Модуль Памяти Neo Forza Faye Nmud480e82-4000fg10

D_HEIGHT 21.5 D_LENGTH 31 D_WIDTH 34 EANUPCCode 4711085936479 Error-correcting code (ECC) Нет Буферизованная (Registered) Нет Комплектующие для ПК Конфигурация памяти (модули х емкость) 1 x 32 GB Объем, ГБ 32 GB Рабочее напряжение, В 1.1 V Тип DDR5 Тип буферной памяти Unregistered (unbuffered) Форм-фактор 288-pin DIMM Частота, МГц 4800 MHz . adpar_property_list { width:100%; margin:0px 0px 0px; color:#555; } .

Артикул № 956625 Модули памяти Kingston FURY Renegade DDR4 Чтобы сохранять лидерство, повысьте производительность своей системы на базе процессоров AMD или Intel с помощью ультрабыстродействующих модулей памяти Kingston FURY™ Renegade DDR4. Благодаря высокой частоте функционирования и низким таймингам вы сможете повысить частоту кадров, обеспечить плавность потокового видео и улучшить качество монтажа отснятого материала.

D_HEIGHT 28.5 D_LENGTH 38 D_WIDTH 32 EANUPCCode 4711085934635 Error-correcting code (ECC) Нет Буферизованная (Registered) Нет Объем, ГБ 16 GB Рабочее напряжение, В 1.35 V Тип DDR4 Форм-фактор 288-pin DIMM Частота, МГц 3600 MHz . adpar_property_list { width:100%; margin:0px 0px 0px; color:#555; } . adpar_property_list td { vertical-align: bottom; font-size:13px; vertical-align: top; background: url(images/dott. png)

Модуль памяти (оперативная память, RAM) для персонального компьютера Samsung DIMM DDR3 8Гб 1333 mhz. 2 Штуки Напряжение питания 1.5V

Назначение: для настольных ПК Тип памяти: DDR4 Форм-фактор: DIMM Объем одного модуля: 32 ГБ Поддержка ECC: нет CAS Latency (CL): 16 Радиатор: Да Тактовая частота: 3200 МГц Буферизованная (Registered)

Артикул № 1002228 Память CORSAIR VENGEANCE RGB RT DDR4 оживит внешний вид вашего ПК и обеспечит высочайшую производительность, оптимизированную для систем AMD. совместимость С RYZEN Материнские платы AMD с поддержкой DDR4 оптимизированы для обеспечения высокой пропускной способности и короткого времени отклика при работе с самыми современными компонентами системы Ryzen.

Модуль памяти 49y1424, m393b5270ch0-yh9, DDR3, 4 Гб На все наши товары действует гарантия 1 год от нашего магазина.

Модуль памяти Samsung DDR4 SO-DIMM 8 ГБ 2666MHz CL19 M471A1K43CB1-CTD

Название товара: Модуль оперативной памяти; Назначение: для ноутбука; Количество модулей памяти в комплекте: 1; Тип модуля памяти: DDR4; Объём: 4Gb; Объем одного модуля памяти: 4Gb; Форм-фактор: SO-DIMM; Пропускная способность (Рабочая частота): PC4-19200 2400MHz; Особенности: NON-ECC; P\\N: R744G2400S1S-UO; Тайминги: 17; Латентность: CL17; Питание: 1.2 В; Охлаждение: Нет; Прочие особенности и свойства: н/д; Размеры, вес: н/д

Новая в уп. Используются чипы производства Samsung, Hynix, Micron Тип памяти: DDR3; Общий объём памяти, Гб: 4; Количество модулей: 1; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Форм-фактор: SO-DIMM ; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 11; Напряжение питания: 1.35 В; Количество ранков: 2; Количество чипов каждого модуля: 16, двусторонняя упаковка Оперативная память для ноутбука Kllisre

Модуль памяти - небольшая печатная плата, на которой размещены микросхемы запоминающего устройства, обычно ОЗУ. В зависимости от форм-фактора выводы могут реализовываться в виде штырьков располагаться в виде дорожек, подходящих к краю ножевого разъёма с одной стороны платы, либо двух. Оперативная память, или оперативное запоминающее устройство (ОЗУ) — временное хранилище для данных, необходимых для работы игр и программ.

Достигайте предела возможностей с помощью флагманской серии DDR5 Viper Xtreme 5. Обладая невероятно высокой скоростью до 8000MHz и ёмкостью в 32GB, память Viper Xtreme 5 создана для рекордной производительности и разгона. Модули Viper Xtreme 5 оснащены микросхемой управления питанием PMIC, для повышения эффективности работы и снижения энергопотребления. Встроенный термодатчик контролирует нагрев и увеличивает срок службы модулей. Стильные радиаторы охлаждения с RGB-подсветкой станут украшением любой сборки.

[Модуль памяти] CBR DDR4 DIMM (UDIMM) 4GB CD4-US04G26M19-01 PC4-21300, 2666MHz, CL19, 1.2V Activate to Precharge Delay (tRAS) 43 CAS Latency (CL) 19 масса(кг) 0.017 GTD Number 10005030/230323/3072153/17 GTIN 06973720601779 Cтрана-производитель Китай Партномер CD4-US04G26M19-01 RAS to CAS Delay (tRCD) 19 Row Precharge Delay (tRP) 19 Вес (грамм) - Высота (мм) - высота(см) 5.5 Габариты (мм) - гарантия 3 года длина(см) 17 Дополнительная информация - Количество контактов 288 Количество модулей в комплекте (шт)

Оперативная память Lexar 8 ГБ DDR4 2666 МГц CL19 (LD4AU008G-H2666G)

Модуль памяти DDR4 8 Гб x 2 шт. PC4-21300 (DDR4 2666 МГц) Поддержка XMP (Intel Extreme Memory Profiles) Радиаторы на чипах памяти Напряжение: 1.2 В (DDR4)

объем памяти: 16 ГБ (2 планки по 8 ГБ) тип: DDR4 DIMM 288-pin тактовая частота: 3200 МГц тайминги: 16-20-20-40 напряжение питания: 1.35 В пропускная способность: PC25600 радиатор: да поддержка XMP: да

Модуль памяти DDR4 16 Гб x 1 шт. PC4-19200 (DDR4 2400 МГц) Напряжение: 1.2 В (DDR4)

Быстрый и стремительный. Прочный, как броня. Изысканный, геометрически правильный стиль. Подсветка RGB освещает ваш путь. Разгон без усилий с XMP 2.0.

Модуль памяти - небольшая печатная плата, на которой размещены микросхемы запоминающего устройства, обычно ОЗУ. В зависимости от форм-фактора выводы могут реализовываться в виде штырьков располагаться в виде дорожек, подходящих к краю ножевого разъёма с одной стороны платы, либо двух. Оперативная память, или оперативное запоминающее устройство (ОЗУ) — временное хранилище для данных, необходимых для работы игр и программ.