Оперативная Память Gskill Trident Z5 Rgb 96gb (2x48gb) Ddr5-6400 (F5-6400j3239f48gx2-Tz5rk)

Kingston FURY Impact KF426S15IB/8С модулями памяти Kingston FURY™ Impact DDR4 SODIMM ваш ноутбук или ПК получат все необходимые ресурсы для повышения скорости работы. Модули памяти FURY Impact DDR4, поддерживающие процессоры AMD Ryzen™ и профили памяти Intel® XMP, имеющие сертификат XMP и предлагаемые в комплектах емкостью до 64 ГБ, включают инновационную технологию разгона памяти Plug N Play от компании Kingston, которая автоматически задействует заданные на заводе-изготовителе частоту и тайминги

Оперативная память для ноутбуков, моноблоков и других устройств в разъемом So-Dimm

Тип памяти: Unbuffered Форм-фактор: DIMM Стандарт памяти: DDR4 Объем одного модуля: 16 ГБ Количество модулей в комплекте: 1 шт Суммарный объем: 16 ГБ Эффективная частота: 2666 МГц Пропускная способность: 21300 Мб/с Поддержка ECC: Нет Низкопрофильная: Нет Количество чипов на модуле: 16 шт Количество контактов: 288 CAS Latency (CL): 16 RAS to CAS Delay (tRCD): 18 Row Precharge Delay (tRP): 18 Activate to Precharge Delay (tRAS)

Базовая единица: шт Тип: DDR5 Форм-фактор: DIMM Количество модулей в комплекте: 2 шт. Объем одного модуля: 32 ГБ Тактовая частота: 6400 МГц Пропускная способность: PC51200 CL: 34 tRCD: 44 tRP: 44 Напряжение питания: 1.35 В Количество контактов: 288 Особенности: радиатор, XMP, игровая Линейка: T-Create Expert Упаковка чипов: односторонняя

Оперативная память 2 ГБ 1 шт. Hynix DDR2 800 SO-DIMM 2Gb Оперативная память DDR2 второго поколения вышла в продажу в 2003 году и отличается от оперативной памяти DDR удвоенной частотой пропускания, более совершенной конструкцией, способствующей лучшему охлаждению и меньшим энергопотреблением.

Kingston FURY Renegade KF442C19RBK2/16Чтобы сохранять лидерство, повысьте производительность своей системы на базе процессоров AMD или Intel с помощью ультрабыстродействующих модулей памяти Kingston FURY™ Renegade DDR4. Благодаря частоте до 5333 МГц и таймингам CL13 - CL20 вы сможете повысить частоту кадров, обеспечить плавность потокового видео и улучшить качество монтажа отснятого материала.

в комплектеции 1шт планка Прежде чем покупать. убедитесь в том что она вам подходит, или задайте мне вопрос, укажите модель процессора или полную модель ноутбука Оперативная память SODIMM Samsung DDR3 объемом 4 Гб 800 МГц 2Rx8 - это один из лучших вариантов для ноутбуков. Она обеспечивает быструю работу системы и улучшает производительность. Преимущества оперативной памяти SODIMM Samsung: - Высокая скорость передачи данных; - Надежность и долговечность; - Совместимость с различными моделями ноутбуков

Название товара: Оперативная память DDR3 4GB 1333MHz КINGSTON Модуль низкопрофильной памяти ValueRAM от КINGSTON обеспечивает непревзойденную производительность и легендарную надежность. Изготовленный в соответствии с мировыми стандартами качества, он обеспечивает высокую пропускную способность и стабильную работу. Характеристики товара: - Форм-фактор DIMM - Объем одного модуля 4 ГБ - Количество модулей в комплекте 1 шт - Тактовая частота 1333 Мгц - Пропускная способность 10 600 Мб/с - CL 9 tRCD 9 tRP 9

Гарантия: 12 месяцев Серия продукции: Fury Тип памяти: Unbuffered Форм-фактор: DIMM Стандарт памяти: DDR5 Объем одного модуля, ГБ: 8 Количество модулей в комплекте, шт: 1 Суммарный объем, ГБ: 8 Эффективная частота, МГц: 5600 Пропускная способность, Мб/с: 44800 Поддержка ECC: On-Die ECC Низкопрофильная: Нет Количество чипов на модуле, шт: 4 Количество ранков: 1 Количество контактов: 288 CAS Latency (CL): 40 RAS to CAS Delay (tRCD): 39 Row Precharge Delay (tRP)

Достигайте предела возможностей с помощью флагманской серии DDR5 Viper Xtreme 5. Обладая невероятно высокой скоростью до 8000MHz, память Viper Xtreme 5 создана для рекордной производительности и разгона. Модули Viper Xtreme 5 оснащены микросхемой управления питанием PMIC, для повышения эффективности работы и снижения энергопотребления. Встроенный термодатчик контролирует нагрев и увеличивает срок службы модулей. Стильные радиаторы охлаждения с RGB-подсветкой станут украшением любой сборки.

