Модуль Памяти Kingston Sodimm Ddr4, 8Гб, 2133Мгц, 12В, Pc4-17000

Оперативная память для ноутбука HP 2E2M5A SO-DIMM 8Gb DDR4 3200 MHz 2E2M5AA#ABB

Название товара: Комплект из 2-х модулей оперативной памяти; Назначение: для компьютера; Количество модулей памяти в комплекте: 2; Тип модуля памяти: DDR4; Объём: 32Gb; Объем одного модуля памяти: 16Gb; Форм-фактор: DIMM; Пропускная способность (Рабочая частота): PC4-25600 3200MHz; Особенности: NON-ECC, Unbuffered; Код вендора: NTSWD4P32DP-32W; Тайминги: 16-20-20-40; Латентность: CL16; Питание: 1.35 В; Охлаждение: Пассивное (радиатор на чипах)

Оперативная память ADATA 16Gb DDR4 3200MHz [AX4U320016G16A-SBKD35G

2-гигабайтная оперативная память Patriot Signature [PSD22G80026] применяется в офисных рабочих станциях и домашних компьютерах, использующих память, относящуюся к типу DDR2. Модуль памяти отличается высокой степенью надежности, и может использоваться в системах, работающих с нагрузкой выше средней. Устройство подойдет для использования как в качестве единственного модуля памяти, так и для применения в комбинации с аналогичными модулями.

Оперативная память Samsung 8GB DDR3 1333MHz PC3-10600 M471B1G73DB0-CK0

Название Оперативная память Kimtigo DDR3L 1600 МГц CL11 (KMTS8GF581600). Категория Модули памяти. Описание типDDR3L, объем одного модуля8 ГБ, объем одного модуля (точно)8 ГБ, тактовая частота1600 МГц, форм-факторSODIMM, количество модулей в комплекте1 шт, CL11. Тип DDR3L. Форм-фактор SODIMM. Количество модулей в комплекте 1 шт. Объем одного модуля 8 ГБ. Тактовая частота 1600 МГц. Пропускная способность PC12800. CL 11. Количество контактов 204.

Категория: радиодетали. тип память оперативная

D_HEIGHT 10 D_LENGTH 31 D_WIDTH 19.7 EANUPCCode 740617330472 Error-correcting code (ECC) Нет Буферизованная (Registered) Нет Объем, ГБ 32 GB Рабочее напряжение, В 1.35V Тип DDR4 Форм-фактор 288-pin DIMM Частота, МГц 3200 MHz . adpar_property_list { width:100%; margin:0px 0px 0px; color:#555; } . adpar_property_list td { vertical-align: bottom; font-size:13px; vertical-align: top; background: url(images/dott. png)

Оперативная память 4Gb DDR4 3200MHz AMD (R9S44G3206U1S) RTL

Артикул № 1002228 Память CORSAIR VENGEANCE RGB RT DDR4 оживит внешний вид вашего ПК и обеспечит высочайшую производительность, оптимизированную для систем AMD. совместимость С RYZEN Материнские платы AMD с поддержкой DDR4 оптимизированы для обеспечения высокой пропускной способности и короткого времени отклика при работе с самыми современными компонентами системы Ryzen.

Hynix DDR3-1333 PC3-10600S 4Gb SODIMM 204PIN Модуль оперативной памяти для ноутбука Память от производителя Hynix объемом 4Гб. Память для ноутбука. Подробные характеристики данных модулей ищите в сети интернет. Также внимательно проверьте совместимость Вашего оборудования с данной памятью перед покупкой. Убедитесь, что Ваш ноутбук работает с данным типом памяти, а также поддерживает такой объем модуля. Вся память обязательно проверялась программой memtest перед размещением данного лота.

Линейка: ValueRAM Тип: DDR2 Форм-фактор: DIMM Количество модулей в комплекте: 1 шт. Объем одного модуля: 2 ГБ Тактовая частота: 800 МГц Пропускная способность: PC6400 CL: 6 tRCD: 6 tRP: 6 tRAS: 15 Количество чипов каждого модуля: 16 Напряжение питания: 1.8 В Количество рангов: 2 Количество контактов: 240 Упаковка чипов: двусторонняя

Память оперативная Qimonda. Партномер HYB18H1G321AF-11

D_HEIGHT 29 D_LENGTH 38 D_WIDTH 32 EANUPCCode 4711085934840 Error-correcting code (ECC) Нет Буферизованная (Registered) Нет Комплектующие для ПК/сервер Конфигурация памяти (модули х емкость) 2 x 8 GB Объем, ГБ 16 GB Рабочее напряжение, В 1.35 V Тип DDR4 Тип буферной памяти Unregistered (unbuffered) Форм-фактор 288-pin DIMM Цвет подсветки Красный/зеленый/синий Частота, МГц 3600 MHz . adpar_property_list { width:100%; margin:0px 0px 0px; color:#555; } .

Гарантия: 36 месяцев Тип памяти: Unbuffered Форм-фактор: DIMM Стандарт памяти: DDR4 Объем одного модуля, ГБ: 16 Количество модулей в комплекте, шт: 1 Суммарный объем, ГБ: 16 Эффективная частота, МГц: 2666 Пропускная способность, Мб/с: 21300 Поддержка ECC: Нет Низкопрофильная: Нет Количество чипов на модуле, шт: 16 Количество контактов: 288 CAS Latency (CL): 16 RAS to CAS Delay (tRCD): 18 Row Precharge Delay (tRP): 18 Activate to Precharge Delay (tRAS)

Оперативная память Kllisre DDR3 1600 МГц для компьютера ПК Грамотный подбор ОЗУ — непростая задача, поскольку необходимо учесть большое количество факторов: тактовую частоту, тайминги, потенциал разгона, систему охлаждения.

Чтобы сохранять лидерство, повысьте производительность своей системы на базе процессоров AMD или Intel с помощью ультрабыстродействующих модулей памяти Kingston FURYв„ў Renegade DDR4. Благодаря частоте до 5333 МГц и таймингам CL13 - CL20 вы сможете повысить частоту кадров, обеспечить плавность потокового видео и улучшить качество монтажа отснятого материала. Теплоотвод в агрессивном стильном черном цвете и соответствующая черная печатная плата PCB остудят пыл и вселят страх в сердца ваших врагов.

Оперативная память корпоративного класса для серверов

32 Гб, 2 модуля DDR5, 52800 Мб/с, CL34-40-40-105, 1.4 В, XMP профиль, радиатор, подсветка

Модуль памяти (оперативная память, RAM) Samsung SODIMM DDR3L 4Гб 1333 mhz Напряжение питания 1.35В PC3L-12800S

Новая в уп. Используются чипы производства Samsung, Hynix, Micron Тип памяти: DDR3; Общий объём памяти, Гб: 8; Количество модулей: 1; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Форм-фактор: SO-DIMM ; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 11; Напряжение питания: 1.5 В; Количество ранков: 2; Количество чипов каждого модуля: 16, двусторонняя упаковка Оперативная память для ноутбука Kllisre

Оперативная память Micron DDR 3 SODIMM 4GB 1,35V 1600Mhz для ноутбука