Оперативная Память Samsung Ddr4 3200 Мгц Dimm Cl22 M391a4g43bb1-Cwe

Производитель Kingston Код производителя KF440C19RBA/8 Форм-фактор DIMM 288pin Тип памяти DDR-4 Объём памяти 8 Гб Объем одного модуля 8 Гб Количество модулей в комплекте 1 шт Тактовая частота 4000 МГц Пропускная способность 32000 Мб/с CAS Latency (CL) 19 RAS to CAS Delay (tRCD) 23 Row Precharge Delay (tRP) 23 Напряжение питания 1.35 В Поддержка XMP да Система охлаждения пассивная (радиатор) Подсветка да Гарантия 60 мес.

Оперативная память 4 ГБ 1 шт. Hynix DDR3L 1600 DIMM 4Gb 4GB 1Rx8 PC3L-12800U-11-13-A1 HMT451U6DFR8A-PB

8 Гб, DDR4, 25600 Мб/с, CL16, 1.35 В, XMP профиль, радиатор, подсветка

Модуль памяти DDR4 32 Гб x 2 шт. PC4-32000 (DDR4 4000 МГц) Радиаторы на чипах памяти Напряжение: Напряжение памяти нестандартное

Kingston FURY Renegade KF442C19RBK2/16Чтобы сохранять лидерство, повысьте производительность своей системы на базе процессоров AMD или Intel с помощью ультрабыстродействующих модулей памяти Kingston FURY™ Renegade DDR4. Благодаря частоте до 5333 МГц и таймингам CL13 - CL20 вы сможете повысить частоту кадров, обеспечить плавность потокового видео и улучшить качество монтажа отснятого материала.

Оперативная память Hynix 4 ГБ DDR3 PC3-12800 1600 МГц - это модуль оперативной памяти для компьютера или ноутбука, который имеет емкость 4 ГБ и скорость передачи данных на уровне 1600 МГц. DDR3 - это третье поколение двухпортовой динамической случайной доступной памяти (SDRAM), которое обеспечивает более высокие скорости передачи данных и более эффективное энергопотребление по сравнению с более ранними поколениями оперативной памяти.

количество модулей в комплекте 1 шт, объем одного модуля 8 ГБ, тип DDR3 DIMM 240-pin, тактовая частота 1866 МГц, тайминги 10-11-10-38, напряжение питания 1.5 В, пропускная способность PC14900, особенности Unregistered, радиатор

Оперативная память Lexar 8 ГБ DDR4 2666 МГц CL19 (LD4AU008G-H2666G)

Модуль памяти Hynix — это один из элементов без которых не обойдётся ни один компьютер. От объёма оперативной памяти напрямую зависит скорость и быстродействие ПК. Представленная вашему вниманию модель функционирует на частоте 2666 МГц, благодаря чему она и обладает превосходными техническими характеристиками. Стандарт памяти DDR4 PC4-21300. Цена оперативной памяти указана на данной странице.

D_HEIGHT 21.1 D_LENGTH 34.4 D_WIDTH 30.7 EANUPCCode 4711085931467 Error-correcting code (ECC) Нет Буферизованная (Registered) Нет Комплектующие для Ноутбук Конфигурация памяти (модули х емкость) 1 x 16 GB Объем, ГБ 16 GB Рабочее напряжение, В 1.2 V Тип DDR4 Форм-фактор 260-pin SO-DIMM Частота, МГц 2666 MHz . adpar_property_list { width:100%; margin:0px 0px 0px; color:#555; } . adpar_property_list td { vertical-align: bottom; font-size:13px; vertical-align: top; background: url(images/dott.

Оперативная память Digma DGMAD42666008D DDR4 - 8ГБ 2666, DIMM, Ret

Быстрый и стремительный. Прочный, как броня. Изысканный, геометрически правильный стиль. Подсветка RGB освещает ваш путь. Разгон без усилий с XMP 2.0.

