Оперативная Память Kingston Ddr4 8gb 3200 Mhz Pc-25600 Fury Renegade (Kf432c16rb/8)

16 Гб, DDR5, 44800 Мб/с, CL40, 1.1 В, радиатор

D_HEIGHT 8 D_LENGTH 32 D_WIDTH 19 EANUPCCode 740617319064 Error-correcting code (ECC) Нет Буферизованная (Registered) Нет Объем, ГБ 16GB Рабочее напряжение, В 1.35V Тип DDR4 Форм-фактор 288-pin DIMM Частота, МГц 3600 MHz . adpar_property_list { width:100%; margin:0px 0px 0px; color:#555; } . adpar_property_list td { vertical-align: bottom; font-size:13px; vertical-align: top; background: url(images/dott. png)

Оперативная память Kingston DRAM 64GB 3200MHz DDR4 CL16 DIMM (Kit of 2) FURY Renegade RGB EAN: 74061

Оперативная память для ноутбуков, моноблоков и других устройств в разъемом So-Dimm

Модуль памяти Samsung DDR3 8GB 2RX8 1600MHz 1.5V DIMM для ПК - это высококачественный продукт, который идеально подходит для использования в компьютерах. Он имеет высокую скорость передачи данных и низкое энергопотребление, что делает его идеальным выбором для тех, кто ищет производительность и надежность в своей системе. Samsung - известный бренд, который зарекомендовал себя как производитель высококачественной электроники.

Оперативная память Hynix 4 ГБ DDR3 PC3-12800 1600 МГц - это модуль оперативной памяти для компьютера или ноутбука, который имеет емкость 4 ГБ и скорость передачи данных на уровне 1600 МГц. DDR3 - это третье поколение двухпортовой динамической случайной доступной памяти (SDRAM), которое обеспечивает более высокие скорости передачи данных и более эффективное энергопотребление по сравнению с более ранними поколениями оперативной памяти.

DDR4, объём: 1 модуль на 8Gb, тактовая частота: 3200 MHz, форм-фактор: DIMM 288-контактный, скорость: PC-25600, поддержка ECC: нет, Low Profile: нет, Registered: нет, XMP: есть, R019D408GX1-3200C16S

Бренд: KINGSTON Серия: Fury Renegade Black Тип памяти: DDR4 Объем: 16384МБ Количество в упаковке: 1 Тип поставки: Ret Форм-фактор: DIMM Буферизация: unbuffered Количество контактов: 288-pin Показатель скорости: PC4-25600 Скорость (тест): 3200МГц Напряжение (тест): 1.35В Латентность (CAS): CL16 Количество рангов (Ranks): dual rank Модель: KF432C16RB12/16 PartNumber/Артикул Производителя: KF432C16RB12/16 Объем одного модуля: 16ГБ Длина упаковки (ед): 0.17м Ширина упаковки (ед): 0.127м Высота упаковки (ед)

Тип товара: Память (модули, комплекты); Модель: AH4U08G26C08YTBAA-1; Тип оборудования: Оперативная память; Частота (MHz): DDR4 - 2666; Тип модуля: DIMM; Объем одного модуля (ГБ): 8; Количество модулей в комплекте (шт): 1; Общий объем памяти (ГБ): 8; Пропускная способность (МБ/с): 21300; Радиатор: Есть.

В комплекте 2шт низкий профиль Оперативная память Samsung DDR3 1600 МГц 2Rx8 8 ГБ PC3-12800 - это высококачественная память, которая обеспечивает быстрый и надежный доступ к данным в вашем компьютере. Она имеет высокую частоту работы 1600 МГц и объем 8 ГБ, что позволяет быстро обрабатывать большие объемы информации и запускать сложные программы. Оперативная память Samsung DDR3 имеет низкий профиль, что делает ее идеальным выбором для компактных систем и ноутбуков.

