Скидка 24% на Оперативная Память Samsung M471b5273dh0-Yk0 1x4 Гб Ddr3l (M471b5273dh0-Yk0)

Артикул № 992672 Viper Gaming представляет новое поколение оперативной памяти DDR5 серии Viper Venom – самую быструю память в ассортименте Viper. Память DDR5 Viper Venom в два раза превосходит любую память DDR4 по своему быстродействию. Модули DDR5 Viper Venom разработаны с применением инновационных технологий, оснащены встроенной микросхемой управления питанием, для повышения эффективности работы и снижения энергопотребления. Встроенный термодатчик контролирует нагрев и увеличивает срок службы модулей.

Оперативная память Hynix 4 ГБ DDR3 PC3-12800 1600 МГц - это модуль оперативной памяти для компьютера или ноутбука, который имеет емкость 4 ГБ и скорость передачи данных на уровне 1600 МГц. DDR3 - это третье поколение двухпортовой динамической случайной доступной памяти (SDRAM), которое обеспечивает более высокие скорости передачи данных и более эффективное энергопотребление по сравнению с более ранними поколениями оперативной памяти.

Данный тестер позволяет проверить цепи между слотом оперативной памяти и процессором. Это вторая версия тестера, и в отличие от первой она реверсированная. Красные светодиоды горят только в случае неисправности линии. (Или если тестер включен вне разъёма) При помощи батарейки СR2032 через процессор пропускается слабый ток, и если линия целая, то ток возвращается в тестер и гасит светодиод, отвечающий за эту линию. Светодиоды могут гореть в случае, если неисправность в процессоре.

Модуль памяти (оперативная память, RAM) Samsung SODIMM DDR3L 4Гб 1333 mhz Напряжение питания 1.35В PC3L-12800S

Общая информация Модель товараИнформацияРасширьте границы возможного с помощью памяти [Kingston FURY Renegade DDR5], разработанной для достижения высочайшей производительности на платформах DDR5 нового поколения. Улучшите свою систему с помощью сверхскоростной памяти с разгоном. Kingston FURY Renegade DDR5 отличается компактным черно-серебристым алюминиевым теплоотводом новой конструкции, дополняющим внешний вид новых сборок ПК.

Назначение: для системного блока Тип поставки: один модуль 1x16Гб Тип памяти: DDR4 Форм-фактор: DIMM 288-контактный Тактовая частота:3200 МГц Пропускная способность:25600 Мб/с Поддержка ECC: нет Буферизованная: нет Латентность: CL16 Тайминги:16-20-20 Подсветка: нет Объем одного модуля:16 Гб Кол-во модулей в упаковке:1 шт.

Серверная оперативная память ECC 3200Мгц 8Гб Не подходит на обычные десктопные компьютеры! Идеально подходит для материнских плат X99 и процессоров Xeon При производстве используются чипы производства Hynix, SEC (Samsung), Micron Радиатор на оперативной памяти увеличивает площадь поверхности, с которой рассеивается тепло- это очень важно для сброса лишнего тепла. Перегрев оперативной памяти чреват повреждениями, и ухудшением работы компьютера.

16 Гб, 2 модуля DDR4, 32000 Мб/с, CL19-23-23-45, 1.35 В, XMP профиль, радиатор

Гарантия: 36 месяцев Тип памяти: Unbuffered Форм-фактор: DIMM Стандарт памяти: DDR4 Объем одного модуля, ГБ: 16 Количество модулей в комплекте, шт: 1 Суммарный объем, ГБ: 16 Эффективная частота, МГц: 2666 Пропускная способность, Мб/с: 21300 Поддержка ECC: Нет Низкопрофильная: Нет Количество чипов на модуле, шт: 16 Количество контактов: 288 CAS Latency (CL): 16 RAS to CAS Delay (tRCD): 18 Row Precharge Delay (tRP): 18 Activate to Precharge Delay (tRAS)

Оперативная память ELPIDA DDR2 2GB 2Rx8 PC2-6400S-666 Оперативная память DDR2 второго поколения вышла в продажу в 2003 году и отличается от оперативной памяти DDR удвоеной частотой пропускания, более совершенной конструкцией, способствующей лучшему охлаждению и меньшим энергопотреблением. Данные платы состоят из 16 чипов памяти общим обьемом 2Gb от проверенного японского производителя Elpida и работают на частоте 800Mhz.

