11-11-30 напряжение питания: 1.5 В пропускная способность: PC12800

Тип памяти: DDR5 Форм-фактор модуля памяти: SODIMM Количество модулей в комплекте: 1 Низкопрофильная (Low Profile): нет

16 Гб, 2 модуля DDR4, 32000 Мб/с, CL19-23-23-45, 1.35 В, XMP профиль, радиатор

Тип: модуль памяти Назначение: для хранения данных Тип памяти: DDR4 Форм-фактор: DIMM Объем одного модуля: 16 Гб Пропускная способность: 28800 Мб/с Поддержка ECC: нет Количество контактов: 288 CAS Latency (CL): 16 RAS to CAS Delay (tRCD): 20 Row Precharge Delay (tRP): 20 Количество ранков: 2 Activate to Precharge Delay (tRAS): 32 Поддержка XMP: да Напряжение питания: 1.35 В Тактовая частота: 3600 МГц Буферизованная (Registered)

Модуль памяти DDR4 32 Гб x 2 шт. PC4-32000 (DDR4 4000 МГц) Радиаторы на чипах памяти Напряжение: Напряжение памяти нестандартное