Скидка 8% на Ddr4 8gb 2666mhz Digma Dgmad42666008d Rtl Pc4-21300 Cl19 Dimm 288-Pin 12В Dual Rank Rtl

Модуль памяти Samsung DDR3 8GB 2RX8 1600MHz 1.5V DIMM для ПК - это высококачественный продукт, который идеально подходит для использования в компьютерах. Он имеет высокую скорость передачи данных и низкое энергопотребление, что делает его идеальным выбором для тех, кто ищет производительность и надежность в своей системе. Samsung - известный бренд, который зарекомендовал себя как производитель высококачественной электроники.

Память оперативная DDR4 32Gb Digma 2666MHz (DGMAS42666032D)

32 Гб, DDR4, 25600 Мб/с, CL22, 1.2 В

Бренд: KINGSTON Общий объём: 32 Гб Кол-во модулей: 1 Тип памяти: DDR4 Частота: 3200 МГц

D_HEIGHT 22 D_LENGTH 50 D_WIDTH 44 EANUPCCode 6926337233383 Error-correcting code (ECC) Нет Буферизованная (Registered) Нет Комплектующие для ПК/сервер Конфигурация памяти (модули х емкость) 2 x 8 GB Объем, ГБ 16 GB Рабочее напряжение, В 1.35 V Тип DDR4 Тип буферной памяти Unregistered (unbuffered) Форм-фактор 288-pin DIMM Цвет подсветки Красный/зеленый/синий Частота, МГц 3600 MHz . adpar_property_list { width:100%; margin:0px 0px 0px; color:#555; } .

Название Оперативная память Samsung DDR4 ECC RDIMM 8 Гб, 3200 МГц. Тип DDR4. Форм-фактор DIMM. Количество модулей в комплекте 1 шт. Объем одного модуля 8 ГБ. Тактовая частота 3200 МГц. Пропускная способность PC25600. CL 22. Напряжение питания 1.2 В. Количество рангов 1. Количество контактов 288. Особенности Registered. Гарантийный срок 1 г.

Работает на напряжениях 1.5В 1.35В Оперативная память DDR3 (4GB), SODIMM - 1333MHz Латентность: CL9. Напряжение питания: 1.5В 1.35В

Артикул № 992667 Viper, принадлежащий компании Patriot, представляет модули оперативной памяти Venom стандарта DDR5, предназначенные для применения в настольных компьютерах игрового уровня. Все модули оснащены радиатором охлаждения с агрессивным дизайном. При этом покупатели смогут выбирать между модификациями с многоцветной подсветкой и без.

Артикул № 992677 Модули памяти Kingston FURY Beast Black обеспечивают высокие технологии для игровых платформ последнего поколения. Память DDR5, отличающаяся более высокой скоростью, емкостью и надежностью, поставляется с набором расширенных функций, таких как накристальная функция обнаружения и исправления ошибок (ODECC) для повышения стабильности на экстремальных скоростях, два 32-битных подканала для повышения эффективности и встроенная в модуль интегральная микросхема управления питанием для подачи

Оперативная память корпоративного класса для серверов

Модуль памяти (оперативная память, RAM) для персонального компьютера Hynix DIMM DDR3 4Гб 1333 mhz. Напряжение питания 1.5V

Оперативная память для ноутбука SODIMM DDR4 16Гб Samsung M474A2K43DB1-CVF non-ECC 2933MHz (PC-23400) 260pin, 1.2V, Retail

Комплект памяти DDR3 DIMM 8Gb (2x4Gb), 1600MHz BaseTech (BTD31600C11-4GN-K2)

В комплекте 2шт Оперативная память SK Hynix - это высокопроизводительный компонент, который может значительно повысить производительность вашего ноутбука. Она работает на частоте 1333 МГц, что обеспечивает быструю передачу данных между процессором и другими компонентами компьютера. SK Hynix DDR3 имеет объем 4 ГБ и класс памяти PC3-10600, что позволяет использовать ее для работы с большими объемами данных. Кроме того, она поддерживает технологию SO-DIMM, которая обеспечивает удобное подключение к ноутбуку.

Оперативная память 4Gb DDR4 2666MHz Kingmax SO-DIMM (KM-SD4-2666-4GS)

Модуль памяти - небольшая печатная плата, на которой размещены микросхемы запоминающего устройства, обычно ОЗУ. В зависимости от форм-фактора выводы могут реализовываться в виде штырьков располагаться в виде дорожек, подходящих к краю ножевого разъёма с одной стороны платы, либо двух. Оперативная память, или оперативное запоминающее устройство (ОЗУ) — временное хранилище для данных, необходимых для работы игр и программ.

Гарантия: 36 месяцев Тип памяти: Unbuffered Форм-фактор: DIMM Стандарт памяти: DDR4 Объем одного модуля, ГБ: 16 Количество модулей в комплекте, шт: 1 Суммарный объем, ГБ: 16 Эффективная частота, МГц: 2666 Пропускная способность, Мб/с: 21300 Поддержка ECC: Нет Низкопрофильная: Нет Количество чипов на модуле, шт: 16 Количество контактов: 288 CAS Latency (CL): 16 RAS to CAS Delay (tRCD): 18 Row Precharge Delay (tRP): 18 Activate to Precharge Delay (tRAS)

Оперативная память DDR3 (8GB), DIMM - 1333MHz Латентность: CL9. Напряжение питания: 1.5 В

Оперативная память JRam [JRL8G1600D3] имеет емкость 8 ГБ, и может использоваться как в качестве единственного модуля памяти, так и в комбинации с другими модулями памяти. Модель соответствует популярному типу DDR3, и может устанавливаться в офисные и домашние компьютеры, ориентированные на выполнение задач средней сложности. Установка этого модуля памяти может стать хорошей стартовой платформой для апгрейда: докупив затем второй такой же модуль, вы получите еще более высокий уровень производительности.

32 Гб, DDR5, 38400 Мб/с, CL38, 1.1 В