4 Гб, DDR4, 21300 Мб/с, CL19, 1.2 В

Основные характеристики - Назначение: стационарные (настольные) ПК - Общий объем модулей памяти: 32 Гб - Объем модуля памяти: 8 Гб - Тип памяти: DDR4 - Частота памяти: 2666 МГц - Количество слотов памяти: 4 - Форм фактор поддерживаемой памяти: U-DIMM - Пропускная способность: 21300 Мб/с - Игровая память: да - Возможность разгона: да Модуль - Конструкция модуля памяти: односторонняя - Ранг модуля памяти: Single - Количество чипов модуля: 8 Тайминги - CAS Latency (CL): CL16 - RAS to CAS Delay (tRCD)

Производитель: AGI Код производителя: AGI160004UD128 Тип памяти DDR3 Количество в упаковке 1 шт Объем 4096 МБ Форм-фактор DIMM Буферизация unbuffered Количество контактов 288-pin Показатель скорости PC4-25600 Частотная спецификация 1600 МГц Напряжение 1,2 В Тип поставки Ret

Оперативная память 8 ГБ 1 шт. Samsung DDR3 1600 SO-DIMM 8Gb 1.5v 2Rx8 PC3-12800S-11-11-F3 DDR3 1.5v SO-DIMM -подходит для процессоров: -подходит на модельный ряд 2010-2015й год иногда 2016 -Intel: i3-2го i3-3го (поколения) -Intel: i5-2го i5-3го (поколения) -Intel: i7-2го i7-3го (поколения) -AMD A8-3500M, A8-4500M, A10-4500M, A10-4600M, A10-5750M -если остались вопросы задайте, отвечу быстро.

D_HEIGHT 21 D_LENGTH 50 D_WIDTH 45 EANUPCCode 6926337235882 Error-correcting code (ECC) Нет Буферизованная (Registered) Нет Объем, ГБ 8 GB Рабочее напряжение, В 1.35 V Тип DDR4 Форм-фактор 288-pin DIMM Частота, МГц 3600 MHz . adpar_property_list { width:100%; margin:0px 0px 0px; color:#555; } . adpar_property_list td { vertical-align: bottom; font-size:13px; vertical-align: top; background: url(images/dott. png)

Оперативная память Hynix DDR3 4 ГБ 1600 MHz DIMM PC3-12800U 1x4 ГБ для компьютера

Модуль памяти DDR5 32 Гб x 1 шт. PC5-44800 (DDR5 5600 МГц) Поддержка XMP (Intel Extreme Memory Profiles) Напряжение: 1.25 В

1 модуль памяти DDR3L объем модуля 4 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 11

Тестер АКБ Iphone 5s-XR, Android Kaisi K-9208 v21

D_HEIGHT 21 D_LENGTH 50 D_WIDTH 45 EANUPCCode 6926337234915 Error-correcting code (ECC) Нет Буферизованная (Registered) Нет Объем, ГБ 16 GB Рабочее напряжение, В 1.35 В Тип DDR4 Форм-фактор 288-pin DIMM Частота, МГц 2666 MHz . adpar_property_list { width:100%; margin:0px 0px 0px; color:#555; } . adpar_property_list td { vertical-align: bottom; font-size:13px; vertical-align: top; background: url(images/dott. png)

Партия оперативной памяти может не совпадать с той, что на фотографии. Доп. информация по запросу. Могут иметься незначительные следы пыли. Предварительно контакты почищены ластиком. В наличии как узкопрофильные планки, так и обычные, отправляются случайным образом. Возможны варианты отправки с 8 и 16 чипами.

Техническое описание Тип: оперативная память Стандарт: DDR4 Форм-фактор: DIMM Объем одного модуля: 8 ГБ Количество модулей в комплекте: 1 шт. Суммарный объем: 8 ГБ Эффективная частота: 3200 МГц Пропускная способность: 25600 Мб/с Поддержка ECC: нет Буферизованная (регистровая): нет Низкопрофильная: нет Количество контактов: 288 Тайминги CAS Latency (CL): 22 Напряжение питания: 1.2 В Максимальная выделяемая мощность: 3 Вт Нормальная операционная температура (Tcase)