Скидка 46% на Оперативная Память Hynix 2gb Ddr2 667mhz Pc2-5300s So-Dimm

CAS Latency (CL): 22 RAS to CAS Delay (tRCD): 22 Row Precharge Delay (tRP): 22 Поддержка ECC: нет Тип памяти: DDR4 Форм-фактор модуля памяти: DIMM Объем одного модуля: 32 ГБ Количество модулей в комплекте: 1 Тактовая частота: 3200 МГц Пропускная способность: 25600 МБ/с Напряжение питания: 1.2 В Низкопрофильная (Low Profile)

Тип: оперативная память; Цвет: серый

Старый ноутбук тормозит? Не справляется с текущими задачами? Один из способов повысить производительность - увеличить объём оперативной памяти. Модули памяти BillionReservoir BR-NB-8G-1600 отлично справятся с этой задачей. Кроме ноутбуков они подойдут к моноблокам, неттопам и мини ПК. Данная оперативная память является универсальной. Её можно использовать в устройствах, поддерживающих DDR3L SoDIMM (1,35 В) и DDR3 SoDIMM (1,5 В). Если установить 2 планки памяти, то они могут работать в двухканальном режиме.

Оперативная память DDR3L 8Gb предназначена для использования в компьютерах и ноутбуках. С ее помощью можно запускать и выполнять одновременно большое количество приложений и обрабатывать сложные задачи. Она обладает двухканальным каналом памяти, что позволяет достичь более высокой производительности при одновременной работе с двумя модулями памяти. Частота работы составляет 1600 МГц. Это обеспечивает быструю передачу данных и эффективную работу системы.

Основные характеристики - Назначение: стационарные (настольные) ПК - Общий объем модулей памяти: 32 Гб - Объем модуля памяти: 8 Гб - Тип памяти: DDR4 - Частота памяти: 2666 МГц - Количество слотов памяти: 4 - Форм фактор поддерживаемой памяти: U-DIMM - Пропускная способность: 21300 Мб/с - Игровая память: да - Возможность разгона: да Модуль - Конструкция модуля памяти: односторонняя - Ранг модуля памяти: Single - Количество чипов модуля: 8 Тайминги - CAS Latency (CL): CL16 - RAS to CAS Delay (tRCD)

Тип товара: Память (модули, комплекты); Модель: CD4-SS16G32M22-01; Тип оборудования: Оперативная память; Частота (MHz): DDR4 - 3200; Тип модуля: SO-DIMM; Объем одного модуля (ГБ): 16; Количество модулей в комплекте (шт): 1; Общий объем памяти (ГБ): 16; Пропускная способность (МБ/с): 25600.

Название товара: Модуль оперативной памяти; Назначение: для ноутбука; Количество модулей памяти в комплекте: 1; Тип модуля памяти: DDR4; Объём: 4Gb; Форм-фактор: SO-DIMM; Пропускная способность (Рабочая частота)

Модули памяти 4gb (2x2Gb) ddr2 800 pc2-6400 SoDimm 2G для ноутбуков в ассортименте - 2 штуки Данный модуль оперативной памяти совместим со всеми платформами, использует чипы памяти известных брендов. Память с рабочей машины, все необходимые тесты и проверки пройдены! Общие характеристики Производитель - разные бренды. В одном заказе, стараемся класть модули одного бренда.

Артикул № 1002228 Память CORSAIR VENGEANCE RGB RT DDR4 оживит внешний вид вашего ПК и обеспечит высочайшую производительность, оптимизированную для систем AMD. совместимость С RYZEN Материнские платы AMD с поддержкой DDR4 оптимизированы для обеспечения высокой пропускной способности и короткого времени отклика при работе с самыми современными компонентами системы Ryzen.

Модуль памяти DDR4 G.SKILL TRIDENT Z RGB 64GB (2x32GB kit) 3600MHz CL16 1.45V / F4-3600C16D-64GTZR

Оперативная память произведена с учетом требований современных компьютерных систем, что гарантирует ее универсальность и надежность. Модули относятся к классу DDR4, обладают емкостью 2х8 ГБ и 288-контактными модулями DIMM? Предельная частота работы устройства достигает 3200 МГц, а пропускная способность – 25600 Мб/с.

Оперативная память Digma DGMAD42666008D DDR4 - 8ГБ 2666, DIMM, Ret

Оперативная память Kllisre DDR3 1600 МГц для компьютера ПК Грамотный подбор ОЗУ — непростая задача, поскольку необходимо учесть большое количество факторов: тактовую частоту, тайминги, потенциал разгона, систему охлаждения.

[Модуль памяти] CBR DDR4 DIMM (UDIMM) 4GB CD4-US04G26M19-01 PC4-21300, 2666MHz, CL19, 1.2V Activate to Precharge Delay (tRAS) 43 CAS Latency (CL) 19 масса(кг) 0.017 GTD Number 10005030/230323/3072153/17 GTIN 06973720601779 Cтрана-производитель Китай Партномер CD4-US04G26M19-01 RAS to CAS Delay (tRCD) 19 Row Precharge Delay (tRP) 19 Вес (грамм) - Высота (мм) - высота(см) 5.5 Габариты (мм) - гарантия 3 года длина(см) 17 Дополнительная информация - Количество контактов 288 Количество модулей в комплекте (шт)

Модуль энергонезависимой памяти на базе микросхемы EEPROM AT24C08. Энергонезависимая электрически стираемая память. Емкость: 8Кб (1024 x 8)

Модуль памяти DDR4 8GB Hynix original HMAA1GU6CJR6N-XN PC4-25600 3200MHz 1.2V OEM

Оперативная память 2 ГБ 1 шт. Hynix DDR2 800 SO-DIMM 2Gb Оперативная память DDR2 второго поколения вышла в продажу в 2003 году и отличается от оперативной памяти DDR удвоенной частотой пропускания, более совершенной конструкцией, способствующей лучшему охлаждению и меньшим энергопотреблением.

Производитель G. Skill Серия RIPJAWS S5 Модель F5-6800J3446F24GX2-RS5K Тип оборудования Количество контактов Модуль памяти DDR5 288-контактная Объем модуля памяти 24 Гб Количество модулей в комплекте Общий объем памяти 2 шт 48 ГБ Производительность Частота функционирования до 6800 МГц Стандарт памяти PC5-54400 (DDR5 6800 МГц) Пропускная способность памяти 54400 Мб/сек Латентность CL34 Тайминги 34-46-46-108 Конфигурация Поддержка ECC Зарегистрированный/ Небуферизованный Нет Небуферизованный Поддержка

Оперативная память 4Gb DDR4 3200MHz AMD (R9S44G3206U1S) RTL

4 Гб, DDR4, 21300 Мб/с, CL19, 1.2 В

Техническое описание Форм-фактор: DIMM Тип памяти: DDR4 Объём памяти: 16 Гб Объём одного модуля: 16 Гб Количество модулей в комплекте: 1 Тактовая частота: 3600 МГц Пропускная способность: 28800 Мб/с Тайминги CAS Latency (CL): 18 Дополнительно Напряжение питания: 1.35 В Система охлаждения: пассивная (радиатор) Низкопрофильная (Low Profile)

Тип памяти: DDR3; Общий объём памяти, Гб: 4; Тактовая частота: 1600 МГц; Форм-фактор: DIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered)