Оперативная Память Kingmax Ddr4 3200 Мгц Dimm Cl22 Km-Ld4-3200-8gs

Оперативная память ADATA XPG Lancer поколения DDR5 разработана специально для игровых систем и профессиональных рабочих станций. Она обеспечивает высокое быстродействие при обработке требовательных ресурсов. Набор представлен двумя модулями с объемом по 16 ГБ и частотой 6000 МГц. Поддержка Intel XMP предусматривает разгон платформы. Алюминиевый радиатор эффективно отводит тепло от чипов памяти и помогает предотвратить перегрев.

Новое устройство в заводской упаковке. Гарантия от производителя

Производитель G. Skill Серия RIPJAWS S5 Модель F5-6800J3446F24GX2-RS5K Тип оборудования Количество контактов Модуль памяти DDR5 288-контактная Объем модуля памяти 24 Гб Количество модулей в комплекте Общий объем памяти 2 шт 48 ГБ Производительность Частота функционирования до 6800 МГц Стандарт памяти PC5-54400 (DDR5 6800 МГц) Пропускная способность памяти 54400 Мб/сек Латентность CL34 Тайминги 34-46-46-108 Конфигурация Поддержка ECC Зарегистрированный/ Небуферизованный Нет Небуферизованный Поддержка

Гарантия: 36 месяцев Тип памяти: Unbuffered Форм-фактор: DIMM Стандарт памяти: DDR4 Объем одного модуля, ГБ: 16 Количество модулей в комплекте, шт: 1 Суммарный объем, ГБ: 16 Эффективная частота, МГц: 2666 Пропускная способность, Мб/с: 21300 Поддержка ECC: Нет Низкопрофильная: Нет Количество чипов на модуле, шт: 16 Количество контактов: 288 CAS Latency (CL): 16 RAS to CAS Delay (tRCD): 18 Row Precharge Delay (tRP): 18 Activate to Precharge Delay (tRAS)

Оперативная память ENTADM DDR3 может обеспечить стабильное повышение производительности старых компьютеров. Предусмотрены варианты модулей памяти объемом от 4 ГБ до 8 ГБ, простота установки - просто подключи и играй, совместимость с материнскими платами Intel и AMD. 100% тестирование и пожизненная гарантия, бесплатная техническая поддержка. Пожалуйста, обратите внимание: G41 / Q58 / Н55 / P55 / Р41 / Р43 / Р45 эти модели материнских плат могут поддерживать только максимальный модуль памяти 256 МБ * 8 бит

Оперативная память Kingston Server Premier DDR4 32GB RDIMM 3200MHz ECC Registered 1Rx4, 1.2V (Hynix C Rambus)

Модуль памяти (оперативная память, RAM) Samsung SODIMM DDR3L 4Гб 1333 mhz Напряжение питания 1.35В PC3L-12800S

Память DDR4 DIMM 16Gb, 2666MHz TESLA (TSLD4-2666-CL19-16G)

Основные характеристики - Назначение: стационарные (настольные) ПК - Общий объем модулей памяти: 32 Гб - Объем модуля памяти: 8 Гб - Тип памяти: DDR4 - Частота памяти: 2666 МГц - Количество слотов памяти: 4 - Форм фактор поддерживаемой памяти: U-DIMM - Пропускная способность: 21300 Мб/с - Игровая память: да - Возможность разгона: да Модуль - Конструкция модуля памяти: односторонняя - Ранг модуля памяти: Single - Количество чипов модуля: 8 Тайминги - CAS Latency (CL): CL16 - RAS to CAS Delay (tRCD)

Модуль памяти DDR5 32 Гб x 1 шт. PC5-44800 (DDR5 5600 МГц) Поддержка XMP (Intel Extreme Memory Profiles) Напряжение: 1.25 В

Viper Gaming представляет новое поколение оперативной памяти DDR5 серии Viper Venom – самую быструю память в ассортименте Viper. Память DDR5 Viper Venom в два раза превосходит любую память DDR4 по своему быстродействию. Модули DDR5 Viper Venom разработаны с применением инновационных технологий, оснащены встроенной микросхемой управления питанием, для повышения эффективности работы и снижения энергопотребления. Встроенный термодатчик контролирует нагрев и увеличивает срок службы модулей.

Оперативная память Samsung - это высококачественный продукт, который обеспечивает высокую производительность и надежность работы вашего компьютера. Объем памяти составляет 8 ГБ, что позволяет быстро обрабатывать большие объемы данных. Тактовая частота составляет 1333 МГц, что обеспечивает быстрое чтение и запись данных. Оперативная память Samsung имеет высокую пропускную способность 10600, что гарантирует быструю передачу данных между процессором и памятью.

Новая в уп. Используются чипы производства Samsung, Hynix, Micron Тип памяти: DDR3; Общий объём памяти, Гб: 8; Количество модулей: 1; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Форм-фактор: SO-DIMM ; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 11; Напряжение питания: 1.5 В; Количество ранков: 2; Количество чипов каждого модуля: 16, двусторонняя упаковка Оперативная память для ноутбука Kllisre

Оперативная память для ноутбука SODIMM DDR4 16Гб Samsung M474A2K43DB1-CVF non-ECC 2933MHz (PC-23400) 260pin, 1.2V, Retail

Категория: комплектующие для ноутбуков. Socket 479P на шарах

Модуль памяти TerraMaster 4GB DDR4 for models F2-423/F4-423/T6-423/T9-423/T12-423/U4-423/U8-423/U12-423

Модуль памяти DDR4 4GB Kingmax KM-LD4-2400-4GS

Оперативная память для компьютера Atermiter DDR3 8Gb 1600MHz (PC3-12800) DIMM 1.5V Совместим с процессорами Intel и Amd

Модуль памяти - небольшая печатная плата, на которой размещены микросхемы запоминающего устройства, обычно ОЗУ. В зависимости от форм-фактора выводы могут реализовываться в виде штырьков располагаться в виде дорожек, подходящих к краю ножевого разъёма с одной стороны платы, либо двух. Оперативная память, или оперативное запоминающее устройство (ОЗУ) — временное хранилище для данных, необходимых для работы игр и программ.