Модель AGI266608UD138 Количество контактов 288-pin Показатель скорости PC4-21300 Скорость (тест) 2666МГц Напряжение (тест) 1.2В Бренд AGI PartNumber/Артикул Производителя AGI266608UD138 Длина упаковки (ед) 0.18 Ширина упаковки (ед) 0.1 Высота упаковки (ед) 0.005 Габариты упаковки (ед) ДхШхВ 0.18x0.1x0.005 Вес упаковки (ед) 0.03 Объем упаковки (ед) 0.00009 Серия UD138 Тип памяти DDR4 Объем 8192 Частотная спецификация 2666 Количество в упаковке 1 Тип поставки Ret Форм-фактор DIMM Буферизация unbuffered

Оперативная память корпоративного класса для серверов

Оперативная память 2 ГБ 1 шт. Hynix DDR2 800 SO-DIMM 2Gb Оперативная память DDR2 второго поколения вышла в продажу в 2003 году и отличается от оперативной памяти DDR удвоенной частотой пропускания, более совершенной конструкцией, способствующей лучшему охлаждению и меньшим энергопотреблением.

DDR4, 16 Гб (3200 МГц), модулей 1 • SODIMM

Данные появятся в скором времени

Модель R7432G2606S2S-U Количество контактов 260-pin Показатель скорости PC4-21300 Скорость (тест) 2666МГц Напряжение (тест) 1.2В Задержка (тест) 19-19-19-43 Латентность CL19 Бренд AMD PartNumber/Артикул Производителя R7432G2606S2S-U Количество чипов 16 Размер (модули памяти) 32768/2666 Вес упаковки (ед) 0.013 Серия Radeon R7 Performance Series Тип памяти DDR4 Объем 32768 Частотная спецификация 2666 Количество в упаковке 1 Тип поставки Ret Форм-фактор SO-DIMM Буферизация unbuffered EANCode 4897065183603 .

Модуль памяти DDR4 8GB Hynix original HMAA1GU6CJR6N-XN PC4-25600 3200MHz 1.2V OEM

Гарантия: 60 мес. Форм-фактор: DIMM Ширина: 133.35 Высота: 42 Серия продукции: Toughram Комплект поставки: Инструкция, 2 модуля памяти Ссылка на описание: www. thermaltake. com Пропускная способность: 32000 Тип памяти: Unbuffered Стандарт памяти: DDR4 Объем одного модуля: 32 Количество модулей в комплекте: 2 Суммарный объем: 64 Эффективная частота: 4000 Поддержка ECC: Нет Низкопрофильная: Нет Количество чипов на модуле: 16 Количество контактов: 288 CAS Latency (CL): 19 RAS to CAS Delay (tRCD)

Оперативная память ENTADM DDR4 может обеспечить стабильное повышение производительности компьютера. Предусмотрены варианты модулей памяти объемом 4 ГБ / 8 ГБ / 16 ГБ / 32 ГБ, простота установки - просто подключи и играй, совместимость с материнскими платами Intel и AMD. 5 лет гарантии, бесплатная бессрочная техническая поддержка. (Если Вам нужна консультация по техническим вопросам, пожалуйста, свяжитесь с нами)

Гарантия: 12 месяцев Серия продукции: Fury Тип памяти: Unbuffered Форм-фактор: DIMM Стандарт памяти: DDR5 Объем одного модуля, ГБ: 8 Количество модулей в комплекте, шт: 1 Суммарный объем, ГБ: 8 Эффективная частота, МГц: 5600 Пропускная способность, Мб/с: 44800 Поддержка ECC: On-Die ECC Низкопрофильная: Нет Количество чипов на модуле, шт: 4 Количество ранков: 1 Количество контактов: 288 CAS Latency (CL): 40 RAS to CAS Delay (tRCD): 39 Row Precharge Delay (tRP)

D_HEIGHT 21 D_LENGTH 50 D_WIDTH 45 EANUPCCode 6926337235882 Error-correcting code (ECC) Нет Буферизованная (Registered) Нет Объем, ГБ 8 GB Рабочее напряжение, В 1.35 V Тип DDR4 Форм-фактор 288-pin DIMM Частота, МГц 3600 MHz . adpar_property_list { width:100%; margin:0px 0px 0px; color:#555; } . adpar_property_list td { vertical-align: bottom; font-size:13px; vertical-align: top; background: url(images/dott. png)

Оперативная память TESLA - это высокая скорость работы, сниженное энергопотребление и повышенная надежность.