Оперативная Память 64 Gb 6800 Mhz Gskill Trident Z Rgb (F5-6800j3445g32gx2-Tz5rk)

CAS Latency (CL) 40 масса(кг) 0.06 GTD Number 10005030/270423/3109674/1 GTIN 00649528905628 Cтрана-производитель Малайзия Партномер CT16G48C40U5 RAS to CAS Delay (tRCD) 39 Row Precharge Delay (tRP) 39 высота(см) 5 гарантия 1 год длина(см) 18 Дополнительная информация нет Количество модулей в комплекте (шт) 1 Линейка - масса(кг) 0.06 Модель CT16G48C40U5 Напряжение (В) 1.1 Низкопрофильная нет Общий объем памяти (ГБ) 16 Объем одного модуля (ГБ)

Характеристики – Тип памяти: DDR3 Форм фактор: DIMM Количество контактов: 240 Тактовая частота6 1333 МГц Пропускная способность: 10600 Мб/с Объем: 1 модуль 1Gb Общий объём: 1 Гб Поддержка ECC: нет Буферизованная (Registered): нет Низкопрофильная (Low Profile)

Тип оперативная памятьМодельADATA XPG GAMMIX D35Код производителя[AX4U36008G18I-SBKD35]Объем и состав комплектаТип памяти DDR4Форм-фактор памяти DIMMСуммарный объем памяти всего комплекта 8 ГБОбъем одного модуля памяти 8 ГБКоличество модулей в комплекте 1 штРегистровая память нетECC-память нетБыстродействиеТактовая частота 3600 МГцПрофили AMD EXPO нетПрофили Intel XMP 3600 МГц (18-22-22)ТаймингиCAS Latency (CL) 18RAS to CAS Delay (tRCD) 22Row Precharge Delay (tRP)

Оперативная память Kingston - это высококачественный продукт, который зарекомендовал себя как надежный и производительный. Оперативная память Kingston имеет высокую частоту работы - 1600 МГц, что обеспечивает быструю обработку данных и плавное воспроизведение видео и игр. Кроме того, оперативная память Kingston отличается низким энергопотреблением и высокой стабильностью работы. Оперативная память Kingston DDR3 - это идеальное решение для тех, кто ищет высокопроизводительную и надежную оперативную память.

Оперативная память для ноутбука HP 2E2M5A SO-DIMM 8Gb DDR4 3200 MHz 2E2M5AA#ABB

Оперативная память DDR3 (8GB), SODIMM - 1600MHz Латентность: CL11. Напряжение питания: 1.5В

Оперативная память корпоративного класса для серверов

Быстрый и стремительный. Прочный, как броня. Изысканный, геометрически правильный стиль. Подсветка RGB освещает ваш путь. Разгон без усилий с XMP 2.0.

Миниатюрные размеры модуля памяти Foxline делают его подходящим для использования в ноутбуках. Достаточно высокая частота этого модуля оперативной памяти обеспечивает его высокую производительность (этот параметр легко можно отследить с помощью стандартного теста, проведенного любой операционной системой). Установка модуля проста, не занимает много времени и не требует от вас наличия специальных знаний и умений.

Соответствующая типу DDR4 оперативная память Patriot Signature Line PSD48G266681 выпускается в рамках широко известной одноименной производственной серии. Вы получите в свое распоряжение стабильно функционирующее устройство, демонстрирующее типовой уровень производительности. Память будет полезна потенциальным или настоящим владельцам системных блоков, ориентированных на решение универсальных задач.

Модель R534G1601S1S-UG Количество контактов 204-pin Показатель скорости PC3-12800 Скорость (тест) 1600МГц Напряжение (тест) 1.5В Задержка (тест) 11-11-11-28 Латентность CL11 Бренд AMD PartNumber/Артикул Производителя R534G1601S1S-UG Размер (модули памяти) 4096/1600 Вес упаковки (ед) 0.016 Тип памяти DDR3 Объем 4096 Частотная спецификация 1600 Количество в упаковке 1 Тип поставки Ret Форм-фактор SO-DIMM Буферизация unbuffered EANCode 4897065184228 .

Назначение: Для компьютера Подсветка: Нет Тип памяти: DDR5 Форм-фактор: DIMM Количество модулей в комплекте: 1 CAS Latency (CL): 40 Частота (МГц): 5600 Пропускная способность (Мегабитс): 44800 Объем одного модуля (Гб): 16 Общий объем (Гб)

Модуль памяти Samsung DDR3 8GB 2RX8 1600MHz 1.5V DIMM для ПК - это высококачественный продукт, который идеально подходит для использования в компьютерах. Он имеет высокую скорость передачи данных и низкое энергопотребление, что делает его идеальным выбором для тех, кто ищет производительность и надежность в своей системе. Samsung - известный бренд, который зарекомендовал себя как производитель высококачественной электроники.

Основные характеристикиПроизводительTESLAТипDDR3Форм-факторDIMMКомплектностьКомплект памятиКоличество модулей в комплекте2Объем одного модуля8 ГбОбщий объем памяти16 ГбТактовая частота1600 MHzCL11Напряжение питанияНапряжение питания1.35 В

Оперативная память Samsung M393AAG40M32-CAE с объемом 128 гигабайт и частотой 3200 мегагерц - это отличный выбор для тех, кто ищет надежную и быструю память для своего сервера. Этот модуль памяти имеет форм-фактор DIMM и может быть использован для установки в различные типы материнских плат. · Преимущества: · ▶ Поддержка технологии ECC - обеспечивает дополнительную защиту от ошибок и сбоев при передаче данных.

Бренд NETAC Серия Shadow RGB Тип памяти DDR4 Частотная спецификация 3200 Тип поставки Ret Форм-фактор DIMM Буферизация unbuffered Количество контактов 288-pin Показатель скорости PC4-25600 Скорость (тест) 3200МГц Напряжение (тест) 1.35В Количество рангов (Ranks) single rank PartNumber/Артикул Производителя NTSRD4P32DP-16S Модель NTSRD4P32DP-16S Особенности (выводится в карточку) Silver Особенности (выводится в конец названия)

Модуль памяти Kingston - это высококачественный продукт, который предназначен для использования в серверных системах. Он обеспечивает высокую производительность и надежность, что делает его идеальным выбором для профессионалов, работающих с большими объемами данных. Модуль памяти Kingston имеет форм-фактор SODIMM и объем 16 гигабайт. Он работает на частоте 2666 МГц и обеспечивает пропускную способность 21,3 Гигабайт в секунду.

Название товара: Комплект из 2-х модулей оперативной памяти; Назначение: для компьютера; Количество модулей памяти в комплекте: 2; Тип модуля памяти: DDR4; Объём: 32Gb; Объем одного модуля памяти: 16Gb; Форм-фактор: DIMM; Пропускная способность (Рабочая частота): PC4-25600 3200MHz; Особенности: NON-ECC, Unbuffered; Код вендора: NTSWD4P32DP-32W; Тайминги: 16-20-20-40; Латентность: CL16; Питание: 1.35 В; Охлаждение: Пассивное (радиатор на чипах)

Тип памяти DDR4 Форм-фактор DIMM 288-контактный Тактовая частота 2666 МГц Пропускная способность 21300 МБ/с Объем 4 модуля по 4 ГБ Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет CAS Latency (CL) 16 RAS to CAS Delay (tRCD) 18 Row Precharge Delay (tRP)