Скидка 9% на Модуль Памяти Thermaltake Toughram Z-One Rgb R019d408gx1-3200c16s

Данные появятся в скором времени

Название Оперативная память Kimtigo DDR3L 1600 МГц CL11 (KMTS8GF581600). Категория Модули памяти. Описание типDDR3L, объем одного модуля8 ГБ, объем одного модуля (точно)8 ГБ, тактовая частота1600 МГц, форм-факторSODIMM, количество модулей в комплекте1 шт, CL11. Тип DDR3L. Форм-фактор SODIMM. Количество модулей в комплекте 1 шт. Объем одного модуля 8 ГБ. Тактовая частота 1600 МГц. Пропускная способность PC12800. CL 11. Количество контактов 204.

Модуль памяти DDR4 8GB Hynix original HMAA1GU6CJR6N-XN PC4-25600 3200MHz 1.2V OEM

Оперативная память корпоративного класса для серверов

Название товара: Комплект из 2-х модулей оперативной памяти; Назначение: для компьютера; Количество модулей памяти в комплекте: 2; Тип модуля памяти: DDR3; Объём: 8Gb; Объем одного модуля памяти: 4Gb; Форм-фактор: DIMM; Пропускная способность (Рабочая частота): PC3-12800 1600MHz; Особенности: NON-ECC; P\\N: KF316C10BBK2/8; Тайминги: 10-10-10; Латентность: CL10; Питание: 1.5 В; Охлаждение: Пассивное (радиатор на чипах)

Оперативная память для ноутбуков, моноблоков и других устройств в разъемом So-Dimm

Форм-фактор: SO-DIMM Частотная спецификация: 1600 Буферизация: unbuffered Показатель скорости: PC3-12800 Количество контактов: 204-pin Латентность: CL11 Тип поставки: Ret Тип памяти: DDR3 Количество в упаковке: 1 Объем: 8192 PartNumber/Артикул Производителя: SP008GBSTU160N02 Бренд: SILICON POWER Модель: SP008GBSTU160N02 Скорость (тест): 1600МГц Напряжение (тест): 1.5В Задержка (тест)

Оперативная память Micron DDR 3 SODIMM 4GB 1,35V 1600Mhz для ноутбука

Тип памяти DDR4 Форм-фактор DIMM 288-контактный Тактовая частота 2400 МГц Пропускная способность 19200 Мб/с Объем 1 модуль 4 Гб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет CAS Latency (CL)

В комплекте 2шт Оперативная память SK Hynix - это высокопроизводительный компонент, который может значительно повысить производительность вашего ноутбука. Она работает на частоте 1333 МГц, что обеспечивает быструю передачу данных между процессором и другими компонентами компьютера. SK Hynix DDR3 имеет объем 4 ГБ и класс памяти PC3-10600, что позволяет использовать ее для работы с большими объемами данных. Кроме того, она поддерживает технологию SO-DIMM, которая обеспечивает удобное подключение к ноутбуку.

Достигайте предела возможностей с помощью флагманской серии DDR5 Viper Xtreme 5. Обладая невероятно высокой скоростью до 8000MHz и ёмкостью в 32GB, память Viper Xtreme 5 создана для рекордной производительности и разгона. Модули Viper Xtreme 5 оснащены микросхемой управления питанием PMIC, для повышения эффективности работы и снижения энергопотребления. Встроенный термодатчик контролирует нагрев и увеличивает срок службы модулей. Стильные радиаторы охлаждения с RGB-подсветкой станут украшением любой сборки.

Оперативная память 4Gb DDR4 2666MHz Kingmax SO-DIMM (KM-SD4-2666-4GS)

Соответствующая типу DDR4 оперативная память Patriot Signature Line PSD48G266681 выпускается в рамках широко известной одноименной производственной серии. Вы получите в свое распоряжение стабильно функционирующее устройство, демонстрирующее типовой уровень производительности. Память будет полезна потенциальным или настоящим владельцам системных блоков, ориентированных на решение универсальных задач.

Оперативная память WEIMU серии Green стандарта DIMM DDR3 и модулями по 8 Гб, подойдет как для комплектации игрового системного блока, так и для рабочей станции. Они совместимы с абсолютным большинством комплектующих и обладают самой универсальной частотой для памяти этого поколения - 1600 МГц. Модули создаются при сотрудничестве с мировыми лидерами производства чипов памяти - Samsung, Hynix, Micron. Характеристики: Тип - DDR3 Форм фактор - DIMM (для системного блока)

Новая в уп. Используются чипы производства Samsung, Hynix, Micron Тип памяти: DDR3; Общий объём памяти, Гб: 4; Количество модулей: 1; Тактовая частота: 1333 МГц; Пропускная способность: 10600 Мб/с; Форм-фактор: SO-DIMM ; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; CAS Latency (CL): 11; RAS to CAS Delay (tRCD): 11; Row Precharge Delay (tRP): 11; Напряжение питания: 1.35 В; Количество ранков: 2; Количество чипов каждого модуля: 16, двусторонняя упаковка Оперативная память для ноутбука Kllisre

Память DDR4 DIMM 16Gb, 2666MHz BaseTech (BTD42666C19-16GN)

Тип товара: Память (модули, комплекты); Модель: CD4-SS16G32M22-01; Тип оборудования: Оперативная память; Частота (MHz): DDR4 - 3200; Тип модуля: SO-DIMM; Объем одного модуля (ГБ): 16; Количество модулей в комплекте (шт): 1; Общий объем памяти (ГБ): 16; Пропускная способность (МБ/с): 25600.

Память DDR3 DIMM 4Gb, 1600MHz BaseTech (BTD31600C11-4GN)

Оперативная память Crucial 4 ГБ (2 ГБ x 2 шт.) DDR2 800 МГц SODIMM CL6 CT2KIT25664AC800

Оперативная память 2Gb DDR-II 800MHz AMD (R322G805U2S-UG)

Общая информация Модель товараИнформацияРасширьте границы возможного с помощью памяти [Kingston FURY Renegade DDR5], разработанной для достижения высочайшей производительности на платформах DDR5 нового поколения. Улучшите свою систему с помощью сверхскоростной памяти с разгоном. Kingston FURY Renegade DDR5 отличается компактным черно-серебристым алюминиевым теплоотводом новой конструкции, дополняющим внешний вид новых сборок ПК.

Оперативная память 8 ГБ 1 шт. Samsung DDR3 1600 SO-DIMM 8Gb 1.5v 2Rx8 PC3-12800S-11-11-F3 DDR3 1.5v SO-DIMM -подходит для процессоров: -подходит на модельный ряд 2010-2015й год иногда 2016 -Intel: i3-2го i3-3го (поколения) -Intel: i5-2го i5-3го (поколения) -Intel: i7-2го i7-3го (поколения) -AMD A8-3500M, A8-4500M, A10-4500M, A10-4600M, A10-5750M -если остались вопросы задайте, отвечу быстро.