Оперативная Память Gskill Trident Z5 Rgb 96gb (2x48gb) Ddr5-6400 (F5-6400j3239f48gx2-Tz5rk)

С модулями памяти Kingston FURYв„ў Impact DDR4 SODIMM ваш ноутбук или ПК получат все необходимые ресурсы для повышения скорости работы. Модули памяти FURY Impact DDR4, поддерживающие процессоры AMD Ryzenв„ў и профили памяти IntelВ® XMP, имеющие сертификат XMP и предлагаемые в комплектах емкостью до 64 ГБ, включают инновационную технологию разгона памяти Plug N Play от компании Kingston, которая автоматически задействует заданные на заводе-изготовителе частоту и тайминги латентности без необходимости

Оперативная память DIMM 2 Gb DDR3 1600 MHz AMD Radeon (R532G1601U1SL-U) PC3-12800

Название товара: Модуль оперативной памяти; Назначение: для компьютера; Количество модулей памяти в комплекте: 1; Тип модуля памяти: DDR4; Объём: 16Gb; Объем одного модуля памяти: 16Gb; Форм-фактор: DIMM; Пропускная способность (Рабочая частота): PC4-21300 2666MHz; Особенности: NON-ECC; Код вендора: KF426C13RB1/16; Тайминги: 13-15-15; Латентность: CL13; Питание: 1.35 В; Охлаждение: Пассивное (радиатор на чипах)

Оперативная память Kingston - это высококачественный продукт, который зарекомендовал себя как надежный и производительный. Оперативная память Kingston имеет высокую частоту работы - 1600 МГц, что обеспечивает быструю обработку данных и плавное воспроизведение видео и игр. Кроме того, оперативная память Kingston отличается низким энергопотреблением и высокой стабильностью работы. Оперативная память Kingston DDR3 - это идеальное решение для тех, кто ищет высокопроизводительную и надежную оперативную память.

Четыре модуля низкопрофильной оперативной памяти, изготовленные в соответствии с отраслевыми стандартами, обеспечивающие непревзойденную производительность и отличающиеся легендарной надежностью Kingston. Память ValueRAM – разумный выбор.

Память DDR4 8Gb 3200MHz Kingmax KM-SD4-3200-8GS RTL CL17 SO-DIMM 260-pin 1.2В dual rank

объем памяти: 4 ГБ тип: DDR3 DIMM 240-pin тактовая частота: 1600 МГц тайминги: 11-11-11-30 напряжение питания: 1.5 В пропускная способность: PC12800

Комплект памяти DDR3 DIMM 8Gb (2x4Gb), 1600MHz BaseTech (BTD31600C11-4GN-K2)

Модуль памяти - небольшая печатная плата, на которой размещены микросхемы запоминающего устройства, обычно ОЗУ. В зависимости от форм-фактора выводы могут реализовываться в виде штырьков располагаться в виде дорожек, подходящих к краю ножевого разъёма с одной стороны платы, либо двух. Оперативная память, или оперативное запоминающее устройство (ОЗУ) — временное хранилище для данных, необходимых для работы игр и программ.

Activate to Precharge Delay (tRAS) - CAS Latency (CL) 22 масса(кг) 0.08 GTD Number 10005030/030523/3114996 GTIN 02772101075659 Cтрана-производитель корея, республика Партномер M391A4G43BB1-CWE RAS to CAS Delay (tRCD) - Row Precharge Delay (tRP) - Вес (грамм) - Высота (мм) - высота(см) 0.2 Габариты (мм) - гарантия 1 год длина(см) 15 Дополнительная информация - Количество контактов 288 Количество модулей в комплекте (шт) 1 Количество чипов на модуле - Линейка Нет масса(кг)

16 Гб, 2 модуля DDR4, 32000 Мб/с, CL19-23-23-45, 1.35 В, XMP профиль, радиатор

Оперативная память для ноутбука SODIMM DDR4 16Гб Samsung M471A1G43EB1-CTD 2666MHz (PC-21300) 260pin, 1.2V, Retail

D_HEIGHT 21 D_LENGTH 50 D_WIDTH 45 EANUPCCode 6926337234915 Error-correcting code (ECC) Нет Буферизованная (Registered) Нет Объем, ГБ 16 GB Рабочее напряжение, В 1.35 В Тип DDR4 Форм-фактор 288-pin DIMM Частота, МГц 2666 MHz . adpar_property_list { width:100%; margin:0px 0px 0px; color:#555; } . adpar_property_list td { vertical-align: bottom; font-size:13px; vertical-align: top; background: url(images/dott. png)

D_HEIGHT 21.5 D_LENGTH 31 D_WIDTH 34 EANUPCCode 4711085936479 Error-correcting code (ECC) Нет Буферизованная (Registered) Нет Комплектующие для ПК Конфигурация памяти (модули х емкость) 1 x 32 GB Объем, ГБ 32 GB Рабочее напряжение, В 1.1 V Тип DDR5 Тип буферной памяти Unregistered (unbuffered) Форм-фактор 288-pin DIMM Частота, МГц 4800 MHz . adpar_property_list { width:100%; margin:0px 0px 0px; color:#555; } .

8 Гб, DDR4 DIMM, 23400 Мб/с, CL19, ECC, буферизованная

Модуль памяти Kingston KF432C16RBA/32 имеет тип памяти DDR4 и объем памяти 32 ГБ. Частота памяти модуля составляет 3200 МГц.

Hynix DDR3-1333 PC3-10600S 4Gb SODIMM 204PIN Модуль оперативной памяти для ноутбука Память от производителя Hynix объемом 4Гб. Память для ноутбука. Подробные характеристики данных модулей ищите в сети интернет. Также внимательно проверьте совместимость Вашего оборудования с данной памятью перед покупкой. Убедитесь, что Ваш ноутбук работает с данным типом памяти, а также поддерживает такой объем модуля. Вся память обязательно проверялась программой memtest перед размещением данного лота.

Данные появятся в скором времени

Оперативная память DDR2 (2GB), SODIMM - 667MHz Латентность: CL6. Напряжение питания: 1.8В

Модель может не совпадать с той, что на фотографии. С такими параметрами у данного производителя может быть несколько моделей. Класс памяти: Для ноутбука Тип оперативной памяти: DDR3 Объём оперативной памяти: 8 Гб Частота оперативной памяти: 1600 МГц Кол-во модулей в комплекте: 1x8Gb Напряжение питания 1.5 В

Артикул № 1002257 Память DDR5 Trident Z5 RGB предназначена для сверхвысокой производительности на платформах DDR5. Память Trident Z5 RGB DDR5 DRAM с элегантным и обтекаемым алюминиевым радиатором является идеальным выбором для создания высокопроизводительной системы. Открывая новую эру производительности памяти со сверхвысокой скоростью передачи данных, Trident Z5 RGB разработан в соответствии с высокими стандартами производительности и качества.

Основные характеристикиПроизводительTESLAТипDDR3Форм-факторDIMMКомплектностьКомплект памятиКоличество модулей в комплекте2Объем одного модуля8 ГбОбщий объем памяти16 ГбТактовая частота1600 MHzCL11Напряжение питанияНапряжение питания1.35 В

Артикул № 954361 Модули памяти Kingston FURY™ Beast DDR5 обеспечивают новейшие технологии для игровых платформ нового поколения. Память DDR5, отличающаяся более высокой скоростью, емкостью и надежностью, поставляется с набором расширенных функций, таких как накристальная функция обнаружения и исправления ошибок (ODECC) для повышения стабильности на экстремальных скоростях и встроенная в модуль интегральная микросхема управления питанием для подачи энергии туда, где это больше всего необходимо.