Оперативная Память Team Group Ddr5 Teamgroup T-Create Expert 96gb (2x48gb) 6800mhz Cl36 (36-46-46-84) 14v White (Ctcwd596g6800hc36ddc01)

Гарантия: 36 месяцев Тип памяти: Unbuffered Форм-фактор: DIMM Стандарт памяти: DDR4 Объем одного модуля, ГБ: 16 Количество модулей в комплекте, шт: 1 Суммарный объем, ГБ: 16 Эффективная частота, МГц: 2666 Пропускная способность, Мб/с: 21300 Поддержка ECC: Нет Низкопрофильная: Нет Количество чипов на модуле, шт: 16 Количество контактов: 288 CAS Latency (CL): 16 RAS to CAS Delay (tRCD): 18 Row Precharge Delay (tRP): 18 Activate to Precharge Delay (tRAS)

Модель AGI266608UD138 Количество контактов 288-pin Показатель скорости PC4-21300 Скорость (тест) 2666МГц Напряжение (тест) 1.2В Бренд AGI PartNumber/Артикул Производителя AGI266608UD138 Длина упаковки (ед) 0.18 Ширина упаковки (ед) 0.1 Высота упаковки (ед) 0.005 Габариты упаковки (ед) ДхШхВ 0.18x0.1x0.005 Вес упаковки (ед) 0.03 Объем упаковки (ед) 0.00009 Серия UD138 Тип памяти DDR4 Объем 8192 Частотная спецификация 2666 Количество в упаковке 1 Тип поставки Ret Форм-фактор DIMM Буферизация unbuffered

Модуль памяти - небольшая печатная плата, на которой размещены микросхемы запоминающего устройства, обычно ОЗУ. В зависимости от форм-фактора выводы могут реализовываться в виде штырьков располагаться в виде дорожек, подходящих к краю ножевого разъёма с одной стороны платы, либо двух. Оперативная память, или оперативное запоминающее устройство (ОЗУ) — временное хранилище для данных, необходимых для работы игр и программ.

TSLD4-3200-CL22-8G Оперативная память TESLA (TSLD4-3200-CL22-8G) 8 ГБ

Kingston FURY Renegade KF442C19RBK2/16Чтобы сохранять лидерство, повысьте производительность своей системы на базе процессоров AMD или Intel с помощью ультрабыстродействующих модулей памяти Kingston FURY™ Renegade DDR4. Благодаря частоте до 5333 МГц и таймингам CL13 - CL20 вы сможете повысить частоту кадров, обеспечить плавность потокового видео и улучшить качество монтажа отснятого материала.

Оперативная память ELPIDA DDR2 2GB 2Rx8 PC2-6400S-666 Оперативная память DDR2 второго поколения вышла в продажу в 2003 году и отличается от оперативной памяти DDR удвоеной частотой пропускания, более совершенной конструкцией, способствующей лучшему охлаждению и меньшим энергопотреблением. Данные платы состоят из 16 чипов памяти общим обьемом 2Gb от проверенного японского производителя Elpida и работают на частоте 800Mhz.

Оперативная память Kingston Server Premier DDR4 32GB RDIMM 3200MHz ECC Registered 1Rx4, 1.2V (Hynix C Rambus)

Оперативная память ENTADM DDR4 может обеспечить стабильное повышение производительности компьютера. Предусмотрены варианты модулей памяти объемом 4 ГБ / 8 ГБ / 16 ГБ / 32 ГБ, простота установки - просто подключи и играй, совместимость с материнскими платами Intel и AMD. 5 лет гарантии, бесплатная бессрочная техническая поддержка. (Если Вам нужна консультация по техническим вопросам, пожалуйста, свяжитесь с нами)

Тестер АКБ Iphone 5s-XR, Android Kaisi K-9208 v21

Бренд: KIMTIGOОбъем: 4096МБКоличество в упаковке: 1Тип поставки: RetБуферизация: unbufferedСкорость (тест): 1600МГцКоличество рангов (Ranks): single rankPartNumber/Артикул Производителя: KMTS4G8581600Форм-фактор: SO-DIMMМодель: KMTS4G8581600Напряжение (тест): 1.35ВЛатентность: CL11Ссылка на сайт поставщика/вендора: http://www. kimtigo. com. cn/productsdetail/68. htmlВес упаковки (ед)

Назначение: для настольных ПК Тип памяти: DDR4 Форм-фактор: DIMM Объем одного модуля: 32 ГБ Поддержка ECC: нет CAS Latency (CL): 16 Радиатор: Да Тактовая частота: 3200 МГц Буферизованная (Registered)

8 Гб, DDR4, 25600 Мб/с, 1.2 В

CAS Latency (CL): 22 RAS to CAS Delay (tRCD): 22 Row Precharge Delay (tRP): 22 Activate to Precharge Delay (tRAS): 32 Поддержка ECC: есть Буферизованная (Registered): да Тип памяти: DDR4 Форм-фактор модуля памяти: DIMM Объем одного модуля: 8 ГБ Количество модулей в комплекте: 1 Тактовая частота: 3200 МГц Пропускная способность: 25600 МБ/с Напряжение питания: 1.2 В Низкопрофильная (Low Profile)

Оперативная память для компьютера Kingston FURY Renegade Silver DIMM 32Gb DDR5 6400 MHz KF564C32RSK2-32

Оперативная память DDR3 (8GB), SODIMM - 1600MHz Латентность: CL11. Напряжение питания: 1.5В

8 Гб, DDR4, 25600 Мб/с, CL16, 1.35 В, XMP профиль, радиатор, подсветка

Тип памяти DDR4 Форм-фактор DIMM 288-контактный Тактовая частота 2400 МГц Пропускная способность 19200 Мб/с Объем 1 модуль 4 Гб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет CAS Latency (CL)

Оперативная память BaseTech - это высокая скорость работы, сниженное энергопотребление и повышенная надежность.

Оптимизированный для материнских плат Intel, он предлагает технологию DDR5 с более высокой частотой и большей емкостью в высококачественном компактном модуле для вашей системы. Комплектация CORSAIR VENGEANCE 64 ГБ (2x32 ГБ) DDR5 DRAM 5600 МГцБелый Характеристики Добавить к сравнению Тайминги CAS Latency (CL), тактов 40 Тайминги 40 RAS to CAS Delay (tRCD), тактов 40 Row Precharge Delay (tRP), тактов 40 Active to Precharge Delay (tRAS)

в комплектеции 1шт планка Прежде чем покупать. убедитесь в том что она вам подходит, или задайте мне вопрос, укажите модель процессора или полную модель ноутбука Оперативная память SODIMM Samsung DDR3 объемом 4 Гб 800 МГц 2Rx8 - это один из лучших вариантов для ноутбуков. Она обеспечивает быструю работу системы и улучшает производительность. Преимущества оперативной памяти SODIMM Samsung: - Высокая скорость передачи данных; - Надежность и долговечность; - Совместимость с различными моделями ноутбуков

Оперативная память для ноутбука HP 2E2M5A SO-DIMM 8Gb DDR4 3200 MHz 2E2M5AA#ABB

Модуль памяти - небольшая печатная плата, на которой размещены микросхемы запоминающего устройства, обычно ОЗУ. В зависимости от форм-фактора выводы могут реализовываться в виде штырьков располагаться в виде дорожек, подходящих к краю ножевого разъёма с одной стороны платы, либо двух. Оперативная память, или оперативное запоминающее устройство (ОЗУ) — временное хранилище для данных, необходимых для работы игр и программ.