Самовывоз сегодня. Доставка день в день при заказе до 12-00

Оперативная память 8 ГБ 1 шт. Samsung DDR3 1600 SO-DIMM 8Gb 1.5v 2Rx8 PC3-12800S-11-11-F3 DDR3 1.5v SO-DIMM -подходит для процессоров: -подходит на модельный ряд 2010-2015й год иногда 2016 -Intel: i3-2го i3-3го (поколения) -Intel: i5-2го i5-3го (поколения) -Intel: i7-2го i7-3го (поколения) -AMD A8-3500M, A8-4500M, A10-4500M, A10-4600M, A10-5750M -если остались вопросы задайте, отвечу быстро.

Название товара: Комплект из 2-х модулей оперативной памяти; Назначение: для компьютера; Количество модулей памяти в комплекте: 2; Тип модуля памяти: DDR4; Объём: 16Gb; Объем одного модуля памяти: 8Gb; Форм-фактор: DIMM; Пропускная способность (Рабочая частота): PC4-26400 3300MHz; Особенности: NON-ECC; Код вендора: KF432C16RBAK2/16; Тайминги: 16-18-18; Латентность: CL16; Питание: 1.35 В; Охлаждение: Пассивное (радиатор на чипах)

Тип товара: Память (модули, комплекты); Модель: KF436C18BBK2/32; Тип оборудования: Оперативная память; Частота (MHz): DDR4 - 3600; Тип модуля: DIMM; Объем одного модуля (ГБ): 16; Количество модулей в комплекте (шт): 2; Общий объем памяти (ГБ): 32; Пропускная способность (МБ/с): 28800; Радиатор: Есть.

Основные характеристикиПроизводительTESLAТипDDR3Форм-факторDIMMКомплектностьКомплект памятиКоличество модулей в комплекте2Объем одного модуля8 ГбОбщий объем памяти16 ГбТактовая частота1600 MHzCL11Напряжение питанияНапряжение питания1.35 В

Модуль памяти (оперативная память, RAM) для персонального компьютера Hynix DIMM DDR3 4Гб 1333 mhz. Напряжение питания 1.5V

Оперативная память ENTADM DDR3 может обеспечить стабильное повышение производительности старых компьютеров. Предусмотрены варианты модулей памяти объемом от 4 ГБ до 8 ГБ, простота установки - просто подключи и играй, совместимость с материнскими платами Intel и AMD. 100% тестирование и пожизненная гарантия, бесплатная техническая поддержка. Пожалуйста, обратите внимание: G41 / Q58 / Н55 / P55 / Р41 / Р43 / Р45 эти модели материнских плат могут поддерживать только максимальный модуль памяти 256 МБ * 8 бит

Основные характеристики - Назначение: стационарные (настольные) ПК - Общий объем модулей памяти: 32 Гб - Объем модуля памяти: 8 Гб - Тип памяти: DDR4 - Частота памяти: 2666 МГц - Количество слотов памяти: 4 - Форм фактор поддерживаемой памяти: U-DIMM - Пропускная способность: 21300 Мб/с - Игровая память: да - Возможность разгона: да Модуль - Конструкция модуля памяти: односторонняя - Ранг модуля памяти: Single - Количество чипов модуля: 8 Тайминги - CAS Latency (CL): CL16 - RAS to CAS Delay (tRCD)

[Модуль памяти] AMD DDR4 DIMM 8GB R948G3206U2S-UO PC4-25600, 3200MHz R9 Gamers Series Black Activate to Precharge Delay (tRAS) - CAS Latency (CL) 16 масса(кг) 0.08 GTD Number 10005030/210623/3166103 GTIN 00000000000000 Cтрана-производитель тайвань (китай) Партномер R948G3206U2S-UO RAS to CAS Delay (tRCD) - Row Precharge Delay (tRP) - Вес (грамм) - Высота (мм) - высота(см) 0.1 Габариты (мм) - гарантия 1 год длина(см) 13.5 Дополнительная информация - Количество контактов 288 Количество модулей в комплекте (шт)