Модуль Усиления Звука На Lm386 (Моно)

Оперативная память Samsung M393AAG40M32-CAE с объемом 128 гигабайт и частотой 3200 мегагерц - это отличный выбор для тех, кто ищет надежную и быструю память для своего сервера. Этот модуль памяти имеет форм-фактор DIMM и может быть использован для установки в различные типы материнских плат. · Преимущества: · ▶ Поддержка технологии ECC - обеспечивает дополнительную защиту от ошибок и сбоев при передаче данных.

Оперативная память корпоративного класса для серверов

Название товара: Комплект из 2-х модулей оперативной памяти; Назначение: для компьютера; Количество модулей памяти в комплекте: 1; Тип модуля памяти: DDR5; Объём: 16Gb; Объем одного модуля памяти: 16Gb; Форм-фактор: DIMM; Пропускная способность (Рабочая частота): PC5-48000 6000MHz; Код вендора: SP016GXLWU600FSG; Латентность: CL40; Питание: 1.35 В; Охлаждение: Пассивное (радиатор на чипах)

Оперативная память Micron DDR 3 SODIMM 4GB 1,35V 1600Mhz для ноутбука

Модуль памяти Smartbuy DDR4 DIMM 8GB SBDR4-D8GBSPK512X16-2133P PC4-17000, 2133MHz

Оперативная память DDR3 (8GB), DIMM - 1333MHz Латентность: CL9. Напряжение питания: 1.5 В

Модуль памяти - небольшая печатная плата, на которой размещены микросхемы запоминающего устройства, обычно ОЗУ. В зависимости от форм-фактора выводы могут реализовываться в виде штырьков располагаться в виде дорожек, подходящих к краю ножевого разъёма с одной стороны платы, либо двух. Оперативная память, или оперативное запоминающее устройство (ОЗУ) — временное хранилище для данных, необходимых для работы игр и программ.

Оперативная память 2Gb DDR-II 800MHz AMD (R322G805U2S-UG)

Оперативная память Crucial 4 ГБ (2 ГБ x 2 шт.) DDR2 800 МГц SODIMM CL6 CT2KIT25664AC800

Тип памяти: DDR3; Общий объём памяти, Гб: 4; Тактовая частота: 1600 МГц; Форм-фактор: DIMM; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered)

Модуль памяти TerraMaster 4GB DDR4 for models F2-423/F4-423/T6-423/T9-423/T12-423/U4-423/U8-423/U12-423

Назначение: для настольных ПК Тип памяти: DDR4 Форм-фактор: DIMM Объем одного модуля: 32 ГБ Поддержка ECC: нет CAS Latency (CL): 16 Радиатор: Да Тактовая частота: 3200 МГц Буферизованная (Registered)

С модулями памяти Kingston FURYв„ў Impact DDR4 SODIMM ваш ноутбук или ПК получат все необходимые ресурсы для повышения скорости работы. Модули памяти FURY Impact DDR4, поддерживающие процессоры AMD Ryzenв„ў и профили памяти IntelВ® XMP, имеющие сертификат XMP и предлагаемые в комплектах емкостью до 64 ГБ, включают инновационную технологию разгона памяти Plug N Play от компании Kingston, которая автоматически задействует заданные на заводе-изготовителе частоту и тайминги латентности без необходимости

Быстрый и стремительный. Прочный, как броня. Изысканный, геометрически правильный стиль. Подсветка RGB освещает ваш путь. Разгон без усилий с XMP 2.0.

Тип: оперативная память; Цвет: серый

Оперативная память для ноутбуков, моноблоков и других устройств в разъемом So-Dimm

Оперпамять Compit CMPTDDR416GBSD2666 DDR4 16GB SODIMM 2666MHz имеет 16-гигабайтовый модуль, высоту в 31.25 мм, ее отличает современный продуктивный тип DDR 4, обеспечивающий большую, по сравнению с DDR3 энергоэффективность и пропускную способность, так что даже в условиях многозадачности система гарантирует хороший отклик. На это же работает и диапазон рабочих частот до 2666 МГц. Энергопотребление с напряжением 1,2 В, без радиатора охлаждения так как исключён перегрев микросхем.