Память Kingston DDR4 SODIMM 8Gb 2133MHz Частота оперативной памяти 2133 MHz Объем одного модуля 8Гб Тип DDR4 Форм-фактор - SODIMM (для ноутбука) Напряжение: 1.2V Dell Alienware 15 R2, 17 R3, 15 R3, 17 R4, 13 R3 OptiPlex 3050 AIO A315-31 A317 A515 A715-74G A717 A717-71G A717-72G AN515-31 E5-491G E5-523G E5-553G E5-575 E5-575G E5-575T E5-575TG E5-722G E5-774G EX215-21G EX215-51 EX215-51G EX2540 F5-522 F5-573G F5-573T F5-771G G3-571 G3-572 G5-793 G9-591 G9-591R G9-592 G9-592R G9-593 G9-791 G9-792 G9-793 GX-791

Миниатюрные размеры модуля памяти Foxline делают его подходящим для использования в ноутбуках. Достаточно высокая частота этого модуля оперативной памяти обеспечивает его высокую производительность (этот параметр легко можно отследить с помощью стандартного теста, проведенного любой операционной системой). Установка модуля проста, не занимает много времени и не требует от вас наличия специальных знаний и умений.

Модуль памяти - небольшая печатная плата, на которой размещены микросхемы запоминающего устройства, обычно ОЗУ. В зависимости от форм-фактора выводы могут реализовываться в виде штырьков располагаться в виде дорожек, подходящих к краю ножевого разъёма с одной стороны платы, либо двух. Оперативная память, или оперативное запоминающее устройство (ОЗУ) — временное хранилище для данных, необходимых для работы игр и программ.

D_HEIGHT 26 D_LENGTH 4.35 D_WIDTH 36.5 EANUPCCode 280 Error-correcting code (ECC) Нет Буферизованная (Registered) Нет Комплектующие для ПК/сервер Конфигурация памяти (модули х емкость) 1 x 8 GB Объем, ГБ 8 GB Рабочее напряжение, В 1.2 V Тип DDR4 Тип буферной памяти Unregistered (unbuffered) Форм-фактор 288-pin DIMM Частота, МГц 3200 MHz . adpar_property_list { width:100%; margin:0px 0px 0px; color:#555; } .

D_HEIGHT 21 D_LENGTH 50 D_WIDTH 45 EANUPCCode 6926337234915 Error-correcting code (ECC) Нет Буферизованная (Registered) Нет Объем, ГБ 16 GB Рабочее напряжение, В 1.35 В Тип DDR4 Форм-фактор 288-pin DIMM Частота, МГц 2666 MHz . adpar_property_list { width:100%; margin:0px 0px 0px; color:#555; } . adpar_property_list td { vertical-align: bottom; font-size:13px; vertical-align: top; background: url(images/dott. png)

объем памяти: 4 ГБ тип: DDR3 DIMM 240-pin тактовая частота: 1600 МГц тайминги: 11-11-11-30 напряжение питания: 1.5 В пропускная способность: PC12800

Модуль оперативной памяти 16ГБ DDR4 SDRAM Kingston FURY Beast KF426C16BB/16 (PC21300, 2666МГц, CL16) (ret)

Название товара: Комплект из 2-х модулей оперативной памяти; Назначение: для компьютера; Количество модулей памяти в комплекте: 1; Тип модуля памяти: DDR5; Объём: 16Gb; Объем одного модуля памяти: 16Gb; Форм-фактор: DIMM; Пропускная способность (Рабочая частота): PC5-48000 6000MHz; Код вендора: SP016GXLWU600FSG; Латентность: CL40; Питание: 1.35 В; Охлаждение: Пассивное (радиатор на чипах)

Тип памяти: Unbuffered Форм-фактор: DIMM Стандарт памяти: DDR4 Объем одного модуля: 16 ГБ Количество модулей в комплекте: 1 шт Суммарный объем: 16 ГБ Эффективная частота: 2666 МГц Пропускная способность: 21300 Мб/с Поддержка ECC: Нет Низкопрофильная: Нет Количество чипов на модуле: 16 шт Количество контактов: 288 CAS Latency (CL): 16 RAS to CAS Delay (tRCD): 18 Row Precharge Delay (tRP): 18 Activate to Precharge Delay (tRAS)