Скидка 14% на Оперативная Память Crucial 4 Гб (2 Гб X 2 ) Ddr2 800 Мгц Sodimm Cl6 Ct2kit25664ac800

Модуль энергонезависимой памяти на базе микросхемы EEPROM AT24C08. Энергонезависимая электрически стираемая память. Емкость: 8Кб (1024 x 8)

Модель R534G1601S1S-UG Количество контактов 204-pin Показатель скорости PC3-12800 Скорость (тест) 1600МГц Напряжение (тест) 1.5В Задержка (тест) 11-11-11-28 Латентность CL11 Бренд AMD PartNumber/Артикул Производителя R534G1601S1S-UG Размер (модули памяти) 4096/1600 Вес упаковки (ед) 0.016 Тип памяти DDR3 Объем 4096 Частотная спецификация 1600 Количество в упаковке 1 Тип поставки Ret Форм-фактор SO-DIMM Буферизация unbuffered EANCode 4897065184228 .

Объем: - 1х 8 ГБ; Частота: - 3200МГц; Латентность: - CL19; Тайминги: - 19-19-19; Форм-фактор: - DIMM, 288-pin; Тип поставки: - OEM

Оперативная память Hynix DDR3 4 ГБ 1600 MHz DIMM PC3-12800U 1x4 ГБ для компьютера

Оперативная память 4Gb (1x4Gb) PC3-12800 1600MHz DDR3 DIMM CL11 Apacer AU04GFA60CATBGJ

Оперативная память произведена с учетом требований современных компьютерных систем, что гарантирует ее универсальность и надежность. Модуль относится к классу DDR4, обладает емкостью 32 ГБ и 288-контактным модулем RDIMM. Предельная частота работы устройства достигает 3200 МГц, а пропускная способность – 25600 Мб/с.

TSLD4-3200-CL22-8G Оперативная память TESLA (TSLD4-3200-CL22-8G) 8 ГБ

16 Гб, DDR5, 44800 Мб/с, CL40, 1.1 В, радиатор

Модуль памяти DDR4 32 Гб x 2 шт. PC4-32000 (DDR4 4000 МГц) Радиаторы на чипах памяти Напряжение: Напряжение памяти нестандартное

Оперативная память Samsung - это высококачественный продукт, который обеспечивает высокую производительность и надежность работы вашего компьютера. Объем памяти составляет 8 ГБ, что позволяет быстро обрабатывать большие объемы данных. Тактовая частота составляет 1333 МГц, что обеспечивает быстрое чтение и запись данных. Оперативная память Samsung имеет высокую пропускную способность 10600, что гарантирует быструю передачу данных между процессором и памятью.

Модуль памяти - небольшая печатная плата, на которой размещены микросхемы запоминающего устройства, обычно ОЗУ. В зависимости от форм-фактора выводы могут реализовываться в виде штырьков располагаться в виде дорожек, подходящих к краю ножевого разъёма с одной стороны платы, либо двух. Оперативная память, или оперативное запоминающее устройство (ОЗУ) — временное хранилище для данных, необходимых для работы игр и программ.

16 Гб, 2 модуля DDR4, 32000 Мб/с, CL19-23-23-45, 1.35 В, XMP профиль, радиатор

Гарантия: 12 месяцев Серия продукции: Fury Тип памяти: Unbuffered Форм-фактор: DIMM Стандарт памяти: DDR5 Объем одного модуля, ГБ: 8 Количество модулей в комплекте, шт: 1 Суммарный объем, ГБ: 8 Эффективная частота, МГц: 5600 Пропускная способность, Мб/с: 44800 Поддержка ECC: On-Die ECC Низкопрофильная: Нет Количество чипов на модуле, шт: 4 Количество ранков: 1 Количество контактов: 288 CAS Latency (CL): 40 RAS to CAS Delay (tRCD): 39 Row Precharge Delay (tRP)

Название товара: Комплект из 2-х модулей оперативной памяти; Назначение: для компьютера; Количество модулей памяти в комплекте: 2; Тип модуля памяти: DDR3; Объём: 8Gb; Объем одного модуля памяти: 4Gb; Форм-фактор: DIMM; Пропускная способность (Рабочая частота): PC3-12800 1600MHz; Особенности: NON-ECC; P\\N: KF316C10BBK2/8; Тайминги: 10-10-10; Латентность: CL10; Питание: 1.5 В; Охлаждение: Пассивное (радиатор на чипах)

Оперативная память ELPIDA DDR2 2GB 2Rx8 PC2-6400S-666 Оперативная память DDR2 второго поколения вышла в продажу в 2003 году и отличается от оперативной памяти DDR удвоеной частотой пропускания, более совершенной конструкцией, способствующей лучшему охлаждению и меньшим энергопотреблением. Данные платы состоят из 16 чипов памяти общим обьемом 2Gb от проверенного японского производителя Elpida и работают на частоте 800Mhz.

Компания Kingston с гордостью представляет Kingston FURY — бренд высокопроизводительных продуктов для геймеров и энтузиастов. Опыт Kingston в разработке и производстве памяти и хранилищ файлов (воплощением которого стали продукты HyperX DRAM, флэш-память и твердотельные накопители) помогает компании в течение двух десятилетий оставаться ключевым выбором энтузиастов и геймеров.

Название Оперативная память DIMM 16 Gb DDR4 3200 Mhz AMD R9 Gamer Series (R9416G3206U2S-U) PC4-25600. Тип DDR4. Форм-фактор DIMM. Тактовая частота 3200 МГц.

Оперативная память для ноутбука 2GB 667MHz DDR2 PC2-5300S HMP125S6EFR8C-Y5. Производится из высококачественных материалов, что гарантирует стабильную работу и высокий срок службы.

Activate to Precharge Delay (tRAS) - CAS Latency (CL) 22 масса(кг) 0.08 GTD Number 10005030/030523/3114996 GTIN 02772101075659 Cтрана-производитель корея, республика Партномер M391A4G43BB1-CWE RAS to CAS Delay (tRCD) - Row Precharge Delay (tRP) - Вес (грамм) - Высота (мм) - высота(см) 0.2 Габариты (мм) - гарантия 1 год длина(см) 15 Дополнительная информация - Количество контактов 288 Количество модулей в комплекте (шт) 1 Количество чипов на модуле - Линейка Нет масса(кг)

Модель R7432G2606S2S-U Количество контактов 260-pin Показатель скорости PC4-21300 Скорость (тест) 2666МГц Напряжение (тест) 1.2В Задержка (тест) 19-19-19-43 Латентность CL19 Бренд AMD PartNumber/Артикул Производителя R7432G2606S2S-U Количество чипов 16 Размер (модули памяти) 32768/2666 Вес упаковки (ед) 0.013 Серия Radeon R7 Performance Series Тип памяти DDR4 Объем 32768 Частотная спецификация 2666 Количество в упаковке 1 Тип поставки Ret Форм-фактор SO-DIMM Буферизация unbuffered EANCode 4897065183603 .

Оперативная память 4Gb DDR4 3200MHz AMD (R9S44G3206U1S) RTL