Скидка 38% на Оперативная Память Hynix Ddr3 4 Гб 1600 Mhz Dimm Pc3-12800u 1x4 Гб Для Компьютера

Activate to Precharge Delay (tRAS) - CAS Latency (CL) 22 масса(кг) 0.08 GTD Number 10005030/030523/3114996 GTIN 02772101075659 Cтрана-производитель корея, республика Партномер M391A4G43BB1-CWE RAS to CAS Delay (tRCD) - Row Precharge Delay (tRP) - Вес (грамм) - Высота (мм) - высота(см) 0.2 Габариты (мм) - гарантия 1 год длина(см) 15 Дополнительная информация - Количество контактов 288 Количество модулей в комплекте (шт) 1 Количество чипов на модуле - Линейка Нет масса(кг)

Оперативная память DDR3 (8GB), DIMM - 1333MHz Латентность: CL9. Напряжение питания: 1.5 В

DDR5 64Gb G.SKILL TRIDENT Z5 RGB (набор 2*32Gb, 6000Mhz, с радиаторами, CL34)

Оптимизированный для материнских плат Intel, он предлагает технологию DDR5 с более высокой частотой и большей емкостью в высококачественном компактном модуле для вашей системы. Комплектация CORSAIR VENGEANCE 64 ГБ (2x32 ГБ) DDR5 DRAM 5600 МГцБелый Характеристики Добавить к сравнению Тайминги CAS Latency (CL), тактов 40 Тайминги 40 RAS to CAS Delay (tRCD), тактов 40 Row Precharge Delay (tRP), тактов 40 Active to Precharge Delay (tRAS)

Название Оперативная память Samsung DDR4 ECC RDIMM 8 Гб, 3200 МГц. Тип DDR4. Форм-фактор DIMM. Количество модулей в комплекте 1 шт. Объем одного модуля 8 ГБ. Тактовая частота 3200 МГц. Пропускная способность PC25600. CL 22. Напряжение питания 1.2 В. Количество рангов 1. Количество контактов 288. Особенности Registered. Гарантийный срок 1 г.

Оперативная память произведена с учетом требований современных компьютерных систем, что гарантирует ее универсальность и надежность. Модули относятся к классу DDR4, обладают емкостью 2х8 ГБ и 288-контактными модулями DIMM? Предельная частота работы устройства достигает 3200 МГц, а пропускная способность – 25600 Мб/с.

Назначение: для системного блока Тип поставки: один модуль 1x16Гб Тип памяти: DDR4 Форм-фактор: DIMM 288-контактный Тактовая частота:3200 МГц Пропускная способность:25600 Мб/с Поддержка ECC: нет Буферизованная: нет Латентность: CL16 Тайминги:16-20-20 Подсветка: нет Объем одного модуля:16 Гб Кол-во модулей в упаковке:1 шт.

Модуль памяти - небольшая печатная плата, на которой размещены микросхемы запоминающего устройства, обычно ОЗУ. В зависимости от форм-фактора выводы могут реализовываться в виде штырьков располагаться в виде дорожек, подходящих к краю ножевого разъёма с одной стороны платы, либо двух. Оперативная память, или оперативное запоминающее устройство (ОЗУ) — временное хранилище для данных, необходимых для работы игр и программ.

Оперативная память для ноутбука HP 2E2M5A SO-DIMM 8Gb DDR4 3200 MHz 2E2M5AA#ABB

Компания Kingston с гордостью представляет Kingston FURY — бренд высокопроизводительных продуктов для геймеров и энтузиастов. Опыт Kingston в разработке и производстве памяти и хранилищ файлов (воплощением которого стали продукты HyperX DRAM, флэш-память и твердотельные накопители) помогает компании в течение двух десятилетий оставаться ключевым выбором энтузиастов и геймеров.

Модель может не совпадать с той, что на фотографии. С такими параметрами у данного производителя может быть несколько моделей. Класс памяти: Для ноутбука Тип оперативной памяти: DDR3 Объём оперативной памяти: 8 Гб Частота оперативной памяти: 1600 МГц Кол-во модулей в комплекте: 1x8Gb Напряжение питания 1.5 В

Данные появятся в скором времени

Комплект памяти DDR3 DIMM 8Gb (2x4Gb), 1600MHz BaseTech (BTD31600C11-4GN-K2)

Оперпамять Compit CMPTDDR416GBD3200 DDR4 16GB DIMM 3200MHz имеет 16-гигабайтовый модуль, высоту в 31.25 мм, ее отличает современный продуктивный тип DDR 4, обеспечивающий большую, по сравнению с DDR3 энергоэффективность и пропускную способность, так что даже в условиях многозадачности система гарантирует хороший отклик. На это же работает и диапазон рабочих частот до 3200 МГц. Энергопотребление с напряжением 1,2 В, без радиатора охлаждения так как исключён перегрев микросхем.

Activate to Precharge Delay (tRAS) - CAS Latency (CL) 19 масса(кг) 0.017 GTD Number 10005030/210623/3165485/028 GTIN 00000000000000 Cтрана-производитель Вьетнам Партномер M378A1G44AB0-CWE RAS to CAS Delay (tRCD) 19 Row Precharge Delay (tRP) 19 Вес (грамм) - Высота (мм) 32 высота(см) 0.3 Габариты (мм) - гарантия 1 год длина(см) 13.2 Дополнительная информация - Количество контактов 288 Количество модулей в комплекте (шт) 1 Количество чипов на модуле - Компоновка чипов на модуле - Линейка - масса(кг)

Модель R534G1601S1S-UG Количество контактов 204-pin Показатель скорости PC3-12800 Скорость (тест) 1600МГц Напряжение (тест) 1.5В Задержка (тест) 11-11-11-28 Латентность CL11 Бренд AMD PartNumber/Артикул Производителя R534G1601S1S-UG Размер (модули памяти) 4096/1600 Вес упаковки (ед) 0.016 Тип памяти DDR3 Объем 4096 Частотная спецификация 1600 Количество в упаковке 1 Тип поставки Ret Форм-фактор SO-DIMM Буферизация unbuffered EANCode 4897065184228 .

Категория: радиодетали Тип память оперативная

Название товара: Модуль оперативной памяти; Назначение: для ноутбука; Количество модулей памяти в комплекте: 1; Тип модуля памяти: DDR4; Объём: 4Gb; Форм-фактор: SO-DIMM; Пропускная способность (Рабочая частота)

Модуль памяти DDR5 ECC 8 Гб x 1 шт. PC5-44800 (DDR5 5600 МГц) Напряжение: 1.1 В (DDR5)