Модуль Памяти Sodimm Ddr4 16gb Kingston Fury Kf432s20ib1/16 Impact 3200mhz Cl20 1gx8 12v

Оперпамять Compit CMPTDDR416GBD3200 DDR4 16GB DIMM 3200MHz имеет 16-гигабайтовый модуль, высоту в 31.25 мм, ее отличает современный продуктивный тип DDR 4, обеспечивающий большую, по сравнению с DDR3 энергоэффективность и пропускную способность, так что даже в условиях многозадачности система гарантирует хороший отклик. На это же работает и диапазон рабочих частот до 3200 МГц. Энергопотребление с напряжением 1,2 В, без радиатора охлаждения так как исключён перегрев микросхем.

объем памяти: 16 ГБ (2 планки по 8 ГБ) тип: DDR4 DIMM 288-pin тактовая частота: 3200 МГц тайминги: 16-20-20-40 напряжение питания: 1.35 В пропускная способность: PC25600 радиатор: да поддержка XMP: да

Модель KMLS8G4664800 Количество контактов 262-pin Показатель скорости PC5-38400 Скорость (тест) 4800МГц Бренд KIMTIGO PartNumber/Артикул Производителя KMLS8G4664800 Тип памяти DDR5 Объем 8192 Частотная спецификация 4800 Количество в упаковке 1 Тип поставки Ret Форм-фактор SO-DIMM Буферизация unbuffered EANCode 6924371292243 . adpar_property_list { width:100%; margin:0px 0px 0px; color:#555; } .

Название товара: Комплект из 2-х модулей оперативной памяти; Назначение: для компьютера; Количество модулей памяти в комплекте: 1; Тип модуля памяти: DDR5; Объём: 16Gb; Объем одного модуля памяти: 16Gb; Форм-фактор: DIMM; Пропускная способность (Рабочая частота): PC5-48000 6000MHz; Код вендора: SP016GXLWU600FSG; Латентность: CL40; Питание: 1.35 В; Охлаждение: Пассивное (радиатор на чипах)

4 Гб, DDR4, 21300 Мб/с, CL19, 1.2 В

Тип: оперативная память; Цвет: серый

D_HEIGHT 21.1 D_LENGTH 34.4 D_WIDTH 30.7 EANUPCCode 4711085931467 Error-correcting code (ECC) Нет Буферизованная (Registered) Нет Комплектующие для Ноутбук Конфигурация памяти (модули х емкость) 1 x 16 GB Объем, ГБ 16 GB Рабочее напряжение, В 1.2 V Тип DDR4 Форм-фактор 260-pin SO-DIMM Частота, МГц 2666 MHz . adpar_property_list { width:100%; margin:0px 0px 0px; color:#555; } . adpar_property_list td { vertical-align: bottom; font-size:13px; vertical-align: top; background: url(images/dott.

объем памяти: 8 ГБ тип: DDR3 DIMM 240-pin тактовая частота: 1600 МГц тайминги: 11 напряжение питания: 1.5 В пропускная способность: PC12800

Комплект памяти DDR3 DIMM 8Gb (2x4Gb), 1600MHz BaseTech (BTD31600C11-4GN-K2)

Данные появятся в скором времени

Модуль памяти - небольшая печатная плата, на которой размещены микросхемы запоминающего устройства, обычно ОЗУ. В зависимости от форм-фактора выводы могут реализовываться в виде штырьков располагаться в виде дорожек, подходящих к краю ножевого разъёма с одной стороны платы, либо двух. Оперативная память, или оперативное запоминающее устройство (ОЗУ) — временное хранилище для данных, необходимых для работы игр и программ.

Тип памяти DDR4 Форм-фактор DIMM 288-контактный Тактовая частота 2400 МГц Пропускная способность 19200 Мб/с Объем 1 модуль 4 Гб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет CAS Latency (CL)

Оперативная память произведена с учетом требований современных компьютерных систем, что гарантирует ее универсальность и надежность. Модули относятся к классу DDR4, обладают емкостью 2х8 ГБ и 288-контактными модулями DIMM? Предельная частота работы устройства достигает 3200 МГц, а пропускная способность – 25600 Мб/с.

Новая в уп. Используются чипы производства Samsung, Hynix, Micron Тип памяти: DDR3; Общий объём памяти, Гб: 8; Количество модулей: 1; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Форм-фактор: SO-DIMM ; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 11; Напряжение питания: 1.5 В; Количество ранков: 2; Количество чипов каждого модуля: 16, двусторонняя упаковка Оперативная память для ноутбука Kllisre

тип DDR4, объем одного модуля 16 ГБ, тактовая частота 2666 МГц, форм-фактор DIMM, количество модулей в комплекте 1 шт, CL 19

Оперпамять Compit CMPTDDR416GBSD2666 DDR4 16GB SODIMM 2666MHz имеет 16-гигабайтовый модуль, высоту в 31.25 мм, ее отличает современный продуктивный тип DDR 4, обеспечивающий большую, по сравнению с DDR3 энергоэффективность и пропускную способность, так что даже в условиях многозадачности система гарантирует хороший отклик. На это же работает и диапазон рабочих частот до 2666 МГц. Энергопотребление с напряжением 1,2 В, без радиатора охлаждения так как исключён перегрев микросхем.

8 Гб, DDR4 DIMM, 23400 Мб/с, CL19, ECC, буферизованная

Память DDR4 DIMM 16Gb, 2666MHz TESLA (TSLD4-2666-CL19-16G)