Серверная Оперативная Память Kingston Server Premier Ddr4 32gb (Pc4-25600) 3200mhz Ecc Reg (Ksm32rs4/32mfr)

Название товара: Комплект из 2-х модулей оперативной памяти; Назначение: для компьютера; Количество модулей памяти в комплекте: 2; Тип модуля памяти: DDR3; Объём: 8Gb; Объем одного модуля памяти: 4Gb; Форм-фактор: DIMM; Пропускная способность (Рабочая частота): PC3-12800 1600MHz; Особенности: NON-ECC; P\\N: KF316C10BBK2/8; Тайминги: 10-10-10; Латентность: CL10; Питание: 1.5 В; Охлаждение: Пассивное (радиатор на чипах)

Модель KMLS8G4664800 Количество контактов 262-pin Показатель скорости PC5-38400 Скорость (тест) 4800МГц Бренд KIMTIGO PartNumber/Артикул Производителя KMLS8G4664800 Тип памяти DDR5 Объем 8192 Частотная спецификация 4800 Количество в упаковке 1 Тип поставки Ret Форм-фактор SO-DIMM Буферизация unbuffered EANCode 6924371292243 . adpar_property_list { width:100%; margin:0px 0px 0px; color:#555; } .

DDR-III 8GB (PC3-12800) 1600MHz

Оперативная память произведена с учетом требований современных компьютерных систем, что гарантирует ее универсальность и надежность. Модули относятся к классу DDR4, обладают емкостью 2х16 ГБ и 288-контактными модулями DIMM. Предельная частота работы устройства достигает 3200 МГц, а пропускная способность – 25600 Мб/с.

Бренд: G. SKILL Общий объём: 64 Гб Кол-во модулей: 2 Тип памяти: DDR5 Частота: 6800 МГц

Характеристики – Тип памяти: DDR3 Форм фактор: DIMM Количество контактов: 240 Тактовая частота6 1333 МГц Пропускная способность: 10600 Мб/с Объем: 1 модуль 1Gb Общий объём: 1 Гб Поддержка ECC: нет Буферизованная (Registered): нет Низкопрофильная (Low Profile)

Данные появятся в скором времени

Оперативная память Kingston Fury Impact - это идеальный выбор для тех, кто ищет высокую производительность и надежность. Эта оперативная память имеет объем 64 гигабайта (32 гигабайта на модуль) и частоту 3200 мегагерц, что обеспечивает быструю работу системы и позволяет запускать самые требовательные приложения. Оперативная память Kingston Fury Impact работает на основе технологии DDR4 и имеет форм-фактор SODIMM. Каждый модуль состоит из 16 чипов, что обеспечивает высокую надежность и долговечность.

32 Гб, DDR4, 25600 Мб/с, CL16, 1.35 В, XMP профиль, радиатор

Тип памяти: Unbuffered Форм-фактор: DIMM Стандарт памяти: DDR4 Объем одного модуля: 16 ГБ Количество модулей в комплекте: 1 шт Суммарный объем: 16 ГБ Эффективная частота: 2666 МГц Пропускная способность: 21300 Мб/с Поддержка ECC: Нет Низкопрофильная: Нет Количество чипов на модуле: 16 шт Количество контактов: 288 CAS Latency (CL): 16 RAS to CAS Delay (tRCD): 18 Row Precharge Delay (tRP): 18 Activate to Precharge Delay (tRAS)

Hynix DDR3-1333 PC3-10600S 4Gb SODIMM 204PIN Модуль оперативной памяти для ноутбука Память от производителя Hynix объемом 4Гб. Память для ноутбука. Подробные характеристики данных модулей ищите в сети интернет. Также внимательно проверьте совместимость Вашего оборудования с данной памятью перед покупкой. Убедитесь, что Ваш ноутбук работает с данным типом памяти, а также поддерживает такой объем модуля. Вся память обязательно проверялась программой memtest перед размещением данного лота.

Модуль памяти DDR4 4GB Kingmax KM-LD4-2400-4GS

Модуль памяти Samsung DDR3 8GB 2RX8 1600MHz 1.5V DIMM для ПК - это высококачественный продукт, который идеально подходит для использования в компьютерах. Он имеет высокую скорость передачи данных и низкое энергопотребление, что делает его идеальным выбором для тех, кто ищет производительность и надежность в своей системе. Samsung - известный бренд, который зарекомендовал себя как производитель высококачественной электроники.

Оперативная память Kllisre DDR3 1600 МГц для компьютера ПК Грамотный подбор ОЗУ — непростая задача, поскольку необходимо учесть большое количество факторов: тактовую частоту, тайминги, потенциал разгона, систему охлаждения.

Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR4 Объем модуля 8 ГБ Количество контактов 288-pin Показатель скорости PC4-25600 Буферизация unbuffered Поддержка ECCВ не поддерживается СкоростьВ 3200МГц НапряжениеВ 1.2В Латентность CL22 Тип поставки OEM Вес упаковки (ед) 0.021 кг Гарантия 60 мес.

Новая в уп. Используются чипы производства Samsung, Hynix, Micron Тип памяти: DDR3; Общий объём памяти, Гб: 8; Количество модулей: 1; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Форм-фактор: SO-DIMM ; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 11; Напряжение питания: 1.5 В; Количество ранков: 2; Количество чипов каждого модуля: 16, двусторонняя упаковка Оперативная память для ноутбука Kllisre

8 Гб, DDR4, 25600 Мб/с, 1.2 В

Оперативная память TESLA - это высокая скорость работы, сниженное энергопотребление и повышенная надежность.

Название Модуль памяти SO-DDR3L 8Gb 1600MHz Silicon Power SP008GLSTU160N02 1.35V. Тип DDR3L. Форм-фактор SODIMM. Количество модулей в комплекте 1 шт. Объем одного модуля 8 ГБ. Тактовая частота 1600 МГц. Пропускная способность PC12800. CL 11. Напряжение питания 1.35 В. Срок службы 2 г. Гарантийный срок 1 г.