Скидка 20% на Тестер (Плата) Акб Iphone 5s-Xr, Android Kaisi K-9208 V21

Объем: - 1х 8 ГБ; Частота: - 3200МГц; Латентность: - CL19; Тайминги: - 19-19-19; Форм-фактор: - DIMM, 288-pin; Тип поставки: - OEM

Название товара: Модуль оперативной памяти; Назначение: для ноутбука; Количество модулей памяти в комплекте: 1; Тип модуля памяти: DDR4; Объём: 4Gb; Форм-фактор: SO-DIMM; Пропускная способность (Рабочая частота)

Оперативная память 2 ГБ 1 шт. Hynix DDR2 800 SO-DIMM 2Gb Оперативная память DDR2 второго поколения вышла в продажу в 2003 году и отличается от оперативной памяти DDR удвоенной частотой пропускания, более совершенной конструкцией, способствующей лучшему охлаждению и меньшим энергопотреблением.

D_HEIGHT 26 D_LENGTH 4.35 D_WIDTH 36.5 EANUPCCode 280 Error-correcting code (ECC) Нет Буферизованная (Registered) Нет Комплектующие для ПК/сервер Конфигурация памяти (модули х емкость) 1 x 8 GB Объем, ГБ 8 GB Рабочее напряжение, В 1.2 V Тип DDR4 Тип буферной памяти Unregistered (unbuffered) Форм-фактор 288-pin DIMM Частота, МГц 3200 MHz . adpar_property_list { width:100%; margin:0px 0px 0px; color:#555; } .

Чтобы сохранять лидерство, повысьте производительность своей системы на базе процессоров AMD или Intel с помощью ультрабыстродействующих модулей памяти Kingston FURYв„ў Renegade DDR4. Благодаря частоте до 5333 МГц и таймингам CL13 - CL20 вы сможете повысить частоту кадров, обеспечить плавность потокового видео и улучшить качество монтажа отснятого материала. Теплоотвод в агрессивном стильном черном цвете и соответствующая черная печатная плата PCB остудят пыл и вселят страх в сердца ваших врагов.

Оперативная память DDR3L 8Gb предназначена для использования в компьютерах и ноутбуках. С ее помощью можно запускать и выполнять одновременно большое количество приложений и обрабатывать сложные задачи. Она обладает двухканальным каналом памяти, что позволяет достичь более высокой производительности при одновременной работе с двумя модулями памяти. Частота работы составляет 1600 МГц. Это обеспечивает быструю передачу данных и эффективную работу системы.

Модуль памяти Smartbuy DDR4 DIMM 8GB SBDR4-D8GBSPK512X16-2133P PC4-17000, 2133MHz

Тип товара: Память (модули, комплекты); Модель: CD4-US04G26M19-01; Тип оборудования: Оперативная память; Частота (MHz): DDR4 - 2666; Тип модуля: DIMM; Объем одного модуля (ГБ): 4; Количество модулей в комплекте (шт): 1; Общий объем памяти (ГБ): 4; Пропускная способность (МБ/с): 21300.

Оперативная память 4Gb DDR4 2666MHz Kingmax SO-DIMM (KM-SD4-2666-4GS)

[Модуль памяти] CBR DDR4 DIMM (UDIMM) 4GB CD4-US04G26M19-01 PC4-21300, 2666MHz, CL19, 1.2V Activate to Precharge Delay (tRAS) 43 CAS Latency (CL) 19 масса(кг) 0.017 GTD Number 10005030/230323/3072153/17 GTIN 06973720601779 Cтрана-производитель Китай Партномер CD4-US04G26M19-01 RAS to CAS Delay (tRCD) 19 Row Precharge Delay (tRP) 19 Вес (грамм) - Высота (мм) - высота(см) 5.5 Габариты (мм) - гарантия 3 года длина(см) 17 Дополнительная информация - Количество контактов 288 Количество модулей в комплекте (шт)

TSLD4-3200-CL22-8G Оперативная память TESLA (TSLD4-3200-CL22-8G) 8 ГБ

Основные характеристики - Назначение: стационарные (настольные) ПК - Объем модуля памяти: 16 Гб - Тип памяти: DDR4 - Частота памяти: 3600 МГц - Количество слотов памяти: 1 - Форм фактор поддерживаемой памяти: U-DIMM - Пропускная способность: 28800 Мб/с - Игровая память: да - Возможность разгона: да Модуль - Конструкция модуля памяти: односторонняя - Ранг модуля памяти: Single - Количество чипов модуля: 8 Тайминги - CAS Latency (CL): CL18 - RAS to CAS Delay (tRCD): 22 - Row Precharge Delay (tRP)

Оперативная память ENTADM DDR4 может обеспечить стабильное повышение производительности компьютера. Предусмотрены варианты модулей памяти объемом 4 ГБ / 8 ГБ / 16 ГБ / 32 ГБ, простота установки - просто подключи и играй, совместимость с материнскими платами Intel и AMD. 5 лет гарантии, бесплатная бессрочная техническая поддержка. (Если Вам нужна консультация по техническим вопросам, пожалуйста, свяжитесь с нами)

Данные появятся в скором времени

Тип памяти DDR4 Форм-фактор DIMM 288-контактный Тактовая частота 2400 МГц Пропускная способность 19200 Мб/с Объем 1 модуль 8 Гб Поддержка ECC нет Напряжение питания 1.2 В Количество ранков 2

В комплекте 2шт низкий профиль Оперативная память Samsung DDR3 1600 МГц 2Rx8 8 ГБ PC3-12800 - это высококачественная память, которая обеспечивает быстрый и надежный доступ к данным в вашем компьютере. Она имеет высокую частоту работы 1600 МГц и объем 8 ГБ, что позволяет быстро обрабатывать большие объемы информации и запускать сложные программы. Оперативная память Samsung DDR3 имеет низкий профиль, что делает ее идеальным выбором для компактных систем и ноутбуков.

Самовывоз сегодня. Доставка день в день при заказе до 12-00

Тип оперативная памятьМодельADATA XPG GAMMIX D35Код производителя[AX4U36008G18I-SBKD35]Объем и состав комплектаТип памяти DDR4Форм-фактор памяти DIMMСуммарный объем памяти всего комплекта 8 ГБОбъем одного модуля памяти 8 ГБКоличество модулей в комплекте 1 штРегистровая память нетECC-память нетБыстродействиеТактовая частота 3600 МГцПрофили AMD EXPO нетПрофили Intel XMP 3600 МГц (18-22-22)ТаймингиCAS Latency (CL) 18RAS to CAS Delay (tRCD) 22Row Precharge Delay (tRP)

Оперативная память Samsung 8GB DDR3 1333MHz PC3-10600 M471B1G73DB0-CK0

Оперативная память Compit CMPTDDR34GBD1600 DDR3 4Gb 1600MHz для компьютеров имеет 4-гигабайтовый модуль, высоту в 31.25 мм, ее отличает современный продуктивный тип DDR 4, обеспечивающий отличную для DDR3 энергоэффективность и пропускную способность, так что даже в условиях многозадачности система гарантирует хороший отклик. На это же работает и диапазон рабочих частот до 1600 МГц. Энергопотребление с напряжением 1,5 В, без радиатора охлаждения так как исключён перегрев микросхем.