Скидка 6% на Оперативная Память Patriot Memory Viper Venom (16 Гб X 2 ) Ddr5 6600 Мгц Dimm Cl34 Pvv532g660c34k

Оперативная память DIMM BIWINTECH 8GB DDR4-3200 (B14AU8G53222R#A)

Модуль памяти - небольшая печатная плата, на которой размещены микросхемы запоминающего устройства, обычно ОЗУ. В зависимости от форм-фактора выводы могут реализовываться в виде штырьков располагаться в виде дорожек, подходящих к краю ножевого разъёма с одной стороны платы, либо двух. Оперативная память, или оперативное запоминающее устройство (ОЗУ) — временное хранилище для данных, необходимых для работы игр и программ.

CAS Latency (CL): 22 RAS to CAS Delay (tRCD): 22 Row Precharge Delay (tRP): 22 Поддержка ECC: нет Тип памяти: DDR4 Форм-фактор модуля памяти: DIMM Объем одного модуля: 32 ГБ Количество модулей в комплекте: 1 Тактовая частота: 3200 МГц Пропускная способность: 25600 МБ/с Напряжение питания: 1.2 В Низкопрофильная (Low Profile)

Модуль памяти (оперативная память, RAM) Samsung SODIMM DDR3L 4Гб 1333 mhz Напряжение питания 1.35В PC3L-12800S

Название Оперативная память Samsung DDR4 ECC RDIMM 8 Гб, 3200 МГц. Тип DDR4. Форм-фактор DIMM. Количество модулей в комплекте 1 шт. Объем одного модуля 8 ГБ. Тактовая частота 3200 МГц. Пропускная способность PC25600. CL 22. Напряжение питания 1.2 В. Количество рангов 1. Количество контактов 288. Особенности Registered. Гарантийный срок 1 г.

Тип товара: Память (модули, комплекты); Модель: CD4-SS16G32M22-01; Тип оборудования: Оперативная память; Частота (MHz): DDR4 - 3200; Тип модуля: SO-DIMM; Объем одного модуля (ГБ): 16; Количество модулей в комплекте (шт): 1; Общий объем памяти (ГБ): 16; Пропускная способность (МБ/с): 25600.

Новая в уп. Используются чипы производства Samsung, Hynix, Micron Тип памяти: DDR3; Общий объём памяти, Гб: 4; Количество модулей: 1; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Форм-фактор: SO-DIMM ; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 11; Напряжение питания: 1.35 В; Количество ранков: 2; Количество чипов каждого модуля: 16, двусторонняя упаковка Оперативная память для ноутбука Kllisre

количество модулей в комплекте 1 шт, объем одного модуля 16 ГБ, тип DDR4 DIMM 288-pin, тактовая частота 2666 МГц, тайминги 19-19-19, напряжение питания 1.2 В, пропускная способность PC21300

Гарантия: 60 мес. Форм-фактор: DIMM Ширина: 133.35 Высота: 42 Серия продукции: Toughram Комплект поставки: Инструкция, 2 модуля памяти Ссылка на описание: www. thermaltake. com Пропускная способность: 32000 Тип памяти: Unbuffered Стандарт памяти: DDR4 Объем одного модуля: 32 Количество модулей в комплекте: 2 Суммарный объем: 64 Эффективная частота: 4000 Поддержка ECC: Нет Низкопрофильная: Нет Количество чипов на модуле: 16 Количество контактов: 288 CAS Latency (CL): 19 RAS to CAS Delay (tRCD)

D_HEIGHT 21 D_LENGTH 50 D_WIDTH 45 EANUPCCode 6926337235882 Error-correcting code (ECC) Нет Буферизованная (Registered) Нет Объем, ГБ 8 GB Рабочее напряжение, В 1.35 V Тип DDR4 Форм-фактор 288-pin DIMM Частота, МГц 3600 MHz . adpar_property_list { width:100%; margin:0px 0px 0px; color:#555; } . adpar_property_list td { vertical-align: bottom; font-size:13px; vertical-align: top; background: url(images/dott. png)

4 Гб, DDR4, 19200 Мб/с, CL17, 1.2 В

Kingston FURY Renegade KF442C19RBK2/16Чтобы сохранять лидерство, повысьте производительность своей системы на базе процессоров AMD или Intel с помощью ультрабыстродействующих модулей памяти Kingston FURY™ Renegade DDR4. Благодаря частоте до 5333 МГц и таймингам CL13 - CL20 вы сможете повысить частоту кадров, обеспечить плавность потокового видео и улучшить качество монтажа отснятого материала.

Тип товара: Память (модули, комплекты); Модель: M378A1K43EB2-CWE; Тип оборудования: Оперативная память; Частота (MHz): DDR4 - 3200; Тип модуля: DIMM; Объем одного модуля (ГБ): 8; Количество модулей в комплекте (шт): 1; Общий объем памяти (ГБ): 8; Пропускная способность (МБ/с): 25600.

Модуль памяти Hynix — это один из элементов без которых не обойдётся ни один компьютер. От объёма оперативной памяти напрямую зависит скорость и быстродействие ПК. Представленная вашему вниманию модель функционирует на частоте 2666 МГц, благодаря чему она и обладает превосходными техническими характеристиками. Стандарт памяти DDR4 PC4-21300. Цена оперативной памяти указана на данной странице.

D_HEIGHT 22 D_LENGTH 50 D_WIDTH 44 EANUPCCode 6926337233383 Error-correcting code (ECC) Нет Буферизованная (Registered) Нет Комплектующие для ПК/сервер Конфигурация памяти (модули х емкость) 2 x 8 GB Объем, ГБ 16 GB Рабочее напряжение, В 1.35 V Тип DDR4 Тип буферной памяти Unregistered (unbuffered) Форм-фактор 288-pin DIMM Цвет подсветки Красный/зеленый/синий Частота, МГц 3600 MHz . adpar_property_list { width:100%; margin:0px 0px 0px; color:#555; } .

Комплект памяти DDR3 DIMM 8Gb (2x4Gb), 1600MHz BaseTech (BTD31600C11-4GN-K2)

Производитель Thermaltake Модель Thermaltake TOUGHRAM RGB Код производителя R009R432GX2-3200C16A Тип памяти DDR4 Форм-фактор памяти DIMM Количество модулей в комплекте 2 шт Объем одного модуля памяти 32 ГБ Суммарный объем памяти всего комплекта 64 ГБ Тактовая частота 3200 МГц Пропускная способность 25600 МБ/с Регистровая память нет ECC-память нет Тайминги 16-18-18-36 CAS Latency (CL) 16 RAS to CAS Delay (tRCD) 18 тактов Row Precharge Delay (tRP) 18 тактов Active to Precharge Delay (tRAS)

Оперативная память для компьютера Atermiter DDR3 8Gb 1600MHz (PC3-12800) DIMM 1.5V Совместим с процессорами Intel и Amd

Оперативная память HP - это надежный и производительный модуль памяти DDR3, который подходит для широкого спектра систем HP. Он имеет форм-фактор DIMM и объем 2 ГБ, что обеспечивает высокую производительность и быстродействие. Тактовая частота 1333 МГц гарантирует быструю обработку данных и обеспечивает плавное и стабильное функционирование системы. Оперативная память HP имеет высокую пропускную способность 10600 МБ/с, что позволяет обрабатывать большие объемы данных без задержек и сбоев.