Модуль Усиления Звука На Lm386 (Моно)

Оперативная память 32Gb DDR4 3200MHz ADATA XPG D41 RGB (AX4U320016G16A-DR41) (2x16Gb KIT)

Оперативная память DIMM 2 Gb DDR3 1600 MHz AMD Radeon (R532G1601U1SL-U) PC3-12800

Гарантия: 36 месяцев Тип памяти: Unbuffered Форм-фактор: DIMM Стандарт памяти: DDR4 Объем одного модуля, ГБ: 16 Количество модулей в комплекте, шт: 1 Суммарный объем, ГБ: 16 Эффективная частота, МГц: 2666 Пропускная способность, Мб/с: 21300 Поддержка ECC: Нет Низкопрофильная: Нет Количество чипов на модуле, шт: 16 Количество контактов: 288 CAS Latency (CL): 16 RAS to CAS Delay (tRCD): 18 Row Precharge Delay (tRP): 18 Activate to Precharge Delay (tRAS)

2-гигабайтная оперативная память Patriot Signature [PSD22G80026] применяется в офисных рабочих станциях и домашних компьютерах, использующих память, относящуюся к типу DDR2. Модуль памяти отличается высокой степенью надежности, и может использоваться в системах, работающих с нагрузкой выше средней. Устройство подойдет для использования как в качестве единственного модуля памяти, так и для применения в комбинации с аналогичными модулями.

DDR2, объём: 1 модуль на 2Gb, тактовая частота: 800 MHz, форм-фактор: DIMM 240-контактный, скорость: PC-6400, поддержка ECC: нет, Low Profile: нет, Registered: нет (QUM2U-2G800T6R)

Модуль оперативной памяти 4x16ГБ DDR4 SDRAM Kingston FURY Beast KF426C16BB1K4/64 (PC21300, 2666МГц, CL16) (ret)

Данный тестер позволяет проверить цепи между слотом оперативной памяти и процессором. Это вторая версия тестера, и в отличие от первой она реверсированная. Красные светодиоды горят только в случае неисправности линии. (Или если тестер включен вне разъёма) При помощи батарейки СR2032 через процессор пропускается слабый ток, и если линия целая, то ток возвращается в тестер и гасит светодиод, отвечающий за эту линию. Светодиоды могут гореть в случае, если неисправность в процессоре.

Память DDR3 DIMM 4Gb, 1600MHz BaseTech (BTD31600C11-4GN)

Оперативная память DDR3 (8GB), DIMM - 1333MHz Латентность: CL9. Напряжение питания: 1.5 В

Оперативная память Apacer AS08GGB32CSYBGH Тип памяти: Unbuffered Форм-фактор: SODIMM Стандарт памяти: DDR4 Объем одного модуля: 8, ГБ Количество модулей в комплекте: 1, шт Суммарный объем: 8, ГБ Эффективная частота: 3200, МГц Пропускная способность: 25600, Мб/с Поддержка ECC: Нет Низкопрофильная: Нет Количество ранков: 1 Количество контактов: 260 CAS Latency (CL)

ОсновныеНаборНетОбъем2 ГБТипDDR3 SO-DIMMECCНетЧастота1600 МГцPC-индексPC3-12800CAS Latency11TНапряжение питания1.5 В Технические характеристикиПрофили XMPНетПрофили AMPНет КонструкцияОхлаждениеНетНизкопрофильный модульНет

объем памяти: 8 ГБ тип: DDR3 DIMM 240-pin тактовая частота: 1600 МГц тайминги: 11 напряжение питания: 1.5 В пропускная способность: PC12800

Модуль памяти Patriot Memory DDR3 SO-DIMM 1600Mhz PC3-12800 CL11 - 4Gb PSD34G1600L81S

Тип памяти DDR4 Форм-фактор DIMM 288-контактный Тактовая частота 2666 МГц Пропускная способность 21300 МБ/с Объем 4 модуля по 4 ГБ Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет CAS Latency (CL) 16 RAS to CAS Delay (tRCD) 18 Row Precharge Delay (tRP)

количество модулей в комплекте 1 шт, объем одного модуля 8 ГБ, тип DDR3 DIMM 240-pin, тактовая частота 1866 МГц, тайминги 10-11-10-38, напряжение питания 1.5 В, пропускная способность PC14900, особенности Unregistered, радиатор

Модуль оперативной памяти 16ГБ DDR4 SDRAM Kingston FURY Beast KF426C16BB/16 (PC21300, 2666МГц, CL16) (ret)

Новая в уп. Используются чипы производства Samsung, Hynix, Micron Тип памяти: DDR3; Общий объём памяти, Гб: 8; Количество модулей: 1; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Форм-фактор: SO-DIMM ; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 11; Напряжение питания: 1.5 В; Количество ранков: 2; Количество чипов каждого модуля: 16, двусторонняя упаковка Оперативная память для ноутбука Kllisre

Оперативная память DIMM BIWINTECH 8GB DDR4-3200 (B14AU8G53222R#A)

D_HEIGHT 17 D_LENGTH 25.4 D_WIDTH 19.1 EANUPCCode 740617322255 Error-correcting code (ECC) Нет Буферизованная (Registered) Нет Объем, ГБ 16GB Рабочее напряжение, В 1.35V Тип DDR4 Форм-фактор 288-pin DIMM Частота, МГц 2666 MHz . adpar_property_list { width:100%; margin:0px 0px 0px; color:#555; } . adpar_property_list td { vertical-align: bottom; font-size:13px; vertical-align: top; background: url(images/dott. png)

[Модуль памяти] CBR DDR4 DIMM (UDIMM) 4GB CD4-US04G26M19-01 PC4-21300, 2666MHz, CL19, 1.2V Activate to Precharge Delay (tRAS) 43 CAS Latency (CL) 19 масса(кг) 0.017 GTD Number 10005030/230323/3072153/17 GTIN 06973720601779 Cтрана-производитель Китай Партномер CD4-US04G26M19-01 RAS to CAS Delay (tRCD) 19 Row Precharge Delay (tRP) 19 Вес (грамм) - Высота (мм) - высота(см) 5.5 Габариты (мм) - гарантия 3 года длина(см) 17 Дополнительная информация - Количество контактов 288 Количество модулей в комплекте (шт)

Оперативная память ENTADM DDR4 может обеспечить стабильное повышение производительности компьютера. Предусмотрены варианты модулей памяти объемом 4 ГБ / 8 ГБ / 16 ГБ / 32 ГБ, простота установки - просто подключи и играй, совместимость с материнскими платами Intel и AMD. 5 лет гарантии, бесплатная бессрочная техническая поддержка. (Если Вам нужна консультация по техническим вопросам, пожалуйста, свяжитесь с нами)

Тестер АКБ Iphone 5s-XR, Android Kaisi K-9208 v21

Оперативная память Kingston DRAM 64GB 3200MHz DDR4 CL16 DIMM (Kit of 2) FURY Renegade RGB EAN: 74061