Foxline Оперативная Память Для Ноутбуков 2gb Pc3-12800 1600mhz Ddr3 So-Dimm Foxline Fl1600d3s11-2g Cl11

CAS Latency (CL): 22 RAS to CAS Delay (tRCD): 22 Row Precharge Delay (tRP): 22 Activate to Precharge Delay (tRAS): 32 Поддержка ECC: есть Буферизованная (Registered): да Тип памяти: DDR4 Форм-фактор модуля памяти: DIMM Объем одного модуля: 8 ГБ Количество модулей в комплекте: 1 Тактовая частота: 3200 МГц Пропускная способность: 25600 МБ/с Напряжение питания: 1.2 В Низкопрофильная (Low Profile)

Оперативная память Hynix 4 ГБ DDR3 PC3-12800 1600 МГц - это модуль оперативной памяти для компьютера или ноутбука, который имеет емкость 4 ГБ и скорость передачи данных на уровне 1600 МГц. DDR3 - это третье поколение двухпортовой динамической случайной доступной памяти (SDRAM), которое обеспечивает более высокие скорости передачи данных и более эффективное энергопотребление по сравнению с более ранними поколениями оперативной памяти.

Модуль памяти DDR4 16 Гб x 1 шт. PC4-19200 (DDR4 2400 МГц) Напряжение: 1.2 В (DDR4)

Память оперативная DDR4 32Gb Digma 2666MHz (DGMAS42666032D)

объем памяти: 8 ГБ тип: DDR3 DIMM 240-pin тактовая частота: 1600 МГц тайминги: 11 напряжение питания: 1.5 В пропускная способность: PC12800

Модуль памяти DDR4 8 Гб x 1 шт. PC4-32000 (DDR4 4000 МГц) Радиаторы на чипах памяти Напряжение: Напряжение памяти нестандартное

16 Гб, 2 модуля DDR4, 32000 Мб/с, CL19-23-23-45, 1.35 В, XMP профиль, радиатор

Kingston FURY Beast KF436C18BB/32Kingston FURY™ Beast DDR4 поможет повысить производительность во время игр, редактирования видео и визуализации, обеспечивая частоту до 3733 МГц. Эти экономичные модули имеют рабочую частоту 2666 - 3733 МГц, латентность CL15 - 19 и емкость одиночных модулей 4 - 32 ГБ и комплектов 8 - 128 ГБ. Они обеспечивают автоматический разгон памяти Plug N Play на частоте 2666 МГц, совместимы с профилями Intel® XMP, имеют сертификат XMP и совместимы с процессорами AMD Ryzen™.

Работает на напряжениях 1.5В 1.35В Оперативная память DDR3 (4GB), SODIMM - 1333MHz Латентность: CL9. Напряжение питания: 1.5В 1.35В

Старый ноутбук тормозит? Не справляется с текущими задачами? Один из способов повысить производительность - увеличить объём оперативной памяти. Модули памяти BillionReservoir BR-NB-8G-1600 отлично справятся с этой задачей. Кроме ноутбуков они подойдут к моноблокам, неттопам и мини ПК. Данная оперативная память является универсальной. Её можно использовать в устройствах, поддерживающих DDR3L SoDIMM (1,35 В) и DDR3 SoDIMM (1,5 В). Если установить 2 планки памяти, то они могут работать в двухканальном режиме.

Категория: комплектующие для ноутбуков. Socket 479P на шарах

Модуль памяти Samsung DDR4 SO-DIMM 8 ГБ 2666MHz CL19 M471A1K43CB1-CTD

Серверная оперативная память ECC 3200Мгц 8Гб Не подходит на обычные десктопные компьютеры! Идеально подходит для материнских плат X99 и процессоров Xeon При производстве используются чипы производства Hynix, SEC (Samsung), Micron Радиатор на оперативной памяти увеличивает площадь поверхности, с которой рассеивается тепло- это очень важно для сброса лишнего тепла. Перегрев оперативной памяти чреват повреждениями, и ухудшением работы компьютера.

Оперативная память 16GB X3 RGB DDR4 3600 BLUE LABEL (2x8GB) CL18 комплектом из двух модулей суммарным объемом 16 ГБ станет высокопроизводительным дополнением игрового настольного ПК. ОЗУ поколения DDR4 функционирует на частоте 3200 МГц, обеспечивая высокую пропускную способность и существенно ускоряя обработку ресурсоемких задач. Интегрированная схема управления питанием и технология коррекции ошибок гарантируют повышение стабильности в процессе эксплуатации.