Артикул: 775-590 Оперативная память A-Data AX4U32008G16A-DCBK20 Ориентируясь на «геймеров, профессионалов киберспорта и технических энтузиастов», компания Adata представила под маркой XPG модули памяти Gammix D20. Серия XPG Gammix D20 включает модули памяти DDR4-3200, DDR4-3600 и DDR4-4133. Модули снабжены радиаторами черного или серого цвета, анодированная поверхность которых, по мнению производителя, вызывает ассоциации с оружием. Подсветки нет.

8 Гб, DDR4 DIMM, 23400 Мб/с, CL19, ECC, буферизованная

D_HEIGHT 29 D_LENGTH 38 D_WIDTH 32 EANUPCCode 4711085934840 Error-correcting code (ECC) Нет Буферизованная (Registered) Нет Комплектующие для ПК/сервер Конфигурация памяти (модули х емкость) 2 x 8 GB Объем, ГБ 16 GB Рабочее напряжение, В 1.35 V Тип DDR4 Тип буферной памяти Unregistered (unbuffered) Форм-фактор 288-pin DIMM Цвет подсветки Красный/зеленый/синий Частота, МГц 3600 MHz . adpar_property_list { width:100%; margin:0px 0px 0px; color:#555; } .

Оперативная память Geil 8 ГБ - это отличный выбор для тех, кто ищет надежный и производительный компонент для своего компьютера. Geil - это известный бренд, который зарекомендовал себя как производитель качественных компонентов для ПК. Оперативная память Geil имеет форм-фактор DIMM и объем 8 ГБ, что позволяет использовать ее для работы с несколькими приложениями одновременно. Каждый модуль имеет объем 4 ГБ и частоту 1600 МГц, что обеспечивает высокую скорость передачи данных.

Бренд NETAC Серия Shadow RGB Тип памяти DDR4 Частотная спецификация 3200 Тип поставки Ret Форм-фактор DIMM Буферизация unbuffered Количество контактов 288-pin Показатель скорости PC4-25600 Скорость (тест) 3200МГц Напряжение (тест) 1.35В Количество рангов (Ranks) single rank PartNumber/Артикул Производителя NTSRD4P32DP-16S Модель NTSRD4P32DP-16S Особенности (выводится в карточку) Silver Особенности (выводится в конец названия)

[Модуль памяти] AMD DDR4 DIMM 8GB R948G3206U2S-UO PC4-25600, 3200MHz R9 Gamers Series Black Activate to Precharge Delay (tRAS) - CAS Latency (CL) 16 масса(кг) 0.08 GTD Number 10005030/210623/3166103 GTIN 00000000000000 Cтрана-производитель тайвань (китай) Партномер R948G3206U2S-UO RAS to CAS Delay (tRCD) - Row Precharge Delay (tRP) - Вес (грамм) - Высота (мм) - высота(см) 0.1 Габариты (мм) - гарантия 1 год длина(см) 13.5 Дополнительная информация - Количество контактов 288 Количество модулей в комплекте (шт)

Производитель Thermaltake Модель Thermaltake TOUGHRAM RGB Код производителя R009R432GX2-3200C16A Тип памяти DDR4 Форм-фактор памяти DIMM Количество модулей в комплекте 2 шт Объем одного модуля памяти 32 ГБ Суммарный объем памяти всего комплекта 64 ГБ Тактовая частота 3200 МГц Пропускная способность 25600 МБ/с Регистровая память нет ECC-память нет Тайминги 16-18-18-36 CAS Latency (CL) 16 RAS to CAS Delay (tRCD) 18 тактов Row Precharge Delay (tRP) 18 тактов Active to Precharge Delay (tRAS)