Модуль Памяти Samsung Ddr3 1600 Dimm 4gb

Оперативная память DIMM 2 Gb DDR3 1600 MHz AMD Radeon (R532G1601U1SL-U) PC3-12800

Оперативная память 2 ГБ 1 шт. Hynix DDR2 800 SO-DIMM 2Gb Оперативная память DDR2 второго поколения вышла в продажу в 2003 году и отличается от оперативной памяти DDR удвоенной частотой пропускания, более совершенной конструкцией, способствующей лучшему охлаждению и меньшим энергопотреблением.

Оперативная память Samsung - это высококачественный продукт, который обеспечивает высокую производительность и надежность работы вашего компьютера. Объем памяти составляет 8 ГБ, что позволяет быстро обрабатывать большие объемы данных. Тактовая частота составляет 1333 МГц, что обеспечивает быстрое чтение и запись данных. Оперативная память Samsung имеет высокую пропускную способность 10600, что гарантирует быструю передачу данных между процессором и памятью.

Базовая единица: шт Тип: DDR5 Форм-фактор: DIMM Количество модулей в комплекте: 2 шт. Объем одного модуля: 32 ГБ Тактовая частота: 6400 МГц Пропускная способность: PC51200 CL: 34 tRCD: 44 tRP: 44 Напряжение питания: 1.35 В Количество контактов: 288 Особенности: радиатор, XMP, игровая Линейка: T-Create Expert Упаковка чипов: односторонняя

Оптимизированный для материнских плат Intel, он предлагает технологию DDR5 с более высокой частотой и большей емкостью в высококачественном компактном модуле для вашей системы. Комплектация CORSAIR VENGEANCE 64 ГБ (2x32 ГБ) DDR5 DRAM 5600 МГцБелый Характеристики Добавить к сравнению Тайминги CAS Latency (CL), тактов 40 Тайминги 40 RAS to CAS Delay (tRCD), тактов 40 Row Precharge Delay (tRP), тактов 40 Active to Precharge Delay (tRAS)

Память DDR3L 8Gb 1600MHz Netac NTBSD3N16SP-08 Basic RTL PC3-12800 CL11 SO-DIMM 260-pin 1.35В single rank производства компании Netac. Артикул модели: NTBSD3N16SP-08. Артикул магазина: 00339857

DDR2, объём: 1 модуль на 2Gb, тактовая частота: 800 MHz, форм-фактор: DIMM 240-контактный, скорость: PC-6400, поддержка ECC: нет, Low Profile: нет, Registered: нет (QUM2U-2G800T6R)

в комплектеции 1шт планка Прежде чем покупать. убедитесь в том что она вам подходит, или задайте мне вопрос, укажите модель процессора или полную модель ноутбука Оперативная память SODIMM Samsung DDR3 объемом 4 Гб 800 МГц 2Rx8 - это один из лучших вариантов для ноутбуков. Она обеспечивает быструю работу системы и улучшает производительность. Преимущества оперативной памяти SODIMM Samsung: - Высокая скорость передачи данных; - Надежность и долговечность; - Совместимость с различными моделями ноутбуков

Модель AGI266608UD138 Количество контактов 288-pin Показатель скорости PC4-21300 Скорость (тест) 2666МГц Напряжение (тест) 1.2В Бренд AGI PartNumber/Артикул Производителя AGI266608UD138 Длина упаковки (ед) 0.18 Ширина упаковки (ед) 0.1 Высота упаковки (ед) 0.005 Габариты упаковки (ед) ДхШхВ 0.18x0.1x0.005 Вес упаковки (ед) 0.03 Объем упаковки (ед) 0.00009 Серия UD138 Тип памяти DDR4 Объем 8192 Частотная спецификация 2666 Количество в упаковке 1 Тип поставки Ret Форм-фактор DIMM Буферизация unbuffered

Память оперативная DDR4 32Gb Digma 2666MHz (DGMAS42666032D)

Бренд NETAC Серия Shadow RGB Тип памяти DDR4 Частотная спецификация 3200 Тип поставки Ret Форм-фактор DIMM Буферизация unbuffered Количество контактов 288-pin Показатель скорости PC4-25600 Скорость (тест) 3200МГц Напряжение (тест) 1.35В Количество рангов (Ranks) single rank PartNumber/Артикул Производителя NTSRD4P32DP-16S Модель NTSRD4P32DP-16S Особенности (выводится в карточку) Silver Особенности (выводится в конец названия)

Компактный низкопрофильный радиатор. Строгая и гармоничная треугольная форма SPECTRIX D35G специально разработана для геймеров с яркой индивидуальностью. Благодаря небольшому размеру радиатора D35G легко помещается в маленьких корпусах. Высококачественное ОЗУ для высокой прочности В результате строгого отбора и проверки на надежность и совместимость модуль памяти SPECTRIX D35G был признан прочным и долговечным изделием, в котором воплощены высочайшие стандарты качества! Подсветка RGB освещает ваш путь.

Основные характеристикиПроизводительTESLAТипDDR3Форм-факторDIMMКомплектностьКомплект памятиКоличество модулей в комплекте2Объем одного модуля8 ГбОбщий объем памяти16 ГбТактовая частота1600 MHzCL11Напряжение питанияНапряжение питания1.35 В

Тип памяти DDR4 Форм-фактор DIMM 288-контактный Тактовая частота 2666 МГц Пропускная способность 21300 МБ/с Объем 4 модуля по 4 ГБ Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет CAS Latency (CL) 16 RAS to CAS Delay (tRCD) 18 Row Precharge Delay (tRP)

Размер (модули памяти): 4096/2666Тип памяти: DDR4Объем: 4096МБЧастотная спецификация: 2666Количество в упаковке: 1Форм-фактор: SO-DIMMБуферизация: unbufferedКоличество контактов: 260-pinПоказатель скорости: PC4-21300Скорость (тест): 2666МГцНапряжение (тест): 1.2ВКоличество рангов (Ranks): single rankPartNumber/Артикул Производителя: AD4S26664G19-BGNБренд: A-DATAМодель: AD4S26664G19-BGNЛатентность: CL19Ссылка на сайт поставщика/вендора: https://corp. adata. com/ru/orderinfo/484Вес упаковки (ед)

объем памяти: 8 ГБ тип: DDR3 DIMM 240-pin тактовая частота: 1600 МГц тайминги: 11 напряжение питания: 1.5 В пропускная способность: PC12800

объем памяти: 4 ГБ тип: DDR3 DIMM 240-pin тактовая частота: 1600 МГц тайминги: 11-11-11-30 напряжение питания: 1.5 В пропускная способность: PC12800

Модуль памяти (оперативная память, RAM) Samsung SODIMM DDR3L 4Гб 1333 mhz Напряжение питания 1.35В PC3L-12800S

Модуль памяти 49y1424, m393b5270ch0-yh9, DDR3, 4 Гб На все наши товары действует гарантия 1 год от нашего магазина.