Модуль памяти - небольшая печатная плата, на которой размещены микросхемы запоминающего устройства, обычно ОЗУ. В зависимости от форм-фактора выводы могут реализовываться в виде штырьков располагаться в виде дорожек, подходящих к краю ножевого разъёма с одной стороны платы, либо двух. Оперативная память, или оперативное запоминающее устройство (ОЗУ) — временное хранилище для данных, необходимых для работы игр и программ.

Тип памяти: Unbuffered Форм-фактор: DIMM Стандарт памяти: DDR4 Объем одного модуля: 16 ГБ Количество модулей в комплекте: 1 шт Суммарный объем: 16 ГБ Эффективная частота: 2666 МГц Пропускная способность: 21300 Мб/с Поддержка ECC: Нет Низкопрофильная: Нет Количество чипов на модуле: 16 шт Количество контактов: 288 CAS Latency (CL): 16 RAS to CAS Delay (tRCD): 18 Row Precharge Delay (tRP): 18 Activate to Precharge Delay (tRAS)

Модули памяти 4gb (2x2Gb) ddr2 800 pc2-6400 SoDimm 2G для ноутбуков в ассортименте - 2 штуки Данный модуль оперативной памяти совместим со всеми платформами, использует чипы памяти известных брендов. Память с рабочей машины, все необходимые тесты и проверки пройдены! Общие характеристики Производитель - разные бренды. В одном заказе, стараемся класть модули одного бренда.

Модуль памяти (оперативная память, RAM) для персонального компьютера Samsung DIMM DDR3 8Гб 1333 mhz. 2 Штуки Напряжение питания 1.5V

D_HEIGHT 22 D_LENGTH 50 D_WIDTH 44 EANUPCCode 6926337233383 Error-correcting code (ECC) Нет Буферизованная (Registered) Нет Комплектующие для ПК/сервер Конфигурация памяти (модули х емкость) 2 x 8 GB Объем, ГБ 16 GB Рабочее напряжение, В 1.35 V Тип DDR4 Тип буферной памяти Unregistered (unbuffered) Форм-фактор 288-pin DIMM Цвет подсветки Красный/зеленый/синий Частота, МГц 3600 MHz . adpar_property_list { width:100%; margin:0px 0px 0px; color:#555; } .

Гарантия: 12 месяцев Серия продукции: Fury Тип памяти: Unbuffered Форм-фактор: DIMM Стандарт памяти: DDR5 Объем одного модуля, ГБ: 8 Количество модулей в комплекте, шт: 1 Суммарный объем, ГБ: 8 Эффективная частота, МГц: 5600 Пропускная способность, Мб/с: 44800 Поддержка ECC: On-Die ECC Низкопрофильная: Нет Количество чипов на модуле, шт: 4 Количество ранков: 1 Количество контактов: 288 CAS Latency (CL): 40 RAS to CAS Delay (tRCD): 39 Row Precharge Delay (tRP)

Модель R534G1601S1S-UG Количество контактов 204-pin Показатель скорости PC3-12800 Скорость (тест) 1600МГц Напряжение (тест) 1.5В Задержка (тест) 11-11-11-28 Латентность CL11 Бренд AMD PartNumber/Артикул Производителя R534G1601S1S-UG Размер (модули памяти) 4096/1600 Вес упаковки (ед) 0.016 Тип памяти DDR3 Объем 4096 Частотная спецификация 1600 Количество в упаковке 1 Тип поставки Ret Форм-фактор SO-DIMM Буферизация unbuffered EANCode 4897065184228 .

Форм-фактор: SO-DIMM Частотная спецификация: 1600 Буферизация: unbuffered Показатель скорости: PC3-12800 Количество контактов: 204-pin Латентность: CL11 Тип поставки: Ret Тип памяти: DDR3 Количество в упаковке: 1 Объем: 8192 PartNumber/Артикул Производителя: SP008GBSTU160N02 Бренд: SILICON POWER Модель: SP008GBSTU160N02 Скорость (тест): 1600МГц Напряжение (тест): 1.5В Задержка (тест)